一种疏水高介电材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种疏水高介电材料，它是由下述重量份的原料组成的：氟硅酸钠2‑3、吡啶硫酮锌0.6‑2、羟基乙叉二膦酸0.7‑1、三烯丙基异氰脲酸酯0.4‑1、乙氧基化烷基硫酸铵0.7‑1、钛酸钡60‑75、γ‑氨丙基三乙氧基硅烷10‑14、3，5‑二氨基苯甲酸2.6‑3、亚磷酸三苯酯6‑8、吡啶3‑4、氯化锂0.02‑0.03、溴化亚铜4.3‑5、硬脂酸钡2‑4、聚偏氟乙烯7‑10、十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.3‑1。本发明专利技术加入的十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷等，可以有效的提高成品材料的疏水性。

Hydrophobic high dielectric material and preparation method thereof

The invention discloses a hydrophobic high dielectric material, which is composed of the following raw materials in weight portion: 3, 2 sodium fluorosilicate zinc pyrithione hydroxyethylidene 0.6 2, two 1, three 0.7 phosphonic acid Triallyl isocyanurate 0.4 1 ethoxylated alkyl 0.7 ammonium sulfate 1, 75, 60 barium titanate gamma aminopropyltriethoxysilane 10 14, 3 5, two 2.6 amino benzoic acid benzene ester phosphite three 3, 6 8, 3 pyridine 4, 0.03, 0.02 lithium chloride copper bromide 5, 4.3 barium stearate 4, 2 polyvinylidene fluoride 7 10, twelve fluorine n-heptyl propyltrimethoxysilane 0.3 1. The method of the invention can effectively improve the hydrophobicity of the finished product by the addition of twelve fluorine propyl propyl trimethyl silane.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及介电材料
，尤其涉及一种疏水高介电材料及其制备方法。
技术介绍
高介电材料具有非常广泛的应用，评估该材料性能的主要参数之一是介电常数。因此，制备高性能的介电材料，首先就是要提高它的介电常数。电介质材料的介电常数主要源自于材料内部的极化，要想提高材料的介电常数，本文必须增强材料内部极化的强度。电介质在电场下极化的分子机理比较复杂，主要包括四种：界面极化、偶极取向、离子极化和电子极化。其中，偶极取向、离子极化及电子极化和材料的组成及它们本征电性能有关，而界面极化除了和材料本征电性能有关外，还和复合材料的界面结构有关。为了制备具有高介电常数的纳米聚合物复合材料，本专利技术通过选择合适的高介电纳米填料和聚合物基体来提高偶极取向、离子极化和电子极化，并通过纳米特有的结构来设计独特的界面结构来提高界面极化，从而大幅提高复合材料的介电常数；首先，本专利技术选择纳米钛酸钡颗粒作为填料，来提高聚合物复合材料的介电常数，纳米钛酸钡是一种常见的铁电陶瓷，能够自发极化，有很高的介电常数，同时，钛酸钡还有很好的绝缘性能和稳定性，其表面存在有反应活性羟基官能团，为后面设计特殊的界面结构提供了可行性。和其他常见的高介电填料，如二氧化钛、氧化锌和氧化锆等无机颗粒相比，钛酸钡有很大的优势，因此被广泛用于制备高介电聚合物复合材料。