【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于使用铁磁材料调节磁场分布的系统和方法
本专利技术一般性地涉及无线功率。更具体地,本公开针对于使用铁磁材料来调节无线功率发射器所生成的磁场的分布。
技术介绍
越来越多数目和种类的电子设备经由可充电电池被供电。这样的设备包括移动电话、便携式音乐播放器、膝上型计算机、平板计算机、计算机外围设备、通信设备(例如,蓝牙设备)、数字相机、助听器等。虽然电池技术已经改进,但是电池供电的电子设备越来越需要并消耗更大量的功率,因此经常需要充电。可充电设备经常通过物理连接到电源的电缆或其他类似连接器而经由有线连接被充电。电缆和类似连接器有时可能是不方便的或繁琐的,并且具有其他缺点。无线充电系统可以克服有线充电解决方案的一些缺陷,其能够在自由空间中传送功率以被用于对可充电电子设备充电或者向电子设备提供功率。均匀磁场可以在无线功率发射器中提供更好的性能,这归因于无线功率发射器的功率放大器的输出上的更小的阻抗变化。如此,用于调节磁场分布以改进场均匀性的系统和方法在无线功率传送系统是合意的。
技术实现思路
所附权利要求的范围之内的系统、方法和设备的各种实施方式均具有若干方面,其中没有单个方面唯一地负责本文描述的合意属性。不限制所附权利要求的范围,一些突出特征在本文中被描述。这一说明书中所描述的主题的一种或多种实施方式的细节在附图和下文描述中被阐述。其他特征、方面和优点从描述、附图和权利要求来看将变得明显。注意,以下附图的相对尺寸可能没有按比例绘制。本公开的一个方面提供了一种用于无线功率传送的设备。该设备包括被配置为生成磁场的基本上平面的发射天线。该设备还包括具有充电表面的衬垫。发射天 ...
【技术保护点】
一种用于无线功率传送的设备,包括:基本上平面的发射天线,被配置为生成磁场;具有充电表面的衬垫,所述发射天线的至少一部分被设置在所述衬垫中;以及具有形状和相对于所述发射天线的位置的铁磁材料,所述铁磁材料的所述形状或所述位置中的至少一项或者它们的组合被选择以修改所述充电表面处的所述磁场的分布。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.05 US 14/478,4611.一种用于无线功率传送的设备,包括:基本上平面的发射天线,被配置为生成磁场;具有充电表面的衬垫,所述发射天线的至少一部分被设置在所述衬垫中;以及具有形状和相对于所述发射天线的位置的铁磁材料,所述铁磁材料的所述形状或所述位置中的至少一项或者它们的组合被选择以修改所述充电表面处的所述磁场的分布。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料的磁导率被选择以修改所述充电表面处的所述磁场的所述分布。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料的所述形状或所述位置中的至少一项或者它们的组合被选择以增大所述充电表面处的所述磁场的所述分布的均匀性。4.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料的所述形状或所述位置中的至少一项或者它们的组合被选择以减小所述充电表面处的最大磁场强度值与最小磁场强度值之间的差异,以修改所述充电表面处的所述磁场的所述分布。5.根据权利要求1所述的设备,其中所述发射天线的至少一部分被定位在所述铁磁材料与所述充电表面之间的平面上,并且其中所述铁磁材料被配置为减小与所述充电表面相对的方向上的所述磁场的强度。6.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料的至少一部分被定位在所述发射天线与所述充电表面之间的平面上。7.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料包括第一铁磁部分和第二铁磁部分,所述第一铁磁部分被定位在所述发射天线与所述充电表面之间的第一平面上,所述第二铁磁部分被定位在所述发射天线和所述充电表面下方的第二平面上,所述发射天线被定位在所述第一铁磁部分与所述第二铁磁部分之间的第三平面上。8.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料包括具有第一磁导率的第一铁磁部分和具有第二磁导率的第二铁磁部分,所述第一磁导率不同于所述第二磁导率。9.根据权利要求1所述的设备,其中所述发射天线包括多个匝,并且其中所述铁磁材料被定位在所述多个匝之间。10.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料包括一个或多个孔。11.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料的厚度是不均匀的。12.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料的所述形状具有至少一个弯曲。13.根据权利要求1所述的设备,其中所述铁磁材料与所述充电表面被隔开以便在其间提供间隙。14.一种用于无线功率传送的方法,包括:在基本上平面的发射天线处生成磁场,所述发射天线的至少一部分被设置在衬垫中;以及使用铁磁材料来修改所述衬垫的充电表面处的所述磁场的分布,所述铁磁材料具有形状并且相对于所述发射天线被定位。15.根据权利要求14所述的方法,其中修改所述充电表面处的所述磁场的分布包括:选择所述铁磁材料的磁导率。16.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·奈贾塔里,F·卡罗博兰特,R·茨恩,ML·奇,郑胜宪,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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