一种低功耗的与绝对温度成正比的电流源电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低功耗的与绝对温度成正比（PTAT）的电流源电路。本电路通过简单的偏置电路将亚阈值区MOS管栅源电压求差，并将该差值加到电阻上产生PTAT电流。本电路的所有MOS管均工作在亚阈值区，电流均为纳安级，因此正常工作时的功耗非常低；而且并没有使用二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及电流源电路的设计领域，特指一种低功耗与绝对温度成正比(PTAT)电流源电路。
技术介绍
电流源电路是构成模拟电路的基本组成部分，广泛应用于高精度模数转换器(ADC)、高精度数模转换器(DAC)、仪表放大器、存储器和偏置电路等。电流源电路中最重的一种是称为与绝对温度成正比(PTAT)的电流源，其产生线性地随温度变化的电流。现有的PTAT电流通常采用的是带隙基准电路来产生，使得PTAT电流源电路的面积很大，功耗较高，结构也较复杂，增加了芯片的成本。因此有必要提供一种结构简单且低功耗的PTAT电流源电路。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题就在于：针对现有技术存在的技术问题，提出一种低功耗、线性的PTAT电流源电路，以保证在较低的功耗下，获得高线性度的PTAT电流。本专利技术提出的解决方案为：通过简单的偏置电路将亚阈值区MOS管栅源电压求差，并将该差值加到电阻上产生PTAT电流。而且本电路的所有MOS管都工作在亚阈值区，电流均为纳安级，因此正常工作时的功耗非常低。相比现有技术，本专利技术并没有使用二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗的与绝对温度成正比的电流源电路，其特征在于：电路由MMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、电阻R1、电阻R2组成；系统电源VDD连接到NMOS管M4的漏极和电阻R1的一端；地信号GND连接到NMOS管M2、M3和M5的源极；NMOS管M2的栅极和漏极连接到NMOS管M1的源极；M1的栅极和漏极连接到电阻R1的一端以及M4的栅极；M4的源极和电阻R2的一端相连；R2的另一端连接M3的栅极和漏极以及M5的栅极；M5的漏极即为与绝对温度成正比（PTAT）电流的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗的与绝对温度成正比的电流源电路，其特征在于：电路由MMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、电阻R1、电阻R2组成；系统电源VDD连接到NMOS管M4的漏极和电阻R1的一端；地信号GND连接到NMOS管M2、M3和M...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭伟娣，
申请(专利权)人：长沙景美集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43