人们还研究发现，选用纳米填料比选用微米填料更有利于提高复合材料的电性能，一方面，纳米填料有较大的比表面积，可以增大复合材料中的界面面积，从而增强界面极化，提高介电常数；另一方面，往聚合物中添加纳米填料可以提高复合材料的介电强度，提升材料的实用价值；另外，本专利技术还通过用超支化聚酰胺包覆钛酸钡纳米颗粒，形成一种特殊的核-壳结构，提高复合材料的介电常数。复合材料的界面极化除了和复合材料各组份的性质有关外，还和复合材料的界面结构有关。我们知道，界面极化是由于电荷在界面处聚集引起的，因此，本专利技术可以通过设计有利于电荷聚集的特殊结构，来提高界面极化。在这里，本专利技术选用超支化聚酰胺包覆钛酸钡，是因为和其他聚合物相比，超支化聚酰胺具有较高的电导率和介电常数。在界面处插入一层超支化聚酰胺，能够促进电荷往界面聚集，从而提高界面极化。
技术实现思路
本专利技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种疏水高介电材料及其制备方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种疏水高介电材料，它是由下述重量份的原料组成的：氟硅酸钠2-3、吡啶硫酮锌0.6-2、羟基乙叉二膦酸0.7-1、三烯丙基异氰脲酸酯0.4-1、乙氧基化烷基硫酸铵0.7-1、钛酸钡60-75、γ-氨丙基三乙氧基硅烷10-14、3，5-二氨基苯甲酸2.6-3、亚磷酸三苯酯6-8、吡啶3-4、氯化锂0.02-0.03、溴化亚铜4.3-5、硬脂酸钡2-4、聚偏氟乙烯7-10、十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.3-1。一种所述的疏水高介电材料的制备方法，包括以下步骤：（1）将上述氟硅酸钠加入到其重量27-30倍的去离子水中，搅拌均匀，升高温度为50-60℃，加入上述乙氧基化烷基硫酸铵，保温搅拌10-13分钟，滴加2-4mol/l的硫酸，调节pH为1-2，搅拌反应1-2小时，过滤，将沉淀水洗2-3次，在60-70℃下真空干燥2-3小时，与上述硬脂酸钡混合，加入到混合料重量26-30倍的无水乙醇中，搅拌均匀，加入上述十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷，超声7-9分钟，得醇分散液；（2）取上述钛酸钡，加入到浓度为25-30%的双氧水溶液中，超声10-20分钟，送入100-105℃的油浴中，保温搅拌3-4小时，离心分离，将沉淀在80-85℃下真空干燥10-12小时，得羟基化钛酸钡；（3）将上述羟基化钛酸钡加入到醇分散液中，超声6-10分钟，加入上述γ-氨丙基三乙氧基硅烷，通入氮气，在76-80℃下保温搅拌20-25小时，离心分离，将沉淀在80-85℃下真空干燥10-12小时，得氨基化钛酸钡；（4）将上述氨基化钛酸钡加入到其重量10-17倍的N-甲基吡咯烷酮中，搅拌均匀，加入上述3，5-二氨基苯甲酸，超声处理10-20分钟，依次加入上述氯化锂、亚磷酸三苯酯、吡啶，通入氮气，在100-105℃的油浴中保温反应3-4小时，出料，加入上述吡啶硫酮锌，搅拌均匀，离心分离，将沉淀在80-85℃下真空干燥10-12小时，得聚合物包覆钛酸钡；（5）将上述聚偏氟乙烯加入到其重量4-6倍的二甲基甲酰胺中，在80-90℃下保温搅拌30-40分钟，得酰胺溶液；（6）取上述聚合物包覆钛酸钡，加入到其重量4-6倍的二甲基甲酰胺中，超声处理20-30分钟，与上述酰胺溶液及剩余各原料混合，在80-90℃下真空干燥完全，在176-180℃下压制成型，压力为在20-30MPa。本专利技术的优点是：本专利技术首先用强氧化剂双氧水溶液氧化钛酸钡纳米颗粒，增加钛酸钡表面活性官能团–OH的数目，促进接下来的有机试剂改性，然后与γ-氨丙基三乙氧基硅烷反应，形成氨基化的钛酸钡，引入了有机官能团氨基，然后本专利技术采用3，5二氨基苯甲酸缩聚的方法来制备超支化聚酰胺，亚磷酸三苯酯和吡啶充当缩合剂，而氯化锂则作为溶解能力的促进剂，因为锂离子和聚合物中的酰胺键相互作用，减弱了聚合物之间的氢键作用，从而在钛酸钡纳米颗粒表面接枝超支化聚酰胺，而接枝到钛酸钡表面的超支化聚酰胺末端有大量的自由官能团-NH2，使得复合纳米颗粒具有较好的导电性，增大了填料和聚合物基体间电导率的差异，促进了界面极化的增加，甚至，有部分–NH2能够转变成–NH3+，导致复合纳米颗粒的导电性会进一步增大，从而使得界面极化也进一步增强；本专利技术在钛酸钡和聚偏氟乙烯树脂基体中间插入了一层具有较高介电常数和导电率的超支化聚酰胺，这一方面可以增大界面层的厚度，另一方面可以提高电荷在界面区域的迁移能力，从而会促进电荷在界面处聚集，增强界面极化，提高复合材料的介电常数。