一种微波暗室及其屏蔽壳拼装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微波暗室的屏蔽壳拼装结构以及具有该屏蔽壳拼装结构的微波暗室，该屏蔽壳拼装结构包括具有电磁屏蔽性能的相互拼接的至少一对第一拼接单元和第二拼接单元，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元至少外表面为非铁磁金属材料，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的拼接处以非导通方式拼接，在所述拼接处的内侧覆盖有损耗层，在所述拼接处的外侧覆盖有屏蔽层，所述损耗层为非磁性吸波材料，所述屏蔽层用于屏蔽来自外部的电磁波。本实用新型专利技术的屏蔽壳拼装结构能够可靠地避免产生互调干扰，并提高对电磁波的屏蔽性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及通信行业的测试
，特别是一种微波暗室的屏蔽壳拼装结构以及具有该屏蔽壳拼装结构的微波暗室。
技术介绍
无源互调(PassiveInter-Modulation，简称PIM)是由发射系统中各种无源器件的非线性特性引起的。在大功率、多信道系统中，这些无源器件的非线性会产生相对于工作频率的更高次谐波，这些谐波与工作频率混合会产生一组新的频率，其最终结果就是在空间中产生一组无用的频谱从而影响正常的通信。在无源器件(天线、电缆等)中，无源互调产生的原因主要包括三方面：不良的机械节点、材料的磁滞特性及表面或接触面受到污染。微波暗室一般由屏蔽壳体、暗室门、吸波材料层、安装在暗室内的被测设备的支撑装置、天线支架系统等设备等组成，当电磁波入射到微波暗室的吸波材料层时，绝大部分的电磁波被吸收，能够为电磁波提供一个模拟自由空间、且与外部隔离的传播环境，可应用于天线、目标RCS特性测量、电磁兼容测试及电子装备仿真试验等许多领域。目前，传统的微波暗室的屏蔽壳体多为拼装结构，连接部位多采用焊接或拼接的方式进行装配，其中，焊接会产生毛刺和焊孔等不均匀导电点，而拼接会产生对接缝隙导致电磁波泄漏，在测试天线互调指标时，均会造成测试误差。为了避免这一现象，屏蔽壳体可以采用一体结构，但由于现有的微波暗室尺寸都较大，一体结构的屏蔽壳体难以实现且成本非常高。申请号为201220448233.4的中国专利文献公开了一种用于互调测试的微波暗室，暗室主体是由龙骨框架和固定于其上的块状壁面所组成的封闭空间，块状壁面面对封闭空间的一侧表面上设有铝合金屏蔽层，屏蔽层的接缝处设有屏蔽胶条。屏蔽胶条材质为带有绝缘覆膜的铝箔材料，其作用是使接缝不直接暴露，其材质是带有绝缘覆膜的铝箔材料。这一装配方式能有效避免暗室大面积强互调源的形成，然而，这一结构中的绝缘覆膜易被铝合金板的边缘和毛刺划破，导致铝合金屏蔽层与屏蔽胶条中的铝箔短路，此外，由于屏蔽层的接缝处存在缝隙，来自暗室外部的互调源会进入暗室内造成互调干扰。
技术实现思路
本技术的主要目的在于克服现有技术的不足，提供一种微波暗室的屏蔽壳拼装结构以及具有该屏蔽壳拼装结构的微波暗室，可靠地避免产生互调干扰，并提高对电磁波的屏蔽性能。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种微波暗室的屏蔽壳拼装结构，包括具有电磁屏蔽性能的相互拼接的至少一对第一拼接单元和第二拼接单元，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元至少外表面为非铁磁金属材料，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的拼接处以非导通方式拼接，在所述拼接处的内侧覆盖有损耗层，在所述拼接处的外侧覆盖有屏蔽层，所述损耗层为可非磁性吸波材料，所述屏蔽层用于屏蔽来自外部的电磁波。进一步地：所述损耗层为具有弹性的非磁性吸波材料，尤其是橡胶吸波片；或为吸波胶水。所述屏蔽层为具有导电性和延展性的网状结构的非铁磁金属材料，优选为铜或银。所述以非导通方式拼接包括：在所述拼接处保留空的拼接间隙、在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的拼接端面喷涂绝缘漆、或在所述拼接处的拼接间隙内设置绝缘胶水或绝缘胶片。所述屏蔽壳拼装结构还包括分别设置在所述拼接处的内侧和外侧的非铁磁金属材料板，所述损耗层和所述屏蔽层分别由内侧和外侧的非铁磁金属材料板压紧覆盖于所述拼接处。优选地，所述非铁磁金属材料板为铝或铝合金。所述拼接处位于所述屏蔽壳的平面上；其中在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元上靠近所述拼接处的部位穿设多个铆钉或螺栓，以将所述非铁磁金属材料板紧固在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的拼接处；或者其中在所述拼接处的拼接间隙中穿设铆钉或螺栓，以将所述非铁磁金属材料板紧固在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的拼接处；或者其中位于所述拼接处的外侧的非铁磁金属材料板具有两个端部和穿过所述拼接处的拼接间隙以及所述损耗层的U形弯折部，所述两个端部分别靠压在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的外侧的屏蔽层上，所述U形弯折部的底端通过铆钉或螺栓与位于所述拼接处的内侧的非铁磁金属材料板固定在一起；所述铆钉或螺栓为非磁铁金属材料。所述拼接处位于所述屏蔽壳的边角上，至少一对所述第一拼接单元和所述第二拼接单元在所述拼接处以一定的角度拼接，所述角度为锐角、直角或钝角；其中所述第一拼接单元沿第一方向设置，所述第二拼接单元沿第二方向设置，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的端面相对或错开，在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元之间具有拼接间隙；所述屏蔽层以与所述角度一致的弯折布置覆盖在所述第一拼接单元的外侧、所述拼接间隙的外口、以及所述第二拼接单元的外侧上，所述损耗层以与所述角度一致的弯折布置覆盖在所述第一拼接单元的内侧、所述拼接间隙的内口、以及所述第二拼接单元的内侧上。优选地，所述第一拼接单元沿竖直方向设置，所述第二拼接单元沿水平方向设置，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的端面为相互错开的垂直面，所述第一拼接单元的端面与所述第二拼接单元的上表面平齐，所述第二拼接单元的端面朝向所述第一拼接单元的内侧且与所述第一拼接单元的内侧之间具有拼接间隙；所述屏蔽层以L形的布置覆盖在所述第一拼接单元的外侧、所述第一拼接单元的端面、所述拼接间隙的外口、以及所述第二拼接单元的上表面上，所述损耗层以L形的布置覆盖在所述第一拼接单元的内侧、所述拼接间隙的内口、以及所述第二拼接单元的下表面上；或者优选地，所述第一拼接单元沿竖直方向设置，所述第二拼接单元沿水平方向设置，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的端面为相互正对的斜面，从而所述第一拼接单元和所述第二拼接单元通过端面的过渡衔接为L形，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的端面之间具有拼接间隙；所述屏蔽层以L形的布置覆盖在所述第一拼接单元的外侧、所述拼接间隙的外口、以及所述第二拼接单元的上表面上，所述损耗层以L形的布置覆盖在所述第一拼接单元的内侧、所述拼接间隙的内口、以及所述第二拼接单元的下表面上。所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的内侧还设置有吸波材料，所述吸波材料至少覆盖所述损耗层。所述第一拼接单元和/或所述第二拼接单元为夹芯板，所述夹芯板的外层为非铁磁金属材料，例如铝或铝合金，所述夹芯板的芯层为防火阻燃材料。一种微波暗室，具有上述任一种的屏蔽壳拼装结构。本技术的有益效果：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波暗室的屏蔽壳拼装结构，包括具有电磁屏蔽性能的相互拼接的至少一对第一拼接单元和第二拼接单元，其特征在于,所述第一拼接单元和所述第二拼接单元至少外表面为非铁磁金属材料，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元以非导通方式拼接，在拼接处的内侧覆盖有损耗层，在拼接处的外侧覆盖有屏蔽层，所述损耗层为非磁性吸波材料，所述屏蔽层用于屏蔽来自外部的电磁波。

【技术特征摘要】
1.一种微波暗室的屏蔽壳拼装结构，包括具有电磁屏蔽性能的相互拼接的至少一对第一拼接单元和第二拼接单元，其特征在于,所述第一拼接单元和所述第二拼接单元至少外表面为非铁磁金属材料，所述第一拼接单元和所述第二拼接单元以非导通方式拼接，在拼接处的内侧覆盖有损耗层，在拼接处的外侧覆盖有屏蔽层，所述损耗层为非磁性吸波材料，所述屏蔽层用于屏蔽来自外部的电磁波。
2.如权利要求1所述的屏蔽壳拼装结构，其特征在于,所述损耗层为具有弹性的非磁性吸波材料，或为吸波胶水。
3.如权利要求1所述的屏蔽壳拼装结构，其特征在于,所述屏蔽层为具有导电性和延展性的网状结构的非铁磁金属材料。
4.如权利要求1所述的屏蔽壳拼装结构，其特征在于,所述以非导通方式拼接包括：在所述拼接处保留空的拼接间隙、在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的拼接端面喷涂绝缘漆、或在所述拼接处的拼接间隙内设置绝缘胶水或绝缘胶片。
5.如权利要求1至4任一项所述的屏蔽壳拼装结构，其特征在于,还包括分别设置在所述拼接处的内侧和外侧的非铁磁金属材料板，所述损耗层和所述屏蔽层分别由内侧和外侧的非铁磁金属材料板压紧覆盖于所述拼接处。
6.如权利要求5所述的屏蔽壳拼装结构，其特征在于,所述拼接处位于所述屏蔽壳的平面上；
其中在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元上靠近所述拼接处的部位穿设多个铆钉或螺栓，以将所述非铁磁金属材料板紧固在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的拼接处；或者
其中在所述拼接处的拼接间隙中穿设铆钉或螺栓，以将所述非铁磁金属材料板紧固在所述第一拼接单元和所述第二拼接单元的拼接处；或者...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘列，谢辉，于伟，漆一宏，
申请(专利权)人：深圳市通用测试系统有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44