过压保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种过压保护装置，包括：熔断器和压敏电阻，所述熔断器与所述压敏电阻串联形成保护回路，所述保护回路设置并联端子，所述保护回路用于通过所述并联端子与可控硅消谐装置并联，所述熔断器具有信号接口，所述熔断器的所述信号接口用于与监控模块连接。由于压敏电阻与可控硅消谐装置并联，压敏电阻两端的电压与可控硅消谐装置的两端的电压相等，当电压升高至压敏电阻的阈值电压后，压敏电阻的阻值大幅下降，为可控硅消谐装置分流，避免可控硅消谐装置过压而损坏。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及过压保护
，特别涉及过压保护装置。
技术介绍
传统的消除谐振过电压的装置为可控硅消谐装置，是保护高压熔丝和电压互感器免遭损坏的自动保护装置，其作为消弧补偿装置的一个元件辅助消弧补偿装置进行消弧补偿，可控硅消谐装置能消除电网中常见的多种频率铁磁谐振。可有效地防止电压互感器的烧损，确保电网的安全运行。由于可控硅本身无任何过电压保护装置，当系统发生谐振过电压或雷击过电压，往往会造成可控硅被击穿和烧毁的现象，造成消弧补偿装置无法正确补偿。
技术实现思路
基于此，有必要针对可控硅消谐装置过压容易被击穿或烧毁的缺陷，提供一种过压保护装置。一种过压保护装置，包括：熔断器和压敏电阻，所述熔断器与所述压敏电阻串联形成保护回路，所述保护回路设置并联端子，所述保护回路用于通过所述并联端子与可控硅消谐装置并联，所述熔断器具有信号接口，所述熔断器的所述信号接口用于与监控模块连接。在一个实施例中，还包括监控模块，所述监控模块与所述熔断器的所述信号接口连接。在一个实施例中，所述信号接口包括第一信号接口和第二信号接口，所述第一信号接口和所述第二信号接口分别与所述监控模块连接形成信号回路。在一个实施例中，所述熔断器为撞击型熔断器。在一个实施例中，所述熔断器具有过电流元件，所述过电流元件与所述信号接口连接。在一个实施例中，还包括端子排，所述熔断器通过所述端子排与所述压敏电阻串联。在一个实施例中，所述保护回路用于通过所述端子排与所述可控硅消谐装置连接。在一个实施例中，所述端子排具有线路端子。在一个实施例中，所述熔断器的所述信号接口通过所述端子排与所述监控模块连接。在一个实施例中，所述端子排具有信号端子。上述过压保护装置，由于压敏电阻与可控硅消谐装置并联，压敏电阻两端的电压与可控硅消谐装置的两端的电压相等，当电压升高至压敏电阻的阈值电压后，压敏电阻的阻值大幅下降，为可控硅消谐装置分流，避免可控硅消谐装置过压而损坏。附图说明图1为一实施例的过压保护装置的电路原理图；图2为一实施例的过压保护装置的连接结构示意图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。如图1所示，其为一实施例的一种过压保护装置，包括：熔断器FU和压敏电阻RV，所述熔断器FU与所述压敏电阻RV串联形成保护回路，所述保护回路设置并联端子，所述保护回路用于通过所述并联端子与可控硅消谐装置并联，所述熔断器FU具有信号接口，所述熔断器FU的所述信号接口用于与监控模块连接。具体地，由于压敏电阻RV与可控硅消谐装置并联，由于熔断器FU上的阻值较小，因此，熔断器FU两端的电压较小，压敏电阻RV两端的电压可看作是与可控硅消谐装置的两端的电压相等，当压敏电阻RV两端的电压升高至压敏电阻RV的阈值电压后，压敏电阻RV的阻值大幅下降，为可控硅消谐装置分流，避免可控硅消谐装置过压而损坏。此外，当压敏电阻RV两端的电压升高至阈值电压，也就是压敏电阻RV被击穿后，由于电流过大，从而使得熔断器FU触发直流信号，向监控模块发送信号，以使得监控模块对维护人员发出警告或提醒。另一方面，由于压敏电阻RV阻值下降引起保护回路的电流增大，从而造成经过熔断器FU的电流过大引起熔断器FU发生熔断，使得保护回路切断。为了实时对可控硅消谐装置的过压情况进行监控，在一个实施例中，过压保护装置还包括监控模块，所述监控模块与所述熔断器FU的所述信号接口连接。例如，所述信号接口包括第一信号接口和第二信号接口，所述第一信号接口和所述第二信号接口分别与所述监控模块连接形成信号回路。通过该信号回路，监控模块能够实时准确获取熔断器FU的过流信号。例如，该监控模块为监控系统，例如，该监控模块包括信号发生器，例如，该监控模块包括指示灯，用于接收到过流信号后发出指示光。例如，所述熔断器FU为撞击型熔断器，例如，所述熔断器FU具有过电流元件，所述过电流元件与所述信号接口连接。