衬底处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种衬底处理设备，衬底处理设备包含：管子，其中具有内部空间；衬底支撑单元，其包括多个隔板，多个隔板经配置以将多个衬底垂直堆栈于其上并且将其中处理多个衬底的处理空间在管子中分成多个处理空间；气体供应单元，其经配置以将处理气体供应到多个衬底；以及排气单元，其经安置以面对着气体供应单元来排出管子内部的气体。多个通孔界定于隔板中的每一个中。本发明专利技术提供的衬底处理设备能够在衬底上均匀地形成薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种衬底处理设备，且更确切地说，涉及一种能够控制气体流动以使衬底上的薄膜能够均匀的衬底处理设备。
技术介绍
一般来说，衬底处理设备分为能够针对一个衬底执行衬底处理过程的单晶片型设备以及能够针对多个衬底同时执行衬底处理过程的批量型设备。由于尽管单晶片型设备具有简单构造，但所述单晶片型设备具有低生产率，因此批量型设备通常用于批量生产。批量型衬底处理设备包含：处理腔室，其中容纳待处理的在水平状态中多重堆栈的衬底；处理气体供应喷嘴，其将处理气体供应到处理腔室中；以及排气管线，其用于排空处理腔室的内部。如下执行使用批量型衬底处理设备的衬底处理过程。首先，将多个衬底载入到处理腔室中。此后，当通过排气管线排空处理腔室的内部时，通过处理气体供应喷嘴将处理气体供应到处理腔室中。此后，从处理气体供应喷嘴注入的处理气体在衬底之间传递并且通过排气口被引入到排气管线中以在衬底上形成薄膜。然而，由于常规衬底处理设备不可以控制处理气体的流动，因此在衬底的外部部分和中心部分处的薄膜的厚度可能不均匀。因此，薄膜的质量(quality)可能降低并且可以出现缺陷。[现有技术文献][专利文献](专利文献1)KR2015-0045012A
技术实现思路
本专利技术提供一种能够在衬底上均匀地形成薄膜的衬底处理设备。本专利技术还提供一种能够增强衬底处理过程的效率的衬底处理设备。根据示例性实施例，衬底处理设备包含：管子，其中具有内部空间；衬底支撑单元，其包括多个隔板，所述隔板经配置以将多个衬底垂直堆栈于其上并且将处理所述多个衬底的处理空间在所述管子中分成多个处理空间；气体供应单元，其经配置以将处理气体供应到所述多个衬底；以及排气单元，其经安置以面对着所述气体供应单元来排出所述管子内部的气体，其中多个通孔提供于所述隔板中的每一个中。多个隔板可以彼此垂直间隔开并且多个衬底可以分别与所述多个隔板间隔开且堆栈于所述多个隔板之间。气体供应单元可以包含多个注入喷嘴，所述多个注入喷嘴以彼此不同的高度安装以分别对应于在管子的一侧处的处理空间，并且排气单元可以包含多个排气口，所述多个排气口垂直安装以对应于在所述管子的另一侧上的所述注入喷嘴。注入喷嘴的至少一部分可以穿过管子。多个通孔可以朝向安置于其下的衬底径向地进行界定。界定在隔板的中心部分中的通孔的有效面积的和可以不同于界定在隔板的外部部分中的通孔的有效面积的和。多个通孔的面积的总和相对于隔板的全部面积可以为5％至50％。通孔可以在跨越气体的流动方向的方向上延伸，所述气体从气体供应单元流动到排气单元，并且所述多个通孔可以沿着所述气体的流动方向界定在管线中。邻近于气体供应单元安置的通孔的有效面积的和可以不同于相对于隔板的中心部分远离所述气体供应单元安置的所述通孔的有效面积的和。多个通孔的面积的总和相对于隔板的全部面积可以为5％至50％。附图说明图1和图2是说明根据示例性实施例的衬底处理设备的结构的视图。图3是说明根据示例性实施例的隔板的结构的视图。图4(a)和图4(b)是说明根据示例性实施例的管子中的处理气体的流动的视图。图5(a)和图5(b)是说明根据另一示例性实施例的隔板的视图。图6(a)和图6(b)是说明根据又另一示例性实施例的隔板的视图。具体实施方式下文中将参考附图详细描述具体实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式得到实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例；相反地，提供这些实施例是为了使本专利技术将是透彻且完整的，并且这些实施例将把本专利技术的概念完整地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见放大层和区域的厚度并且通篇中相似附图标记指代相似元件。图1和2是说明根据示例性实施例的衬底处理设备的结构的视图，图3是说明根据示例性实施例的隔板的结构的视图，图4(a)和图4(b)是说明根据示例性实施例的管子中的处理气体的流动的视图，图5(a)和图5(b)是说明根据另一示例性实施例的隔板的视图以及图6(a)和图6(b)是说明根据又另一示例性实施例的隔板的视图。参考图1和2，根据示例性实施例的衬底处理设备100包含：管子111，其具有界定在其中的内部空间；衬底支撑单元170，其在管子111中垂直堆栈多个衬底S；气体供应单元130，其将处理气体供应到多个衬底S；以及排气单元140，其排出管子111中的气体。而且，衬底处理设备100可以包含：腔室120，其中具有内部空间；外管112，其安置于腔室120的内部空间中以及安置在管子111外部以围绕管子111；加热单元150，其加热管子111的内部；以及驱动单元，其垂直移动或旋转衬底支撑单元170。此处，根据示例性实施例的衬底处理设备100可以是在衬底S上形成外延(epitaxial)层的外延设备。当在衬底S上执行选择性外延生长(selectiveepitaxialgrowth，SEG)过程时，将处理气体供应到整个处理空间。处理气体可以包含燃气、腐蚀气体、掺杂剂气体和运载气体中的至少一个，并且气体可以各种比率混合且经供应以控制衬底S上的薄膜的厚度。由于这些气体中的每一个具有不同分子量，因此处理气体的流动可以根据比率变化。因此，在SEG中，处理气体的流或流动可为用于确定衬底S上的薄膜的厚度和成分的主要因素。因此，提供根据示例性实施例的隔板175以调整处理气体的流动。腔室120可以具有矩形容器或圆柱体的形状。腔室120可以包含上部主体121和下部主体122，并且上部主体121的下部部分和下部主体122的上部部分彼此连接。可以将入口孔122a(通过其可载入/卸载衬底S)提供到下部主体122的侧表面。因此，可以通过入口孔122a将衬底S载入到腔室120中。此处，载入到下部主体122中的衬底S可以向上移动并且在上部的腔室120中进行处理。因此，其中堆栈衬底S的堆栈空间可以提供于下部主体122中，并且用于衬底S的处理空间可以提供于上部主体121中。然而，腔室120的结构和形状并不限于此。例如，腔室120可以具有各种形状和结构。外管112可以具有圆柱形形状并且安置于下部主体122上方，所述下部主体具有开放的上部部分或安置于上部主体121内部。外管112具有内部空间和开放的下部部分，在所述内部空间中容纳管子111。此处，外管112的内壁和管子111的外壁彼此间隔开以界定其间的空间。然而，外管112的结构和形状不限于此。例如，外管可以具有各种形状和结构。管子111可以具有圆柱形形状并且安置于外管112内部。管子111具有衬底S容纳于其中的空间和开放的下部部分。因此，管子111的内部可以与下部主体122的内部连通并且衬底S可以在管子111与下部主体122之间移动。然而，管子111的结构和形状不限于此。例如，管子111可以具有各种形状和结构。加热单元150可以是安置于外管112外部的加热器。例如，加热单元150可以被插入到上部主体121的内壁中并且安置成围绕外管112的侧表面和上部部分。因此，当加热单元150产生热能时，热能可以穿过外管112以提高管子111的内部温度。因此，可以控制加热单元150以调整管子111的内部温度，使得内部温度适合于处理衬底S。然而，加热单元150的安装位置不限于此。例如，加热单元150可以安装在各个位置处。气体供应单元130可以包括：多个注入喷嘴131，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理设备，其特征在于，包括：管子，其中具有内部空间；衬底支撑单元，其包括多个隔板，所述多个隔板经配置以将多个衬底垂直堆栈于其上并且将其中处理所述多个衬底的处理空间在所述管子中分成多个处理空间；气体供应单元，其经配置以将处理气体供应到所述多个衬底；以及排气单元，其经安置以面对着所述气体供应单元来排出所述管子内部的气体，其中多个通孔提供于所述多个隔板中的每一个中。

【技术特征摘要】
2015.09.11 KR 10-2015-01289711.一种衬底处理设备，其特征在于，包括：管子，其中具有内部空间；衬底支撑单元，其包括多个隔板，所述多个隔板经配置以将多个衬底垂直堆栈于其上并且将其中处理所述多个衬底的处理空间在所述管子中分成多个处理空间；气体供应单元，其经配置以将处理气体供应到所述多个衬底；以及排气单元，其经安置以面对着所述气体供应单元来排出所述管子内部的气体，其中多个通孔提供于所述多个隔板中的每一个中。2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其特征在于，所述多个隔板彼此垂直间隔开，并且所述多个衬底分别与所述多个隔板间隔开并且堆栈于所述多个隔板之间。3.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其特征在于，所述气体供应单元包括多个注入喷嘴，所述多个注入喷嘴以彼此不同的高度安装以分别对应于在所述管子的一侧处的所述多个处理空间，并且所述排气单元包括多个排气口，所述多个排气口垂直安装以对应于所述管子的另一侧上的所述多个注入喷嘴。4.根据权利要求3所述的衬底处理设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：玄俊镇，诸成泰，宋炳奎，金龙基，金劲勋，金苍乭，申良湜，金哉佑，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR