湿膜处理装置、系统和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种湿膜处理装置、系统和方法，该湿膜处理装置包括一密封腔体，该密封腔体包括底部和气体接入口，底部设置有至少一个通孔，用于将通入该气体接入口的气体从密封腔体内排出至待处理湿膜表面；该湿膜处理装置还包括一超声发生器，该超声发生器固定地设置于密封腔体内，该超声发生器发出的超声振动经由密封腔体和上述气体传递至待处理湿膜。该湿膜处理装置解决了现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题，实现了提高湿膜干燥成膜后膜层的均匀性和提高发光器件的发光质量的效果。

Wet film treatment apparatus, system and method

The present invention provides a system and method for processing device, wet film, the wet film processing device includes a sealed cavity, the seal cavity includes a bottom and bottom gas inlet is provided with at least one hole for gas passes through the gas inlet from the sealed cavity is discharged to the surface of the wet film to be treated; the wet film processing device also comprises an ultrasonic generator, the ultrasonic generator is fixedly arranged in the sealed cavity, the ultrasonic generator in ultrasonic vibration through the seal cavity and the gas to be transferred to the processing of wet film. The wet film treatment device solves the problem that the uniformity of the film layer of the light-emitting device produced by the prior art is poor, and the effect of improving the uniformity of the film layer after the wet film drying and improving the luminous quality of the light-emitting device is realized.

【技术实现步骤摘要】
湿膜处理装置、系统和方法
本专利技术涉及光学
，具体而言，涉及一种湿膜处理装置、系统和方法。
技术介绍
QLED(量子点发光二极管)器件一般包括多层结构，如阴极、电子注入层、电子传输层、量子点层、空穴传输层、空穴注入层、阳极、以及其他一些功能层，各个膜层都比较薄，其制作是整个QLED器件制作的关键步骤，均匀平整的膜层的制备(尤其是量子点膜层的制备)是QLED器件具有良好发光性能的保障，但实际在喷墨打印制备的各个膜层的过程中，常会出现墨滴在被打印到基板上后分布不均匀的现象，以打印量子点墨水为例，湿膜干燥成膜后量子点层表面常会出现褶皱、或者出现中间厚边缘薄的现象，并且由于量子点墨水中的溶剂挥发速度很快，使得量子点墨水在像素坑中还没完全铺展开时，就已经干燥定形，这无疑更加剧了量子点墨水的不均匀程度，同样的问题也出现于其他膜层的制备中，这些都严重影响了最终QLED器件的发光质量。因此，通过喷墨打印得到的湿膜不均匀问题亟待解决。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种湿膜处理装置、系统和方法，以解决现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种湿膜处理装置，该湿膜处理装置包括：一密封腔体，所述密封腔体包括底部和气体接入口，所述底部设置有至少一个通孔，用于将通入所述气体接入口的气体从所述密封腔体内排出至待处理湿膜表面；一超声发生器，所述超声发生器固定地设置于所述密封腔体内，所述超声发生器发出的超声振动经由所述密封腔体和所述气体传递至所述待处理湿膜。进一步地，所述通孔中的至少一个还用于将从所述密封腔体排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。进一步地，所述湿膜处理装置内还设置有一个或多个第一抽气口，用于将从所述密封腔体排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。进一步地，所述第一抽气口设置于所述湿膜处理装置的底部。进一步地，所述底部为平面结构，所述第一抽气口位于所述底部的第一区域，所述通孔位于所述底部的第二区域，所述第一区域环绕在所述第二区域的外侧。进一步地，所述超声发生器对应设置于所述底部的通孔的上方。进一步地，所述通孔包括多个，优选所述通孔在所述底部成蜂窝结构排列。进一步地，所述湿膜处理装置还包括：离子发生器，设置于所述密封腔体内或与进气管道连接，用于使流经所述密封腔体的所述气体携带正和/或负电荷，其中，所述进气管道与所述气体接入口连接。进一步地，所述湿膜处理装置还包括：溶剂储液装置，设置于所述密封腔体内或与进气管道连接，用于为所述待处理湿膜提供气态溶剂，其中，所述进气管道与所述气体接入口连接。为了实现上述目的，根据本专利技术的另一个方面，提供了一种湿膜处理系统，该湿膜处理系统包括：载物平台，所述载物平台的上表面用于承载具有待处理湿膜的基板；上述的湿膜处理装置，设置于所述载物平台上的所述待处理湿膜上方位置。进一步地，所述湿膜处理系统为在密封[除了王兵提的都设置在密封腔体内之外，没有更好地想法，如果要加这个密封腔体的话，可如下，我认为是公知的，没有必要：进一步地，所述湿膜处理系统还包括：密封罩，所述密封罩具有容纳所述湿膜处理装置和所述载物平台的密封空间。]环境下工作，所述载物台的第三区域上设置有一个或多个第二抽气口，其中，所述载物台表面包括所述第三区域和用于放置所述基板的第四区域。为了实现上述目的，根据本专利技术的再一个方面，提供了一种湿膜处理方法，该湿膜处理方法包括：在载物平台的基板上设置墨水，所述基板上形成待处理湿膜；对所述待处理湿膜进行气体吹扫，并在所述待处理湿膜上方以所述气体为传递介质对所述待处理湿膜进行超声振动处理。进一步地，在对所述待处理湿膜进行气体吹扫，并在所述待处理湿膜上方以所述气体为传递介质对所述待处理湿膜进行超声振动处理之前，所述湿膜处理方法还包括：对气体进行负离子处理，得到带有正/负电荷的所述气体；对所述待处理湿膜进行气体吹扫包括：将所述带有正/负电荷的气体通入所述待处理湿膜的上方空间，以减少所述待处理湿膜的表面离子量。进一步地，对所述待处理湿膜进行气体吹扫包括：控制所述气体在距离所述待处理湿膜表面0.2mm至5mm的上方对所述待处理湿膜吹扫。进一步地，在对所述待处理湿膜进行气体吹扫，并在所述待处理湿膜上方以所述气体为传递介质对所述待处理湿膜进行超声振动处理之后，所述湿膜处理方法还包括：将吹扫后的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。进一步地，在对所述待处理湿膜进行气体吹扫，并在所述待处理湿膜上方以所述气体为传递介质对所述待处理湿膜进行超声振动处理同时，所述湿膜处理方法还包括：根据所述墨水中的溶剂种类准备同种溶剂；控制所述气体与气态的所述同种溶剂混合，以获得具有所述同种溶剂的气体；对所述待处理湿膜进行气体吹扫包括：将具有所述同种溶剂的气体通入所述待处理湿膜的上方空间。应用本专利技术的技术方案，提供了一种湿膜处理装置，该湿膜处理装置包括一密封腔体和一超声发生器，由于该密封腔体包括底部和气体接入口，其底部设置有至少一个通孔，从而可以将从气体接入口通入到密封腔体内的气体从该密封腔体内排出至待处理湿膜表面，并且该超声发生器固定地设置于密封腔体内，从而该超声发生器发出的超声振动可以经由密封腔体和气体传递至待处理湿膜，进而该待处理湿膜可在该超声振动的作用下，内部材料分布更加均匀，提高了湿膜干燥成膜后膜层的均匀性，解决了现有技术制作的发光器件膜层均匀性差的问题，实现了提高发光器件的发光质量的效果。另外，由于是在湿膜上方非接触的处理该待处理湿膜，避免了对其下面的其他制作好的膜层的损坏，保证了各个膜层的均匀性和完整度。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本专利技术作进一步详细的说明。附图说明构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示出了本专利技术实施方式所提供的湿膜处理装置的剖面结构示意图；图2示出了本专利技术实施方式所提供的湿膜处理装置的底部结构示意图；图3示出了本专利技术实施方式所提供的湿膜处理系统的基板上的第二抽气口的示意图；图4示出了利用本专利技术实施例1所提供的湿膜处理装置处理后的膜层轮廓的示意图；以及图5示出了利用本专利技术对比例1所提供的湿膜处理装置处理后的膜层轮廓的示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：20、密封腔体；21、气体接入口；211、进气管道；22、底部；221、通孔；222、第一抽气孔；223、第二抽气口；224、第一区域；225、第二区域；23、抽气管道；24、离子发生器；26、溶剂储液装置；40、超声发生器；60、载物平台；602、第三区域；603、第四区域；62、基板；64、待处理湿膜；80、支撑结构；100、湿膜处理装置。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿膜处理装置，其特征在于，包括：一密封腔体(20)，所述密封腔体(20)包括底部(22)和气体接入口(21)，所述底部(22)设置有至少一个通孔(221)，用于将通入所述气体接入口(21)的气体从所述密封腔体(20)内排出至待处理湿膜表面；一超声发生器(40)，所述超声发生器(40)固定地设置于所述密封腔体(20)内，所述超声发生器(40)发出的超声振动经由所述密封腔体(20)和所述气体传递至所述待处理湿膜。