本专利技术加入的十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷等，可以有效的提高成品材料的疏水性。具体实施方式一种疏水高介电材料，它是由下述重量份的原料组成的：氟硅酸钠2、吡啶硫酮锌0.6、羟基乙叉二膦酸0.7、三烯丙基异氰脲酸酯0.4、乙氧基化烷基硫酸铵0.7、钛酸钡60、γ-氨丙基三乙氧基硅烷10、3，5二氨基苯甲酸2.6、亚磷酸三苯酯6、吡啶3、氯化锂0.02、溴化亚铜4.3、硬脂酸钡2、聚偏氟乙烯7、十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.3。一种所述的疏水高介电材料的制备方法，包括以下步骤：（1）将上述氟硅酸钠加入到其重量27倍的去离子水中，搅拌均匀，升高温度为50℃，加入上述乙氧基化烷基硫酸铵，保温搅拌10分钟，滴加2mol/l的硫酸，调节pH为1，搅拌反应1小时，过滤，将沉淀水洗2次，在60℃下真空干燥2小时，与上述硬脂酸钡混合，加入到混合料重量26倍的无水乙醇中，搅拌均匀，加入上述十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷，超声7分钟，得醇分散液；（2）取上述钛酸钡，加入到浓度为25%的双氧水溶液中，超声10分钟，送入100℃的油浴中，保温搅拌3小时，离心分离，将沉淀在80℃下真空干燥10小时，得羟基化钛酸钡；（3）将上述羟基化钛酸钡加入到醇分散液中，超声6分钟，加入上述γ氨丙基三乙氧基硅烷，通入氮气，在76℃下保温搅拌20小时，离心分离，将沉淀在80℃下真空干燥10小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种疏水高介电材料，其特征在于，它是由下述重量份的原料组成的：氟硅酸钠2‑3、吡啶硫酮锌0.6‑2、羟基乙叉二膦酸0.7‑1、三烯丙基异氰脲酸酯0.4‑1、乙氧基化烷基硫酸铵0.7‑1、钛酸钡60‑75、γ‑氨丙基三乙氧基硅烷10‑14、3，5‑二氨基苯甲酸2.6‑3、亚磷酸三苯酯6‑8、吡啶3‑4、氯化锂0.02‑0.03、溴化亚铜4.3‑5、硬脂酸钡2‑4、聚偏氟乙烯7‑10、十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.3‑1。

【技术特征摘要】
1.一种疏水高介电材料，其特征在于，它是由下述重量份的原料组成的：氟硅酸钠2-3、吡啶硫酮锌0.6-2、羟基乙叉二膦酸0.7-1、三烯丙基异氰脲酸酯0.4-1、乙氧基化烷基硫酸铵0.7-1、钛酸钡60-75、γ-氨丙基三乙氧基硅烷10-14、3，5-二氨基苯甲酸2.6-3、亚磷酸三苯酯6-8、吡啶3-4、氯化锂0.02-0.03、溴化亚铜4.3-5、硬脂酸钡2-4、聚偏氟乙烯7-10、十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.3-1。2.一种如权利要求1所述的疏水高介电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将上述氟硅酸钠加入到其重量27-30倍的去离子水中，搅拌均匀，升高温度为50-60℃，加入上述乙氧基化烷基硫酸铵，保温搅拌10-13分钟，滴加2-4mol/l的硫酸，调节pH为1-2，搅拌反应1-2小时，过滤，将沉淀水洗2-3次，在60-70℃下真空干燥2-3小时，与上述硬脂酸钡混合，加入到混合料重量26-30倍的无水乙醇中，搅拌均匀，加入上述十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷，超声7-9分钟，得醇分散液；（2）取上述钛酸钡，加入到浓度为25-30%的双氧水溶液中，超声10-20分钟，送...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴松，许飞云，罗翔，戴挺，章功国，
申请(专利权)人：安徽吉思特智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34