一种电压信号处理电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电压信号处理电路，包括电阻R1、电容C1、单向可控硅VS、光耦U2、电容C2和电阻R2，所述电阻R2一端分别连接电压采集端Vo和电阻R3，电阻R2另一端连接光耦U2内发光二极管正极，光耦U2内发光二极管负极分别连接电容C1和单向可控硅VS的K极，单向可控硅VS的A极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5和电阻R3另一端，电阻R5另一端分别连接电容C1另一端和单向可控硅VS的G极，所述光耦U2内光敏三极管集电极连接电阻R6。本实用新型专利技术电压信号处理电路采用单向可控硅进行电压信号的采集处理控制，配合光耦进行信号隔离控制，抗电磁干扰能力强，电路结构简单，成本低，体积小，适用范围广。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种信号处理电路，具体是一种电压信号处理电路。
技术介绍
DC/DC模块电源是电子产品设计中广泛使用的二次电源，它将一次电源单一的输出电压进行二次变换，变成各种需要的电压，提供给芯片。由于模块体积小，所以功率密度要求高，同时工作环境较为恶劣，可靠性要求高；模块电源一般要求工作温度为-20～55℃,MTBF(平均无故障时间)要求在20万小时以上。目前很多DC/DC模块电源都通过对输出端电压信号进行反馈处理来进行稳压，很多DC/DC模块电源的处理方式都是采用运放对输出端电压信号进行采样后送处理芯片处理，这样虽然处理方式简单，但是抗电磁干扰能力弱。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电压信号处理电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种电压信号处理电路，包括电阻R1、电容C1、单向可控硅VS、光耦U2、电容C2和电阻R2，所述电阻R2一端分别连接电压采集端Vo和电阻R3，电阻R2另一端连接光耦U2内发光二极管正极，光耦U2内发光二极管负极分别连接电容C1和单向可控硅VS的K极，单向可控硅VS的A极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5和电阻R3另一端，电阻R5另一端分别连接电容C1另一端和单向可控硅VS的G极，所述光耦U2内光敏三极管集电极连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接接地电容C3和芯片U1引脚4，光耦U2内光敏三极管发射极分别连接接地电阻R1和电阻R7，电阻R7另一端分别连接电容C2和芯片U1引脚2，电容C2另一端通过电阻R8连接芯片U1引脚1；所述芯片U1为UC3842。作为本技术进一步的方案：所述光耦U2采用4N25。作为本技术再进一步的方案：所述电压采集端Vo为反馈电压的信号输入端。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术电压信号处理电路采用单向可控硅进行电压信号的采集处理控制，配合光耦进行信号隔离控制，抗电磁干扰能力强，电路结构简单，成本低，体积小，适用范围广。附图说明图1为电压信号处理电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种电压信号处理电路，包括电阻R1、电容C1、单向可控硅VS、光耦U2、电容C2和电阻R2，所述电阻R2一端分别连接电压采集端Vo和电阻R3，电阻R2另一端连接光耦U2内发光二极管正极，光耦U2内发光二极管负极分别连接电容C1和单向可控硅VS的K极，单向可控硅VS的A极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5和电阻R3另一端，电阻R5另一端分别连接电容C1另一端和单向可控硅VS的G极，所述光耦U2内光敏三极管集电极连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接接地电容C3和芯片U1引脚4，光耦U2内光敏三极管发射极分别连接接地电阻R1和电阻R7，电阻R7另一端分别连接电容C2和芯片U1引脚2，电容C2另一端通过电阻R8连接芯片U1引脚1；所述芯片U1为UC3842；所述光耦U2采用4N25；所述电压采集端Vo为反馈电压的信号输入端。本技术的工作原理是：请参阅图1，本技术的反馈电压信号从Vo获得，R3、R4为输出电压采样电阻，当Vo电压高于设定值时，VS导通，U2导通，R1上有高电平，反馈给U1，指示输出过压；相反，如果输出电压低于设定值,则R1上为低电平，指示输出欠压，U1则可以通过R9上的信号对外部电源电压输出主电路进行占空比调节，从而使输出电压稳定。R7、R8和C2为输出电压反馈调节器，将输出电压反馈信号，即R1上的电位按比例反馈到芯片U1；R6和C3为RC振荡器，通过芯片U1控制外部电源电压输出主电路的工作频率和最大输出占空比；电容C1增加了单向可控硅VS的控制稳定性。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压信号处理电路，包括电阻R1、电容C1、单向可控硅VS、光耦U2、电容C2和电阻R2，其特征在于，所述电阻R2一端分别连接电压采集端Vo和电阻R3，电阻R2另一端连接光耦U2内发光二极管正极，光耦U2内发光二极管负极分别连接电容C1和单向可控硅VS的K极，单向可控硅VS的A极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5和电阻R3另一端，电阻R5另一端分别连接电容C1另一端和单向可控硅VS的G极，所述光耦U2内光敏三极管集电极连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接接地电容C3和芯片U1引脚4，光耦U2内光敏三极管发射极分别连接接地电阻R1和电阻R7，电阻R7另一端分别连接电容C2和芯片U1引脚2，电容C2另一端通过电阻R8连接芯片U1引脚1；所述芯片U1为UC3842。

【技术特征摘要】
1.一种电压信号处理电路，包括电阻R1、电容C1、单向可控硅VS、光耦U2、电容C2
和电阻R2，其特征在于，所述电阻R2一端分别连接电压采集端Vo和电阻R3，电阻R2另
一端连接光耦U2内发光二极管正极，光耦U2内发光二极管负极分别连接电容C1和单向
可控硅VS的K极，单向可控硅VS的A极连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5和
电阻R3另一端，电阻R5另一端分别连接电容C1另一端和单向可控硅VS的G极，所述光
耦U2内光敏三极管集电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈朋，
申请(专利权)人：北京创新纪技术开发有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11