The utility model discloses a bicycle speed controller based on STM32 MCU, which relates to the technical field of bicycles, which at least comprises a STM32 microcontroller series; for motor current detection module detects the motor current signal for driving the motor; the operating condition of the motor drive module; MOS module; back EMF detection module; and a power module; wherein the MCU I/O port respectively with the motor current detection module, motor drive module, MOS driver module, back EMF detection module is electrically connected with the connection terminal of electric power; the power supply module and mcu. By adopting the technical scheme, the bicycle speed based on STM32 MCU controller can improve the stability of power bicycle speed; improve rider riding experience.
【技术实现步骤摘要】
基于STM32单片机的助力自行车车速调节控制器
本技术涉及助力自行车
,特别是涉及一种基于STM32单片机的助力自行车车速调节控制器。
技术介绍
目前,电动助力自行车从电机安装位置分为前置、中置和后置三种结构方式。助力模式分为为踏频助力模式和扭矩助力模式。踏频模式在上坡路面由于阻力增大,骑行者踏频减少导致电机输出功率也随之降低,坡路骑行困难;扭矩模式克服了坡路骑行的问题,但在正常骑行过程中,由于踏频过程中扭矩波动造成骑行速度随之成轻微正玄曲线震荡,骑行体验过程中能够感觉到时快时慢,车速不够稳定,因此,设计开发一种车速更加稳定的基于STM32单片机的助力自行车车速调节控制器显得是尤为重要。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是:提供一种基于STM32单片机的助力自行车车速调节控制器,该基于STM32单片机的助力自行车车速调节控制器能够提高助力自行车车速的稳定性。本技术为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:一种基于STM32单片机的助力自行车车速调节控制器,至少包括:STM32系列的单片机;用于检测电机电流信号的电机电流检测模块;用于驱动电机工作状态的电机驱动模块;MOS驱动模块;反向电动势检测模块;以及电源模块;其中:所述单片机的I/O端口分别与电机电流检测模块、电机驱动模块、MOS驱动模块、反向电动势检测模块电连接;所述电源模块与单片机的电源端子电连接。作为优选,本技术还采用了如下的附加技术特征:进一步:所述单片机的型号为STM32F103RBT6;所述电机电流检测模块包括第一放大器、第二放大器、第三放大器;所述第一放大器、第二放大器、第三放大 ...
【技术保护点】
一种基于STM32单片机的助力自行车车速调节控制器,其特征在于:至少包括:STM32系列的单片机;用于检测电机电流信号的电机电流检测模块;用于驱动电机工作状态的电机驱动模块;MOS驱动模块;反向电动势检测模块;以及电源模块;其中:所述单片机的I/O端口分别与电机电流检测模块、电机驱动模块、MOS驱动模块、反向电动势检测模块电连接;所述电源模块与单片机的电源端子电连接。
【技术特征摘要】
1.一种基于STM32单片机的助力自行车车速调节控制器,其特征在于:至少包括:STM32系列的单片机;用于检测电机电流信号的电机电流检测模块;用于驱动电机工作状态的电机驱动模块;MOS驱动模块;反向电动势检测模块;以及电源模块;其中:所述单片机的I/O端口分别与电机电流检测模块、电机驱动模块、MOS驱动模块、反向电动势检测模块电连接;所述电源模块与单片机的电源端子电连接。2.根据权利要求1所述的基于STM32单片机的助力自行车车速调节控制器,其特征在于:所述单片机的型号为STM32F103RBT6;所述电机电流检测模块包括第一放大器、第二放大器、第三放大器;所述第一放大器、第二放大器、第三放大器的型号为TS912A;所述电机驱动模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管;所述第一MOS管、第三MOS管、第五MOS管的源极与36V电源端子电连接;所述第二MOS管、第四MOS管、第六MOS管的漏极分别通过限压电阻接地;所述第一MOS管的漏极与第二M...
【专利技术属性】
技术研发人员:李珍昆,
申请(专利权)人:海贝天津科技有限责任公司,
类型:新型
国别省市:天津,12
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