一种触控面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种触控面板及其制作方法，属于平板显示技术领域。本发明专利技术包括一基板，其至少具有第一表面，第一表面至少包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的至少一侧；第一电极层，其形成于第一区域所在的第一表面上，第一电极层包括至少一条第一电极串列，第一电极串列沿第一方向排列；第二电极层，其形成于第一电极层上，第二电极层包括至少一条第二电极串列，第二电极串列沿第一方向排列，第二电极层还包括至少一条第三电极串列，第三电极串列沿第二方向排列；第一电极串列与第二电极串列重合，第一电极串列与第三电极串列交叉绝缘设置；本发明专利技术还包括该触控面板的制作方法。本发明专利技术电阻低，制作工序简便且节省成本，外观效果佳。

Touch control panel and manufacturing method thereof

The invention discloses a touch control panel and a manufacturing method thereof, belonging to the technical field of flat panel display. The present invention includes a substrate having at least a first surface, the first surface includes at least first and second regions, at least one side of the second area is located in the first region; a first electrode layer, which is formed on the first surface of the first region is located on the first electrode layer comprises at least one first electrode series, first electrode series are arranged along a first direction second; the electrode layer is formed on the first electrode layer, a second electrode layer includes at least a second electrode series, second electrode tandem arranged along the first direction, the second electrode layer also includes at least a third electrode series, third electrode tandem arranged along the second direction; the first electrode and the second electrode tandem tandem tandem coincidence, the first electrode and the third electrode tandem cross insulation set; manufacturing method of the invention includes the touch panel. The invention has the advantages of low resistance, simple manufacture process, low cost and good appearance effect.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板显示
，尤其涉及一种触控面板及其制作方法。
技术介绍
G+G电容屏有主要是有下部的传感器玻璃层即触控面板和上部盖板两个部分组成。其上部盖板通常为钢化玻璃，表面非常坚硬，硬度可以达到8H以上，表面耐腐蚀，同时透光率高达91％以上，高透过率对显示画面影响小，且操控手感滑顺。G+G电容屏下部的传感器玻璃层，即触控面板通常采用ITO架桥技术，一般为氧化铟锡在高温环境下两次真空溅射镀膜形成两层绝缘交叉的ITO(氧化铟锡)层作为触控电极层，在上述两层触控电极层之间光刻胶上光刻ITO架桥图案得到ITO层。上述传统工艺中使用的氧化铟锡，两次镀膜必须在高温条件下进行，生产条件要求高，且蚀刻触控电极图案的过程中，第二次镀膜的电极层中非电极串列的部分需全部蚀刻掉，因为在蚀刻在架桥层(第一绝缘层)上的ITO时易产生过刻问题，尤其在第二电极层氧化铟锡厚度较厚时(即电阻较低时)特别严重，从而可能导致产品良率低下。当前为满足驱动IC的要求，ITO电阻值应选用更小的电阻值。另外,过刻还导致ITO图形边缘过渡区变大(即ITO图形端面斜面坡角较小)，边缘过渡区大导致ITO图形虚边严重从而使得ITO图形外观明显。