近场通信装置的标签检测器和包括其的近场通信装置制造方法及图纸

提供了一种近场通信(NFC)装置的标签检测器及包括其的NFC装置。所述标签检测器包括：电流监测器，被配置为在预设阶段和检测阶段中监测在调整器中流动的电流，以分别产生第一感测电流和第二感测电流；电流电压转换器，被配置为分别将第一感测电流和第二感测电流转换成第一感测电压和第二感测电压；模数转换器，被配置为分别将第一感测电压和第二感测电压转换成第一数字码和第二数字码；判决电路，被配置为比较第一数字码和第二数字码，并基于该比较输出表明另一NFC装置是否在所述NFC装置的通信范围内的检测信号。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年9月14日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2015-0129462号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用其全部内容而包含于此。
与示例实施例一致的设备涉及近场通信(NFC)，更具体地，涉及一种NFC装置的标签检测器、该NFC装置以及包括该NFC装置的移动设备。
技术介绍
NFC技术是一类无线通信技术。NFC技术中近来的发展已经取得使NFC装置在移动设备中被广泛使用的结果。当在阅读器模式下运行NFC装置时，NFC装置可以在NFC装置周围检测NFC标签，以在正常模式下运行。电路复杂性和功耗在NFC装置的性能中可以是重要的。
技术实现思路
示例实施例提供了NFC装置的标签检测器，标签检测器能提高性能并减少能耗。示例实施例提供了包括该标签检测器的NFC装置。示例实施例提供了包括该NFC装置的移动设备。根据示例实施例，NFC装置的标签检测器包括：电流监测器，被配置为在预设阶段和检测阶段中监测在调整器中流动的电流，以分别产生第一感测电流和第二感测电流；调整器，将发送电源电压输出至所述NFC装置的发送器；电流电压转换器，被配置为分别将第一感测电流和第二感测电流转换成第一感测电压和第二感测电压；模数转换器，被配置为分别将第一感测电压和第二感测电压转换成第一数字码和第二数字码；判决电路，被配置为比较第一数字码和第二数字码，并基于该比较输出表明所述另一近场通信装置是否在所述NFC装置的通信范围内的检测信号。电流监测器可以包括：第一电流生成器，连接在第一电源电压与第一节点之间，连接至调整器，并被配置为产生与在调整器中流动的电流基本相同的第一电流；参考电流生成器，连接在第二电源电压与第二节点之间，并被配置为产生参考电流；第二电流生成器，连接在第一节点、第二节点与地电压之间，并被配置为产生是参考电流的N倍的第二电流，N是正实数；第三电流生成器，连接在第一节点、第三节点与地电压之间，并被配置为基于第一电流和第二电流之间的差产生第三电流；第四电流生成器，连接在第二电源电压、第三节点与输出节点之间，并被配置为产生是第三电流的两倍的感测电流。第一电源电压的电平可以大于第二电源电压的电平。第一电流生成器可以包括：第一p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，包括连接至第一电源电压的源极和连接至调整器的运算放大器的输出端子的栅极；第二PMOS晶体管，包括连接至第一PMOS晶体管的漏极的源极、被配置为接收调整器控制信号的栅极和连接至第一节点的漏极，调整器控制信号输入至调整器。第一电流可以从第一电源电压流至第一节点。参考电流生成器可以包括：第一p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，包括连接至第二电源电压的源极和被配置为接收第一偏置信号的栅极；第二PMOS晶体管，包括连接至第一PMOS晶体管的漏极的源极、被配置为接收第二偏置信号的栅极和连接至第二节点的漏极。参考电流可以从第二电源电压流至第二节点。第二电流生成器可以包括：第一n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，包括连接至第一节点的漏极；第二NMOS晶体管，包括连接至第一NMOS晶体管的源极的漏极和连接至地电压的源极；第三NMOS晶体管，包括连接至第二节点的漏极和连接至第一NMOS晶体管的栅极的栅极；第四NMOS晶体管，包括连接至第三NMOS晶体管的源极的漏极、连接至地电压的源极和连接至第二NMOS晶体管的栅极并连接至第二节点的栅极。第二电流可以通过第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管从第一节点流动至地电压。第三电流生成器可以包括：第一n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，包括连接至第一节点的漏极；第二NMOS晶体管，包括连接至第一NMOS晶体管的源极的漏极和连接至地电压的源极；第三NMOS晶体管，包括连接至第三节点的漏极和连接至第一NMOS晶体管的栅极的栅极；第四NMOS晶体管，包括连接至第三NMOS晶体管的源极的漏极、连接至地电压的源极和连接至第二NMOS晶体管的栅极并连接至第一节点的栅极。第三电流可以通过第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管从第一节点流至地电压。第四电流生成器可以包括：第一p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，包括连接至第二电源电压的源极；第二PMOS晶体管，包括连接至第一PMOS晶体管的漏极的源极和连接至第三节点的漏极；第三PMOS晶体管，包括连接至第二电源电压的源极和连接至第一PMOS晶体管的栅极并连接至第三节点的栅极；第四PMOS晶体管，包括连接至第三PMOS晶体管的漏极的源极、连接至输出节点的漏极和连接至第二PMOS晶体管的栅极的栅极。感测电流可以从第二电源电压通过第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管流动至输出节点。电流电压转换器可以包括：电阻器，在输入节点与最后节点之间串联连接，第一感测电流和第二感测电流输入至该输入节点；第一n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，分别连接至在电阻器之间的一个或更多个连接节点并连接至最后节点；第二NMOS晶体管，连接在第一NMOS晶体管与输出节点之间，在第一感测电压和第二感测电压在输出节点处输出。第一NMOS晶体管的每个栅极可以被配置为接收电阻器选择信号的对应位，第二NMOS晶体管的每个栅极可以被配置为接收电阻器使能信号的对应位。