具体地，当压敏电阻RV的阻值下降后，通过保护回路的电流将大幅提高，此时，熔断器FU的过电流元件检测到电流值增大，产生过流信号，通过信号接口反馈至监控模块，例如，该过流信号为直流信号。为了便于保护回路120的布线，在一个实施例中，如图2所示，还包括端子排140，所述熔断器150通过所述端子排140与所述压敏电阻130串联。例如，所述保护回路120用于通过所述端子排140与所述可控硅消谐装置连接。例如，所述熔断器150的所述信号接口151通过所述端子排140与所述监控模块连接。例如，该端子排140具有信号端子141和线路端子142，例如，该信号端子141接入至信号回路110，并用于连接熔断器150的信号接口151和监控模块，例如，所述熔断器150的信号接口151通过所述信号端子141与所述监控模块连接；例如，线路端子142接入至保护回路120，用于连接熔断器150和压敏电阻130，并用于连接压敏电阻130和可控硅消谐装置，以及并用于连接熔断器150和可控硅消谐装置，例如，所述熔断器150的第一端通过第一线路端子与所述压敏电阻130的第一端连接，所述熔断器150的第二端通过第二线路端子与可控硅消谐装置连接，所述压敏电阻130的第二端连接通过第三线路端子与可控硅消谐装置连接。这样，通过端子排140整合信号回路110和保护回路120的接线，便于对信号回路110和保护回路120的安装和维护，以及便于使用期间对压敏电阻130的更换。例如，本实施例中，该压敏电阻130为FMR40K142型压敏电阻。为了便于拆装，使得信号端子和线路端子能够快速接入至信号回路与保护回路，例如，信号端子和线路端子分别设置有第一连接导线与绝缘的圆柱形端部，圆柱形端部上开设有绝缘的第一环形槽，第一环形槽中设置有所述第一连接导线，第一连接导线用于实现电连接；信号回路与保护回路分别设置有第二连接导线与绝缘的插接结构，第二连接导线用于实现电连接；插接结构与所述圆柱形端部匹配设置，用于与圆柱形端部插接；插接结构上开设有绝缘的第二环形槽，第二环形槽中凸设置有弹性接触块，所述弹性接触块与所述第一环形槽匹配设置，所述弹性接触块上设置所述第二连接导线，用于在插接结构与圆柱形端部插接时，第二连接导线与第一连接导线相接触。应该说明的是，上述系统实施例中，所包括的各个模块只是按照功能逻辑进行划分的，但并不局限于上述的划分，只要能够实现相应的功能即可；另外，各功能单元的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本技术的保护范围。另外，本领域普通技术人员可以理解实现上述各实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，相应的程序可以存储于可读取存储介质中。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不移动矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对技术专利范围的限制。应当指出的是，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压保护装置，其特征在于，包括：熔断器和压敏电阻，所述熔断器与所述压敏电阻串联形成保护回路，所述保护回路设置并联端子，所述保护回路用于通过所述并联端子与可控硅消谐装置并联，所述熔断器具有信号接口，所述熔断器的所述信号接口用于与监控模块连接。

【技术特征摘要】
1.一种过压保护装置，其特征在于，包括：熔断器和压敏电阻，所述熔断器与所述压敏电阻串联形成保护回路，所述保护回路设置并联端子，所述保护回路用于通过所述并联端子与可控硅消谐装置并联，所述熔断器具有信号接口，所述熔断器的所述信号接口用于与监控模块连接。2.根据权利要求1所述的过压保护装置，其特征在于，还包括监控模块，所述监控模块与所述熔断器的所述信号接口连接。3.根据权利要求2所述的过压保护装置，其特征在于，所述信号接口包括第一信号接口和第二信号接口，所述第一信号接口和所述第二信号接口分别与所述监控模块连接形成信号回路。4.根据权利要求1所述的过压保护装置，其特征在于，所述熔断器为撞击型...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，江文卓，曹志辉，张荣海，毕磊，厐水益，陈滔，谢阳，
申请(专利权)人：广东电网有限责任公司韶关供电局，
类型：新型
国别省市：广东;44