【技术特征摘要】
1.一种湿膜处理装置，其特征在于，包括：一密封腔体(20)，所述密封腔体(20)包括底部(22)和气体接入口(21)，所述底部(22)设置有至少一个通孔(221)，用于将通入所述气体接入口(21)的气体从所述密封腔体(20)内排出至待处理湿膜表面；一超声发生器(40)，所述超声发生器(40)固定地设置于所述密封腔体(20)内，所述超声发生器(40)发出的超声振动经由所述密封腔体(20)和所述气体传递至所述待处理湿膜。2.根据权利要求1所述的湿膜处理装置，其特征在于，所述通孔(221)中的至少一个还用于将从所述密封腔体(20)排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。3.根据权利要求1所述的湿膜处理装置，其特征在于，所述湿膜处理装置内还设置有一个或多个第一抽气口(222)，用于将从所述密封腔体(20)排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。4.根据权利要求3所述的湿膜处理装置，其特征在于，所述第一抽气口(222)设置于所述湿膜处理装置的底部(22)。5.根据权利要求4所述的湿膜处理装置，其特征在于，所述底部(22)为平面结构，所述第一抽气口(222)位于所述底部(22)的第一区域(224)，所述通孔(221)位于所述底部(22)的第二区域(225)，所述第一区域(224)环绕在所述第二区域(225)的外侧。6.根据权利要求1所述的湿膜处理装置，其特征在于，所述超声发生器(40)对应设置于所述底部(22)的通孔(221)的上方。7.根据权利要求1所述的湿膜处理装置，其特征在于，所述通孔(221)包括多个，优选所述通孔(221)在所述底部(22)成蜂窝结构排列。8.根据权利要求1至7中任一项所述的湿膜处理装置，其特征在于，所述湿膜处理装置还包括：离子发生器(24)，设置于所述密封腔体(20)内或与进气管道(211)连接，用于使流经所述密封腔体(20)的所述气体携带正和/或负电荷，其中，所述进气管道(211)与所述气体接入口(21)连接。9.根据权利要求1至7中任一项所述的湿膜处理装置，其特征在于，所述湿膜处理装置还包括：溶剂储液装置(26)，设置于所述密封腔体(20)内或与进气管道(211)连接，用于为所述待处理湿膜提供气态溶剂，其中，所述进气管道(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兵，杜勇，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33