The present invention relates to a bipolar transistor FET combination. A transistor switching device that exhibits relatively good voltage capability and relatively easy drive requirements to connect and disconnect devices. This reduces the transient drive current that may disturb other components.
【技术实现步骤摘要】
FET-双极晶体管组合
本公开涉及场效应晶体管和双极晶体管的组合。
技术介绍
通常需要能够切换相对高的电压,通常高达并在200伏特至300伏特范围内。实现这一目的的晶体管可以集成到具有较低电压处理和控制电路的集成电路封装中。在许多情况下,这种高电压晶体管与较低电压控制电路在同一晶片上是方便的和成本有效的。结果,非常期望在晶片的同一侧上形成到这种高电压晶体管的所有连接。在该电压范围内的开关应用包括电动机控制和逆变器,调光器,汽车开关,其中由于感性负载的瞬态电压可能发生,以及工业和家用电器中的整个电源电压相关的开关以及用于这样的电器的电源。开关通常可以通过高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等来完成。然而,通常希望由这种晶体管提供的驱动负载尽可能小,并且这往往是相对大的MOSFET的问题,因为尽管它们在栅极保持在恒定电压时,栅极具有相对大的电容,并且因此在晶体管开关期间流入和流出栅极的电流可导致大的瞬态电流流动,其可能扰乱其它电路的操作或者由于这样大的电流诱导的电源轨电压波动而引起其中的噪声。在选择交换技术时,其他考虑也成为一个因素。在较低电压开关范围内,高压MOSFET(例如,双扩散金属氧化物半导体(DMOS)晶体管)通常具有优于绝缘栅双极晶体管(IGBT)的竞争优势,其中IGBT随着电压增加超过700V至800V等而变得有利。
技术实现思路
根据本公开的第一方面,提供了一种电流流动控制设备,包括与半导体的隔离区域内部的场效应晶体管组合的双极晶体管。第一半导体区域由双极晶体管和场效应晶体管共享。这种布置可以允许场效应晶体管负责在关断状态下承载电流控 ...
【技术保护点】
一种电流流动控制设备,包括:双极晶体管;和与所述双极晶体管串联的场效应晶体管,其中所述双极晶体管和所述场效应晶体管设置在半导体的隔离区域内,其中所述双极晶体管被配置为将载流子注入所述场效应晶体管的耗尽区,以便接通所述场效应晶体管。
【技术特征摘要】
2015.11.10 US 14/937,6271.一种电流流动控制设备,包括:双极晶体管;和与所述双极晶体管串联的场效应晶体管,其中所述双极晶体管和所述场效应晶体管设置在半导体的隔离区域内,其中所述双极晶体管被配置为将载流子注入所述场效应晶体管的耗尽区,以便接通所述场效应晶体管。2.根据权利要求1所述的电流流动控制设备,进一步包括具有隔离栅极的驱动场效应晶体管,所述驱动场效应晶体管耦合到所述场效应晶体管和所述双极晶体管。3.根据权利要求2所述的电流流动控制设备,进一步包括:栅极端子,设置在所述电流流动控制设备的第一侧上并且连接到所述驱动场效应晶体管的所述隔离栅极;发射极端子,设置在所述电流流动控制设备的第一侧上并连接到所述双极晶体管;和集电极端子,设置在所述电流流动控制设备的第一侧上并且连接到所述场效应晶体管。4.根据权利要求2所述的电流流动控制设备,其中,所述驱动晶体管的源极电连接到所述双极晶体管的基极。5.根据权利要求1所述的电流流动控制设备,其中,所述场效应晶体管包括形成在沟槽内的栅极,所述栅极被布置为将所述栅极与所述双极晶体管隔离。6.根据权利要求1所述的电流流动控制设备,其,中所述双极晶体管具有大于50的增益。7.一种电流流动控制设备,包括:在半导体的隔离区域内与场效应晶体管串联组合的双极晶体管;和具有形成在沟槽内的栅极的驱动场效应晶体管,其被布置为将驱动场效应晶体管的栅极与双极晶体管隔离。8.根据权利要求7所述的电流流动控制设备,其中所述电流流动控制设备是三端子设备,其具有连接到所述双极晶体管的发射极区域的第一端子,连接到所述场的漏极区域的第二端子以及控制端子,连接到所述驱动场效应晶体管的栅极,以控制通过所述电流流动控制设备的电流,并且其中所述三个端子设置在所述电流流动控制设备的同一侧。9.根据权利要求7所述的电流流动控制设备,其中,所述电流流动控制设备在所述隔离区域内竖直地形成,并且所述场效应晶体管的漏极区域在所述电流流动控制设备的最下部分中形成在所述电流流动控制设备的表面具有用于连接到所述电流流动控制设备的端子。10.根据权利要求9所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员:E·J·考尼,
申请(专利权)人:亚德诺半导体集团,
类型:发明
国别省市:百慕大群岛,BM
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