因此，当前急需一种能制作电阻值更小、不使用高温镀膜、ITO图形边缘过渡区小、ITO图形外观更佳的触控面板及其制作方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种本专利技术提供一种能制作电阻值更小、不使用高温镀膜、ITO边缘过渡区小、ITO图形外观更佳的触控面板及其制作方法。为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：根据本专利技术的一个方面，提供的一种触控面板，其至少包括：一基板，该基板至少具有第一表面，该第一表面至少包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的至少一侧；第一电极层，其形成于第一区域所在的第一表面上，第一电极层包括至少一条第一电极串列，第一电极串列沿第一方向排列；第二电极层，其形成于第一电极层上，第二电极层包括至少一条第二电极串列，第二电极串列沿第一方向排列，第二电极层还包括至少一条第三电极串列，第三电极串列沿第二方向排列；第一电极串列与第二电极串列重合，第一电极串列与第三电极串列交叉绝缘设置。优选地，本专利技术提供的触控面板中，第一电极层由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下完成镀膜并蚀刻形成第一图案；第二电极层由非结晶态氧化铟锡室温在基片温度不大于100摄氏度条件下完成镀膜形成，再通过弱酸蚀刻液蚀刻第二电极层形成第二图案再后经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火，形成第二电极串列与第三电极串列，形成的第二电极层是与第一电极层性能相同、相近的第二电极层电极图形，蚀刻液不改变第一图案镀膜形成第一电极层以及第二电极层所选用的导电材料均为低电阻导电材料，优选地，镀膜所选用的氧化铟锡以及非结晶态氧化铟锡的电阻值-方块电阻至多为20欧姆。进一步的，本专利技术提供的触控面板中，第一电极层与第二电极层之间设置有第一绝缘层，第二电极层上形成有第二绝缘层；第一绝缘层包括至少一个绝缘块，第一电极串列与第三电极串列交叉处通过该绝缘块绝缘；第二电极层经蚀刻液蚀刻后，第二电极串列在绝缘块处断开连接并与第一电极串列重合。进一步的，本专利技术提供的触控面板中，第一电极层与第一绝缘层之间还设置有第一引线层，第一引线层从第一电极串列上引出，并延伸至第二区域；第二电极层与第二绝缘层之间还设置有第二引线层，第二引线层从第三电极串列上引出，并延伸至第二区域。优选地，本专利技术提供的触控面板中，基板的第一表面上方的第二绝缘层上设置一盖板，盖板覆盖基板。进一步的，本专利技术提供的触控面板中，上述盖板与第二绝缘层之间设置有光学功能层，光学功能层由氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅或其他的无机氧化物层中的至少一种沉积而成。此外，本专利技术还有必要提供一种上述触控面板的制作方法，其至少包括以下步骤：提供一基板，基板至少具有第一表面，该第一表面至少包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的至少一侧；提供第一电极层，第一电极层由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下镀膜并蚀刻形成第一图案于第一区域所在的第一表面上，第一电极层包括至少一条第一电极串列，第一电极串列沿第一方向排列；提供第二电极层，第二电极层由非结晶态氧化铟锡在基片温度不大于100摄氏度条件下完成镀膜形成于第一电极层上，第二电极层通过蚀刻液蚀刻第二电极层形成第二图案再经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火形成第二电极串列与第三电极串列，第二电极串列沿第一方向排列，第三电极串列沿第二方向排列，形成的第二电极层是与第一电极层性能相同、相近的第二电极层电极图形，蚀刻液不改变第一图案；使第一电极串列与第二电极串列重合，第一电极串列与第三电极串列交叉绝缘设置。优选地，本专利技术提供的面板结构制作方法中，制作方法还包括：提供第一绝缘层，第一绝缘层设置于第一电极层与第二电极层之间；第一绝缘层包括至少一个绝缘块，第一电极串列与第三电极串列交叉处通过该绝缘块绝缘；第二电极层经蚀刻液蚀刻后，使得第二电极串列在绝缘块处断开连接并与第一电极串列重合；提供第二绝缘层，第二绝缘层形成于第二电极层上。进一步的，本专利技术提供的面板结构制作方法中，制作方法还包括：提供第一引线层，其形成于第一电极层与第一绝缘层之间，将第一引线层从第一电极串列上引出，并延伸至第二区域；提供第二引线层，其形成于第二电极层与第二绝缘层之间，将第二引线层从第三电极串列上引出，并延伸至第二区域。优选地，本专利技术提供的面板结构制作方法中，制作方法还包括：提供一光学功能层，使其沉积于第二电极层上，该光学功能层由氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅或其他的无机氧化物层中的至少一种组成。