图形密度计算方法技术

本发明专利技术揭示了一种图形密度计算方法。本发明专利技术提供的图形密度计算方法包括：根据采样率确定图形的采样区域；沿图形边界扫描，建立小波变换索引；计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积，获得子块系数；根据子块系数构建各阶小波变换矩阵；将各阶小波变换矩阵依次相加，得到不同级次下的图形密度分布。由此采用了小波变换，能够同时给出多个范围的密度分布，而且可以大幅减小计算量，提高了计算效率。

Graphic density calculation method

A graphical density calculation method is disclosed. The invention provides methods including the calculation of the density of the graphic: according to the sampling rate to determine the regional sampling pattern; pattern along the boundary scan, a wavelet transform index; wavelet transform to calculate the area of each sub block and graph boundary intersection, obtain sub block coefficient; according to the building blocks of wavelet transform coefficients matrix; each order wavelet transform matrix in addition, the graphic density distribution under different orders. In this way, the wavelet transform can be used to give the density distribution of multiple ranges at the same time, and the computational complexity can be greatly reduced and the computational efficiency can be improved.

【技术实现步骤摘要】
图形密度计算方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种图形密度计算方法。
技术介绍
在CMP(化学机械研磨)的模型建立中，需要涉及到图形密度，根据图形密度来判断图形是否均匀，以进一步完成对工艺的完善。通常情况下，业界根据每个格点被覆盖的面积可以估算出图形密度分布。如图1和图2所示，图1为一个图形A覆盖格点B的示意图；图2为图形A在格点B中的密度分布。具体可以通过格点色阶来表示图形A在每个格点所占面积，进而表示出图形密度分布情况。如图2中通过不同的填充来示意，上方3个格点B无填充，表明没有图形分布；下方的左侧两个格点填充最淡，右侧两个格点填充次之，中间两个格点填充最浓，可以进一步结合不同填充所对应的密度范围，计算出具体的图形密度分布情况。但是，对于复杂和大规模的IC版图，每个格点中图形面积计算是复杂的。另外，在CMP模型中常常用到不同范围内的密度分布，比如同时需要100μm、50μm和10μm范围内的密度分布来判断图形的均匀性。不同范围的估算，需要重新划分格点，计算面积，大大增加了计算量。因此，如何改善这一状况，对提高计算效率，改良生产，有着重大的作用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种图形密度计算方法，提高计算效率。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种图形密度计算方法，包括：根据采样率确定图形的采样区域；沿图形边界扫描，建立小波变换索引；计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积，获得子块系数；根据子块系数构建各阶小波变换矩阵；将各阶小波变换矩阵依次相加，得到不同级次下的图形密度分布。可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述小波变换为二维哈尔小波变换。可选的，对于所述的图形密度计算方法，在沿图形边界扫描，建立小波变换索引之前，建立正交基函数。可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述正交基函数为Ψ(0，0)，Ψ(1，0)，Ψ(0，1)，Ψ(1，1)。可选的，对于所述的图形密度计算方法，在建立正交基函数之后，在沿图形边界扫描，建立小波变换索引之前，还包括：删减展开后为0的基函数Ψ(1，1)。可选的，对于所述的图形密度计算方法，对于大于10级小波变换的采样区域，进行分割采用多处理器并行计算。可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述10级小波的采样区域范围为边长5000μm的正方形。可选的，对于所述的图形密度计算方法，通过计算采样区域中图形边界和小波变换的交点的值计算所述面积。可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积采用多处理器并行计算。可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述采样区域为若干条边围成的封闭图形。