准推挽源级跟随器制造技术

本实用新型专利技术涉及模拟集成电路技术领域，具体为一种准推挽源级跟随器，能够实现在不同的电源电压下电路带宽的稳定性，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，特征在于，所述晶体管M5的漏极与所述晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，所述电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。

Quasi push-pull source follower

The utility model relates to the field of the analog integrated circuit, in particular to a quasi push-pull source follower circuit can realize the stability of bandwidth at different supply voltages, which comprises a transistor M1, M2, M3, transistor transistor transistor transistor transistor M4, M5 and M6, and is characterized in that the drain of the transistor M6 the drain is connected to the connecting tube current M7 source of the M5 transistor, the gate current M7 tube connected to a reference voltage Vref2 and drain grounding.

【技术实现步骤摘要】
准推挽源级跟随器
本技术涉及模拟集成电路
，具体为一种准推挽源级跟随器。
技术介绍
随着光纤通信的发展，使得光纤传输的速度越来越快，对于LDD（激光器驱动器）的速度要求也是越来越快。源极跟随器是LDD的重要组成部分，主要是为驱动器提供高带宽速度。根据不同的应用条件，LDD需要工作在不同的电源电压下。而传统的电路工作在不同的电源电压下带宽速度是变化的，在高电压下带宽很高，而在低电压下带宽变小，导致LDD的工作速度不稳定。如图1所示，传统的准推挽源极跟随器，电路的带宽为：电路中的晶体管M5和晶体管M6栅极电压是随电压变化的。电压升高时，通过晶体管M5和晶体管M6的电流也增大，导致了晶体管M5和晶体管M6跨导gm5的增大。同时，流过晶体管M1和晶体管M2的电流也增大，跨导gm1也增大，而gm1-gm5也增大，电路的带宽也增大，结果如图3所示。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供了一种准推挽源级跟随器，其电路结构简单，能够实现在不同的电源电压下电路带宽的稳定性。其技术方案是这样的：一种准推挽源级跟随器，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，所述晶体管M1的源极和所述晶体管M2的源极相连后连接电源VDD，所述晶体管M1的栅极和所述晶体管M2的栅极均连接输入电压Vin，所述晶体管M1的漏极连接所述晶体管M3的源极、所述晶体管M5的源极，所述晶体管M2的漏极连接所述晶体管M4的源极、所述晶体管M6的源极，所述晶体管M3的栅极和所述晶体管M4的栅极相连后连接参考电压Vref1，所述晶体管M3的漏极和所述晶体管M4的漏极相连后接地，所述晶体管M5的源极与所述晶体管M6的栅极相连，所述晶体管M5的栅极与所述晶体管M6的源极相连，所述晶体管M5的源极与所述晶体管M6的源极为输出端Vout，其特征在于，所述晶体管M5的漏极与所述晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，所述电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。采用本技术的电路结构后，在栅极和漏极相互交叉的晶体管M5和晶体管M6下面加入电流管M7，电流管M7的栅极另外接一个参考电压Vref2，在不同的电源电压下电流管M7通过的电流是相同的，通过晶体管M5和晶体管M6的电流也是相同的，因此晶体管M5和晶体管M6的跨导gm5不变，流过晶体管M1和晶体管M2的电流也不变，晶体管M1和晶体管M2的跨导gm1也恒定，因此，gm1-gm5也不变，电路的带宽稳定不变，实现了在不同的电源电压下电路带宽的稳定，并且电路结构简单。附图说明图1为现有的准推挽源极跟随器；图2为本技术电路结构示意图；图3为现有的准推挽源极跟随器的电路带宽示意图；图4为本技术的电路带宽示意图。具体实施方式见图2，图4所示，一种准推挽源级跟随器，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，晶体管M1的源极和晶体管M2的源极相连后连接电源VDD，晶体管M1的栅极和晶体管M2的栅极均连接输入电压Vin，晶体管M1的漏极连接晶体管M3的源极、晶体管M5的源极，晶体管M2的漏极连接晶体管M4的源极、晶体管M6的源极，晶体管M3的栅极和晶体管M4的栅极相连后连接参考电压Vref1，晶体管M3的漏极和晶体管M4的漏极相连后接地，晶体管M5的源极与晶体管M6的栅极相连，晶体管M5的栅极与晶体管M6的源极相连，晶体管M5的源极与晶体管M6的源极为输出端Vout，其特征在于，晶体管M5的漏极与晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准推挽源级跟随器，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，所述晶体管M1的源极和所述晶体管M2的源极相连后连接电源VDD，所述晶体管M1的栅极和所述晶体管M2的栅极均连接输入电压Vin，所述晶体管M1的漏极连接所述晶体管M3的源极、所述晶体管M5的源极，所述晶体管M2的漏极连接所述晶体管M4的源极、所述晶体管M6的源极，所述晶体管M3的栅极和所述晶体管M4的栅极相连后连接参考电压Vref1，所述晶体管M3的漏极和所述晶体管M4的漏极相连后接地，所述晶体管M5的源极与所述晶体管M6的栅极相连，所述晶体管M5的栅极与所述晶体管M6的源极相连，所述晶体管M5的源极与所述晶体管M6的源极为输出端Vout，其特征在于，所述晶体管M5的漏极与所述晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，所述电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。

【技术特征摘要】
1.一种准推挽源级跟随器，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，所述晶体管M1的源极和所述晶体管M2的源极相连后连接电源VDD，所述晶体管M1的栅极和所述晶体管M2的栅极均连接输入电压Vin，所述晶体管M1的漏极连接所述晶体管M3的源极、所述晶体管M5的源极，所述晶体管M2的漏极连接所述晶体管M4的源极、所述晶体管M6的源极，所述晶体管M3的栅极和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张南阳，张仁富，李文亮，
申请(专利权)人：无锡思泰迪半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32