发光器件和具有发光器件的光源模块制造技术

根据实施例的发光器件包括：主体，该主体具有凹槽；发光芯片，该发光芯片被布置在凹槽中；以及第一防潮层，该第一防潮层密封发光芯片并且从发光芯片的表面延伸到凹槽的底部，其中发光芯片具有100nm至280nm的波长范围，并且第一防潮层包括氟树脂基材料。

Light emitting element and light source module having the same

According to the embodiment of the light emitting device includes a main body, the body has a groove; the light emitting chip, the luminous chip is arranged in the groove; and the first moisture-proof layer, the first light-emitting chip and sealing moistureproof layer from the surface of the light emitting chip extends to the bottom of the groove, wherein the light emitting chip with 100nm to 280nm wavelength range, and the first moistureproof layer including fluorine resin based materials.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光器件和包括发光器件的光源模块。
技术介绍
发光二极管可以通过使用诸如GaAs基、AlGaAs基、GaN基、InGaN基以及InGaAlP基材料的化合物半导体配置发光源。这样的发光二极管被封装并且被用作发射各种颜色的发光器件，并且发光器件在显示颜色的照明指示器、字符指示器、以及图像指示器的各种领域中被用作光源。特别地，在紫外发光二极管(UVLED)的情况下，在短波长的情况下其被用于消毒和净化，并且在长波长的情况下其可以在曝光设备或者固化设备中被使用。然而，短波长的UVLED被应用的环境是极其潮湿的或者在水中，使得防潮和防水功能被劣化，并且因此引起设备故障并且可能劣化操作可靠性。
技术实现思路
技术问题实施例提供具有新的防水和防潮结构的发光器件。实施例提供具有覆盖发光芯片的表面的防潮层的发光器件。实施例提供具有覆盖其中布置发光芯片的主体的表面的防潮层的发光器件。实施例提供包括从在发光芯片上布置的透光层延伸到主体的表面的防潮层的发光器件。实施例提供具有覆盖主体的表面和发光芯片的表面的多个防潮层的发光器件。实施例提供具有主体和覆盖基板的表面的防潮层的发光器件。实施例提供具有包括紫外发光芯片和氟的防潮层的发光器件和光源模块。实施例提供具有保护紫外发光芯片和保护装置免受水或者湿气的防潮层的发光器件和光源模块。实施例可以改进紫外光源模块的可靠性。技术方案根据实施例，提供一种发光器件，包括：主体，该主体具有凹槽；发光芯片，该发光芯片被布置在凹槽中；以及第一防潮层，该第一防潮层密封发光芯片并且从发光芯片的表面延伸到凹槽的底部；以及发光芯片，该发光芯片包括100nm至280nm的波长范围，并且第一防潮层包括氟树脂基材料。根据实施例，提供一种发光器件，包括：主体，该主体包括凹槽；发光芯片，该发光芯片被布置在凹槽中；透光层，该透光层被布置在凹槽中；以及第一防潮层，该第一防潮层从透光层的上表面延伸到主体的上表面；以及发光芯片，该发光芯片包括100nm至280nm的波长范围，并且第一防潮层包括氟树脂基材料。根据实施例，提供一种光源模块，包括：发光器件，该发光器件在主体的表面上具有第一防潮层；以及电路板，该电路板被布置在发光器件的主体的下方，并且发光器件的第一防潮层被延伸到主体的侧表面和电路板的上表面。有益效果实施例可以被提供作为在被应用于高湿度和水下环境的产品内的防潮模块。实施例可以被提供作为高湿度环境和水下中的灭菌装置。实施例可以减少UV-C波长的传输损耗。实施例可以最小化通过UV-C的变色和劣化。附图说明图1是根据第一实施例的发光器件的透视图；图2是其中去除图1中的透光层的透视图；图3是其中透光层被去除的图1的发光器件的平面图；图4是图1的发光器件的后视图；图5是图1的发光器件的A-A侧截面图；图6是图3的发光器件的B-B侧截面图；图7是根据第二实施例的发光器件的侧面截面图；图8是根据第三实施例的发光器件的侧面截面图；图9是根据第四实施例的发光器件的侧面截面图；图10是根据第五实施例的发光器件的侧面截面图；图11是根据第六实施例的发光器件的侧面截面图；图12是根据第七实施例的发光器件的侧面截面图；图13是根据第八实施例的发光器件的侧面截面图；图14是根据第九实施例的发光器件的侧面截面图；图15是根据第十实施例的光源模块的侧面截面图；图16是根据第十一实施例的光源模块的侧面截面图；图17是根据第十二实施例的光源模块的侧面截面图；图18是根据第十三实施例的光源模块的侧面截面图；图19是根据实施例的根据防潮层的浸渍次数的比较透射率的曲线图；图20是根据实施例的根据防潮层的材料的比较透射率的曲线图；以及图21是图示根据实施例的取决于防潮层的材料的防潮率的曲线图。具体实施方式在下文中，将会参考附图详细地描述本专利技术的实施例，使得本专利技术属于的本领域的技术人员能够容易地执行。然而，本专利技术可以以许多不同的形式体现并且不限于在此描述的实施例。贯穿整个说明书，当部件被称为“包括”元件时，其意指在没有排除其他元件的情况下部件也可以包括其他元件，除非另外明文规定。为了在附图中清楚地图示本专利技术，与描述无关的部件被省略，并且相对于整个说明书的相似部件，相似的附图标记被添加。