与现有技术相比，本专利技术提供的图形密度计算方法中，包括：根据采样率确定图形的采样区域；沿图形边界扫描，建立小波变换索引；计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积，获得子块系数；根据子块系数构建各阶小波变换矩阵；将各阶小波变换矩阵依次相加，得到不同级次下的图形密度分布。由此采用了小波变换，能够同时给出多个范围的密度分布，而且可以大幅减小计算量，提高了计算效率；进一步的，通过多处理器并行计算，也能够提高计算效率。附图说明图1为现有技术中一个图形A覆盖格点B的示意图；图2为图形A在格点B中的密度分布；图3为本专利技术中图形密度计算方法的流程图；图4为本专利技术一实施例中选用的基函数；图5为本专利技术一实施例中确定采样区域的示意图；图6为本专利技术一实施例中建立小波变换索引的示意图；图7为本专利技术一实施例中图形边界与小波变换相交的示意图；图8为本专利技术一实施例中不同级次下的图形密度分布。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的图形密度计算方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的核心思想在于，提供一种图形密度计算方法，通过采用小波变换，能够同时给出多个范围的密度分布而且可以提高面积估算的效率。该方法包括：步骤S11，根据采样率确定图形的采样区域；步骤S12，沿图形边界扫描，建立小波变换索引；步骤S13，计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积，获得子块系数；步骤S14，根据子块系数构建各阶小波变换矩阵；步骤S15，将各阶小波变换矩阵依次相加，得到不同级次下的图形密度分布。以下列举所述图形密度计算方法的较优实施例，以清楚说明本专利技术的内容，应当明确的是，本专利技术的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本专利技术的思想范围之内。请参考图3，并结合图4-图8，对本专利技术中图形密度的计算方法进行详细说明。如图2所示，在本实施例中，所述图形密度计算方法包括：具体的，在步骤S11中，如图4所示，根据采样率确定图形10的采样区域。在本专利技术中，采用小波变换进行图形密度计算，如图4中，将图形10设置在小波变换函数图像20中，所述采样区域为若干条边围成的封闭图形。小波变换的级数按照2的幂次展开，以最小尺寸为5μm为例，10级的小波变换可以采样的尺寸为5*210μm，也即是约边长为5000μm的正方形的范围。为了避免数据过大带来的计算复杂，对于超出所述正方形范围的区域，则可以进行分割，从而采用多处理器并行计算，可以提高效率。当然，在本实施例中的采用区域确定为边长约为5000μm的正方形的范围，依据实际情况，例如处理器功能、所需的采样率等的不同，采样区域还可以是其他范围。具体的，本实施例以二维哈尔小波变换为例进行计算，可以理解的是，二维哈尔小波变换相对其他小波变换较为简单，同时能够满足本专利技术的需要，因此本实施例中二维哈尔小波变换并不是限定了本专利技术的选择范围，其他种类的小波变换也能够运用在本专利技术中。具体的，在步骤S12中，沿图形边界扫描，建立小波变换索引。首先，如图5所示，建立正交基函数。所述正交基函数包括4个，分别为Ψ(0，0)，Ψ(1，0)，Ψ(0，1)，Ψ(1，1)。每个正交基函数接包括呈田字形的四个子块，每个子块为常数(+1或者-1)。然后，请参考图6，在小波变换函数图像20中，沿着图形边界30进行扫描，建立小波变换索引。这是考虑到小波变换在展开后，只有在图形边界处不为零，在中间部分，也即是对应着基函数Ψ(1，1)的区域，其值为0，因而可以删减Ψ(1，1)这一基函数。具体的，在步骤S13中，计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积，获得子块系数。如图7所示，以图形边界与基函数Ψ(1，0)相交处为例进行说明。可以首先计算出图形边界与基函数Ψ(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图形密度计算方法，包括：根据采样率确定图形的采样区域；沿图形边界扫描，建立小波变换索引；计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积，获得子块系数；根据子块系数构建各阶小波变换矩阵；将各阶小波变换矩阵依次相加，得到不同级次下的图形密度分布。

【技术特征摘要】
1.一种图形密度计算方法，包括：根据采样率确定图形的采样区域；沿图形边界扫描，建立小波变换索引；计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积，获得子块系数；根据子块系数构建各阶小波变换矩阵；将各阶小波变换矩阵依次相加，得到不同级次下的图形密度分布。2.如权利要求1所述的图形密度计算方法，其特征在于，所述小波变换为二维哈尔小波变换。3.如权利要求2所述的图形密度计算方法，其特征在于，在沿图形边界扫描，建立小波变换索引之前，建立正交基函数。4.如权利要求3所述的图形密度计算方法，其特征在于，所述正交基函数为Ψ(0，0)，Ψ(1，0)，Ψ(0，1)，Ψ(1，1)。5.如权利要求4所述的图形密度计算方法，其特征在于，在建立正交基函数之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：金晓亮，袁春雨，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31