本专利技术提供的面板结构及其制作方法中，由于选用非结晶态氧化铟锡作为第二电极层的材料，在基片温度不大于100摄氏度条件下进行第二电极层的镀膜，其与第一电极串列重合的部分通过蚀刻液蚀刻后并不会因此蚀刻掉，而是与第一电极串列迭加，形成并联电阻，第一电极层与第二电极层都可选用低电阻材料，二者并联后的电阻更低，更符合驱动IC的运行要求，再经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火固定，重合部分的第二电极串列不用被蚀刻掉，反而有更佳的效果，简化了制作工序，同时节约了生产成本。利用蚀刻液对非结晶态氧化铟锡在在基片温度不大于100摄氏度条件下形成的第三电极串列在绝缘块上的部分进行蚀刻效果干净，并可解决蚀刻速率过快导致ITO层上的导电图形残缺的问题，第二电极层经蚀刻后得到的图形边缘过渡区小，端面斜面坡度大，ITO外观不明显。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中：图1为本专利技术提供的一优选实施例的触控面板的截面示意图；图2为图1所示的优选实施例的触控面板的示意图；图3为图2所示的优选实施例的触控面板的A处的放大后示意图；图4为图1触控面板的制作方法的流程示意图。具体实施方式为说明本专利技术提供的触控面板及其制作方法，以下结合说明书附图及文字说明进行详细阐述。参考图1与图2，图1为本专利技术提供的一优选实施例的触控面板的截面示意图，图2为图1所示的优选实施例的触控面板的示意图。本专利技术提供的触控面板至少包括一基板10，基板10可选用透明材料如玻璃、树脂制成，也可优选使用钢化玻璃。基板10至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控面板，其特征在于，所述触控面板至少包括：一基板，所述基板至少具有第一表面，所述第一表面至少包括第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一区域的至少一侧；第一电极层，其形成于所述第一区域所在的所述第一表面上，所述第一电极层包括至少一条第一电极串列，所述第一电极串列沿第一方向排列；第二电极层，其形成于所述第一电极层上，所述第二电极层包括至少一条第二电极串列，所述第二电极串列沿所述第一方向排列，所述第二电极层还包括至少一条第三电极串列，所述第三电极串列沿第二方向排列；所述第一电极串列与所述第二电极串列重合，所述第一电极串列与所述第三电极串列交叉绝缘设置。

【技术特征摘要】
1.一种触控面板，其特征在于，所述触控面板至少包括：一基板，所述基板至少具有第一表面，所述第一表面至少包括第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一区域的至少一侧；第一电极层，其形成于所述第一区域所在的所述第一表面上，所述第一电极层包括至少一条第一电极串列，所述第一电极串列沿第一方向排列；第二电极层，其形成于所述第一电极层上，所述第二电极层包括至少一条第二电极串列，所述第二电极串列沿所述第一方向排列，所述第二电极层还包括至少一条第三电极串列，所述第三电极串列沿第二方向排列；所述第一电极串列与所述第二电极串列重合，所述第一电极串列与所述第三电极串列交叉绝缘设置。2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极层由氧化铟锡在基片温度不小于200摄氏度条件下完成镀膜并蚀刻形成第一图案；所述第二电极层由非结晶态氧化铟锡在基片温度不大于100摄氏度条件下完成镀膜，再通过蚀刻液蚀刻第二电极层形成第二图案再经在基片温度不小于200摄氏度条件下退火形成所述第二电极串列与所述第三电极串列，所述蚀刻液不改变所述第一图案。3.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极层与所述第二电极层之间设置有第一绝缘层，所述第二电极层上形成有第二绝缘层；所述第一绝缘层包括至少一个绝缘块，所述第一电极串列与所述第三电极串列交叉处通过所述绝缘块绝缘；所述第二电极层经蚀刻液蚀刻后，所述第二电极串列在所述绝缘块处断开连接并与所述第一电极串列重合。4.如权利要求3所述的触控面板，其特征在于，所述第一电极层与所述第一绝缘层之间还设置有第一引线层，所述第一引线层从所述第一电极串列上引出，并延伸至所述第二区域；所述第二电极层与所述第二绝缘层之间还设置有第二引线层，所述第二引线层从所述第三电极串列上引出，并延伸至所述第二区域。5.如权利要求1至4任一项所述的触控面板，其特征在于，所述基板的所述第一表面上方的所述第二绝缘层上设置一盖板，所述盖板覆盖所述基板。6.如权利要求5所述的触控面板，其特征在于，所述盖板与所述第二绝缘层之间设置有光学功能层，所述光学功能层由氮化硅、氮氧化硅和二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王士敏，李绍宗，朱泽力，郭志勇，王连彬，何云富，
申请(专利权)人：深圳莱宝高科技股份有限公司，重庆莱宝科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44