在实施例的描述中，当诸如层、膜、区域以及板的部件在另一部件“上面”时，不仅包括其中部件“直接在”另一部件上方的情况，而且包括其中在其间存在另一部件的情况。相反地，当部件“直接”在另一部件上方时，其意指在其间不存在其他部件。在下文中，将会参考附图1至图6描述根据本专利技术的第一实施例的发光器件。图1是根据第一实施例的发光器件的透视图，图2是其中去除图1的透光层的透视图，图3是其中透光层被去除的图1的发光器件的平面图，图4是图1的发光器件的后视图，图5是图1的发光器件的A-A侧截面图并且图6是图3的发光器件的B-B侧截面图。参考图1至图6，发光器件100包括主体110，该主体110具有凹槽111；多个电极121、123以及125，被布置在凹槽111中；发光芯片131，被布置在多个电极121、123以及125中的至少一个上；透光层161，被布置在凹槽111上；以及氟树脂基防潮层171，覆盖发光芯片131的表面。发光芯片131可以发射UV-C波长，其是范围从100nm到280nm的紫外线波长。发光芯片131的波长不限于此，并且发光芯片131可以发射至少一个波长的可见光或者红外光。主体110包括诸如陶瓷材料的绝缘材料。陶瓷材料包括被同时共烧的低温共烧陶瓷(LTCC)或者高温共烧陶瓷(HTCC)。主体110的材料可以是AIN，并且可以是由具有140W/mK或者更高的导热性的金属氮化物形成。如在图5至图6中所示，连接图案117可以被布置在主体110中，并且连接图案117可以在凹槽111和主体110的下表面之间提供电连接路径。主体110的上外围包括台阶结构115。台阶结构115作为低于主体110的上表面的区域被布置在凹槽111的上外围处。台阶结构115的深度是从主体110的上表面的深度，并且可以被形成为比透光层161的厚度更深，但是不限于此。凹槽111是主体110的上部的一部分被打开的区域，并且其可以被形成为离主体110的上表面的预先确定的深度。例如，凹槽111可以被形成在比主体110的台阶结构115小的深度中。在此，其中凹槽111被形成的方向可以是其中从发光芯片131产生的光被发射的方向。凹槽111可以具有多边形、圆形或者椭圆形的形状。凹槽111可以具有倒角的形状，例如，弯曲的形状。在此，凹槽111可以位于比主体110的台阶结构115更加内部。凹槽111的下部的宽度可以与凹槽111的上部的宽度相同，或者上部的宽度可以被形成为较大。此外，凹槽111的侧壁116可以被形成为相对于凹槽111的底表面的延伸线是垂直的或者被倾斜。如在图2至图3中所示，多个子凹槽112和113可以被布置在凹槽111中。子凹槽112和113中的每一个的底表面可以被布置在比凹槽111的底表面更低的深度。在多个子凹槽112和113之间的空间可以大于发光芯片131的宽度。保护器件133可以被布置在多个子凹槽112和113中的至少一个上。子凹槽112和113中的每一个的深度可以等于或者深于保护器件133的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：主体，所述主体具有凹槽；发光芯片，所述发光芯片被布置在所述凹槽中；以及第一防潮层，所述第一防潮层密封所述发光芯片并且从所述发光芯片的表面延伸到所述凹槽的底部，其中，从所述发光芯片发射的光包括100nm至280nm的波长范围，并且所述第一防潮层包括氟树脂基材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.30 KR 10-2014-00970881.一种发光器件，包括：主体，所述主体具有凹槽；发光芯片，所述发光芯片被布置在所述凹槽中；以及第一防潮层，所述第一防潮层密封所述发光芯片并且从所述发光芯片的表面延伸到所述凹槽的底部，其中，从所述发光芯片发射的光包括100nm至280nm的波长范围，并且所述第一防潮层包括氟树脂基材料。2.一种发光器件，包括：主体，所述主体包括凹槽；发光芯片，所述发光芯片被布置在所述凹槽中；透光层，所述透光层被布置在所述凹槽中；以及第一防潮层，所述第一防潮层从所述透光层的上表面延伸到所述主体的上表面，其中，从所述发光芯片发射的光包括100nm至280nm的波长范围，并且所述第一防潮层包括氟树脂基材料。3.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述第一防潮层由透光材料形成。4.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述主体包括陶瓷材料。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，多个电极被包括在所述凹槽中，并且所述发光芯片被布置在所述多个电极中的至少一个上并且被电连接到所述多个电极，并且被连接到所述多个电极的多个焊盘被包括在所述主体的下表面中，并且所述第一防潮层的上表面被布置为高于所述发光芯片的上表面并且被延伸到所述凹槽的侧壁。6.根据权利要求1所述的发光器件，包括:透光层，所述透光层被布置在所述凹槽中；以及第二防潮层，所述第二防潮层从所述主体的上表面延伸到所述透光层的上表面，其中，所述第二透光层包括氟树脂基材料。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第二防潮层被延伸到所述主体的侧表面。8.根据权利要求1所述的发光器件，包括：透光层，所述透光层被布置在所述凹槽上；以及第二防潮层，所述第二防潮层具有其中所述透光层的上表面被暴露的敞开区域并且从所述透光层的上表面的外侧区域延伸到所述主体的上表面和侧表面，其中，所述第二防潮层包括氟树脂基材料。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金载晋，金渡桓，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR