一种KU频段PCB电路结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种KU频段KZN8TPLL PCB电路结构，其组成包括：集成电路，所述的集成电路分别与信号输出和电源输出端口、低噪声放大器电性连接，所述的集成电路采用RT320。该KU频段KZN8TPLL PCB电路结构采用新颖的电路设计思路，替代了传统的电路布局，产品稳定性和可靠性高，比传统设计的PCB所需元件更少，人工操作工序更简单，节约人工成本。频率锁相精准，无需人工操作调谐本地振荡频率。

KU band PCB circuit structure

The utility model discloses a KU band KZN8TPLL PCB circuit structure, which is composed of integrated circuit, the integrated circuit is respectively connected with the signal output and power output, low noise amplifier is electrically connected with the integrated circuit by using RT320. The KU band KZN8TPLL PCB circuit structure of the circuit design novel, instead of the traditional circuit layout, stability and reliability of the product is high, compared with the traditional design of the PCB components required less manual operation procedures more simple, saving labor costs. Frequency locking is accurate, no need to manually adjust the local oscillator frequency.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及KKU频段PCB电路结构
，具体为一种KU频段PCB电路结构。
技术介绍
LNB(lownoiseblockdownconverter)就是低噪声降频放大器，它由混频器、本机振荡器构成。LNB一般可分为C频段LNB(3.4GHZ-4.2GHZ)和KU频段LNB(10.7GHZ-12.75GHZ)。因卫星全部信号在抵达天线前已相当微弱及同轴电缆传输的频率越高信号损耗越大，所以才需要LNB来放大，同时还不能过多地恶化信噪比。LNB的工作流程就是先将卫星高频信号放大，再利用本地振荡电路将高频卫星信号转换至中频950MHZ-2150MHZ(依LNB种类决定中频范围)并再一次放大，以利于同轴电缆的传输及卫星接收机的解调和工作。它是由微波低噪声放大器，微波混频器，第一本振和第一中频前置放大器组成，一般分C波段用的C头,和偏馈使用的KU头，LNB上都会有探针，电路对这个探针检测到的卫星下行信号进行低噪声放大和下变频处理，产生950-2150MHZ带宽的第一中频信号经过馈线输送到数字调谐解调器。它实际上是天线的心脏,它主要是个共鸣腔,用来接收经天线面反射聚焦的信号,然后再进行处理。它就像一段喉管，通过震荡，经由极性探针把无线电波的能量转换为电信号。附加的电路把这些电信号在送入电缆之前进行放大，而且为了减少电缆传输中的信号损失，又将它们转换成较低的频率。即使在各种类型之间有很大的不同,但现在绝大多数类型的LNB都使用相同的技术，其主要的区别是噪声指标。理论上，它现在能够最低减少到0.9dB。全KU波段LNB被分为两段频率范围,这多被用于欧洲。传统的LNB外形体积大，PC板元件多，面积大，浪费资源；加工制造工序复杂，人力成本过高。随着科学技术的发展，IC的集成度和人们对图像的解析度要求越来越高，并且市场的竞争愈来愈烈。研发新一代更加小型化，制造工艺更为简单的LNB是必然趋势。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种KU频段PCB电路结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种KU频段PCB电路结构电路结，其组成包括：集成电路，所述的集成电路分别与信号输出和电源输出端口、低噪声放大器电性连接，所述的集成电路采用RT320。优选的，所述的KU频段PCB电路结构，所述的集成电路集成VCO压控振荡器、PLL锁相环、miser混频器一、miser混频器二、交换机、电压探测器、场效应晶体管探测器，所述的miser混频器一和miser混频器二的输出端通过一组并联的放大器与交换机电性连接，所述的miser混频器一和miser混频器二之间通过OSC电路电性连接。优选的，所述的KU频段PCB电路结构，所述的低噪声放大器包括CKRF3513第一极低噪声放大器和CKRF7513第二极低噪声放大器，所述的CKRF7513第二极低噪声放大器输入端与CKRF3513第一极低噪声放大器电性连接，所述的CKRF3513第一极低噪声放大器输入端与H极化信号输入端口电性连接，所述的CKRF3513第一极低噪声放大器和CKRF7513第二极低噪声放大器的输入端与场效应晶体管探测器电性连接，所述的CKRF7513第二极低噪声放大器通过放大器与miser混频器连接。优选的，所述的KU频段PCB电路结构，所述的交换机通过放大器与信号输出和电源输出端口和电压探测器电性连接，所述的OSC电路包括HBOSC电路和LBOSC电路，所述的括HBOSC电路和LBOSC电路并联布置，所述的HBOSC电路与PLL锁相环电性连接。优选的，所述的KU频段PCB电路结构，所述的电压探测器为四组，所述的信号输出和电源输出端口为四组，所述的交换机采用4*2矩阵交换机。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该KU频段PCB电路结构采用新颖的电路设计思路，替代了传统的电路布局，产品稳定性和可靠性高，比传统设计的PCB所需元件更少，人工操作工序更简单，节约人工成本。频率锁相精准，无需人工操作调谐本地振荡频率。附图说明图1为本技术结构示意图。图2为本技术电路图。图中：1、H极化信号输入端口，2、PLL锁相环，3、场效应晶体管探测器，4、miser混频器一，5、集成电路，6、交换机，7、信号输出和电源输出端口，8、电压探测器，9、放大器，10、LBOSC电路，11、miser混频器二，12、HBOSC电路，13、CKRF3513第一极低噪声放大器，14、CKRF7513第二极低噪声放大器。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种KU频段PCB电路结构，其组成包括：集成电路5，集成电路5分别与信号输出和电源输出端口7、低噪声放大器电性连接，集成电路5采用RT320，集成电路5成VCO压控振荡器、PLL锁相环2、miser混频器一4、miser混频器二11、交换机6、电压探测器8、场效应晶体管探测器3，miser混频器一4和miser混频器二11的输出端通过一组并联的放大器9与交换机6电性连接，miser混频器一4和miser混频器二11之间通过OSC电路电性连接，低噪声放大器包括CKRF3513第一极低噪声放大器13和CKRF7513第二极低噪声放大器14，CKRF7513第二极低噪声放大器14输入端与CKRF3513第一极低噪声放大器13电性连接，CKRF3513第一极低噪声放大器13输入端与H极化信号输入端口1电性连接，CKRF3513第一极低噪声放大器13和CKRF7513第二极低噪声放大器14的输入端与场效应晶体管探测器3电性连接，CKRF7513第二极低噪声放大器14通过放大器与miser混频器，交换机6通过放大器9与信号输出和电源输出端口7和电压探测器8电性连接，OSC电路包括HBOSC电路12和LBOSC电路10，括HBOSC电路12和LBOSC电路10并联布置，HBOSC电路12与PLL锁相环2电性连接，电压探测器8为四组，信号输出和电源输出端口7为四组，交换机6采用4*2矩阵交换机。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种KU频段PCB电路结构，其组成包括：集成电路(5)，其特征是：所述的集成电路(5)分别与信号输出和电源输出端口(7)、低噪声放大器电性连接，所述的集成电路(5)采用RT320。

【技术特征摘要】
1.一种KU频段PCB电路结构，其组成包括：集成电路(5)，其特征是：所述的集成电路(5)分别与信号输出和电源输出端口(7)、低噪声放大器电性连接，所述的集成电路(5)采用RT320。2.根据权利要求1所述的KU频段PCB电路结构，其特征是：所述的集成电路(5)成VCO压控振荡器、PLL锁相环(2)、miser混频器一(4)、miser混频器二(11)、交换机(6)、电压探测器(8)、场效应晶体管探测器(3)，所述的miser混频器一(4)和miser混频器二(11)的输出端通过一组并联的放大器(9)与交换机(6)电性连接，所述的miser混频器一(4)和miser混频器二(11)之间通过OSC电路电性连接。3.根据权利要求1或2所述的KU频段PCB电路结构，其特征是：所述的低噪声放大器包括CKRF3513第一极低噪声放大器(13)和CKRF7513第二极低噪声放大器(14)，所述的CKRF7513第二极低噪声放大器(14)输入端与CKRF35...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭印，
申请(专利权)人：普视达惠州电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44