判决电路可以包括：寄存器，被配置为在预设阶段中存储第一数字码；数字比较器，被配置为比较存储的第一数字码与第二数字码，并基于存储的第一数字码与第二数字码的比较来输出检测信号。判决电路还可以被配置为响应于比第一数字码大的第二数字码来输出判决信号。根据示例实施例，一种近场通信装置(NFC)装置包括：谐振器，被配置为通过电磁波发送数据至另一NFC装置并从所述另一NFC装置接收数据；NFC芯片，被配置为将输出数据发送至谐振器，并从谐振器接收输入数据。NFC芯片包括：发送器，通过第一发送端子和第二发送端子连接至谐振器；调整器，被配置为将发送电源电压输出至发送器；标签检测器，被配置为分别在预设阶段和检测阶段中在调整器中响应于正辐射的电磁波产生第一感测电流和第二感测电流，比较第一感测电流和第二感测电流，并基于比较输出表明另一NFC装置是否在所述NFC装置的通信范围内的检测信号；处理器，被配置为基于检测信号将所述NFC装置的操作模式从等候模式改变至激活模式。发送器可以包括：第一驱动器，包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，第一上拉晶体管连接在发送电源电压与第一发送端子之间，第一下拉晶体管连接在第一发送端子与地电压之间；第二驱动器，包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，第二上拉晶体管连接在发送电源电压与第二发送端子之间，第二下拉晶体管连接在第二发送端子与地电压之间；控制器，被配置为基于来自处理器的控制信号将驱动信号输出至第一驱动器和第二驱动器。调整器还可以被配置为在另一NFC装置在所述NFC装置的通信范围之外的预设阶段中逐渐增加通过第一驱动器、谐振器和第二驱动器流动的电流，标签检测器还可以被配置为基于所增加的电流的平均值产生第一感测电流。调整器还可以包括：运算放大器，被配置为比较参考电压和反馈电压；电流生成器，包括在第一电源电压与第一输出节点之间串联连接的第一p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和第二PMOS晶体管，发送电源电压在第一输出节点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种近场通信装置的标签检测器，所述标签检测器包括：电流监测器，被配置为在预设阶段和检测阶段中监测在调整器中流动的电流，以分别产生第一感测电流和第二感测电流，调整器将发送电源电压输出至所述近场通信装置的发送器；电流电压转换器，被配置为分别将第一感测电流和第二感测电流转换成第一感测电压和第二感测电压；模数转换器，被配置为分别将第一感测电压和第二感测电压转换成第一数字码和第二数字码；以及判决电路，被配置为比较第一数字码和第二数字码，并被配置为基于该比较输出表明另一近场通信装置是否在所述近场通信装置的通信范围内的检测信号。

【技术特征摘要】
2015.09.14 KR 10-2015-01294621.一种近场通信装置的标签检测器，所述标签检测器包括：电流监测器，被配置为在预设阶段和检测阶段中监测在调整器中流动的电流，以分别产生第一感测电流和第二感测电流，调整器将发送电源电压输出至所述近场通信装置的发送器；电流电压转换器，被配置为分别将第一感测电流和第二感测电流转换成第一感测电压和第二感测电压；模数转换器，被配置为分别将第一感测电压和第二感测电压转换成第一数字码和第二数字码；以及判决电路，被配置为比较第一数字码和第二数字码，并被配置为基于该比较输出表明另一近场通信装置是否在所述近场通信装置的通信范围内的检测信号。2.根据权利要求1所述的标签检测器，其中，电流监测器包括：第一电流生成器，连接在第一电源电压与第一节点之间，连接至调整器，并被配置为产生与在调整器中流动的电流相同的第一电流；参考电流生成器，连接在第二电源电压与第二节点之间，并被配置为产生参考电流；第二电流生成器，连接在第一节点、第二节点与地电压之间，并被配置为产生是参考电流的N倍的第二电流，N是正实数；第三电流生成器，连接在第一节点、第三节点与地电压之间，并被配置为基于第一电流和第二电流之间的差产生第三电流；以及第四电流生成器，连接在第二电源电压、第三节点与输出节点之间，并被配置为产生是第三电流的两倍的感测电流，其中，第一电源电压的电平大于第二电源电压的电平。3.根据权利要求2所述的标签检测器，其中，第一电流生成器包括：第一p沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第一电源电压的源极和连接至调整器的运算放大器的输出端子的栅极；以及第二p沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第一p沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极的源极、被配置为接收调整器控制信号的栅极和连接至第一节点的漏极，调整器控制信号输入至调整器，其中，第一电流从第一电源电压流动至第一节点。4.根据权利要求2所述的标签检测器，其中，参考电流生成器包括：第一p沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第二电源电压的源极和被配置为接收第一偏置信号的栅极；以及第二p沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第一p沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极的源极、被配置为接收第二偏置信号的栅极和连接至第二节点的漏极，其中，参考电流从第二电源电压流动至第二节点。5.根据权利要求2所述的标签检测器，其中，第二电流生成器包括：第一n沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第一节点的漏极；第二n沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第一n沟道金属氧化物半导体晶体管的源极的漏极和连接至地电压的源极；第三n沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第二节点的漏极和连接至第一n沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极的栅极；以及第四n沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第三n沟道金属氧化物半导体晶体管的源极的漏极、连接至地电压的源极和连接至第二n沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极并连接至第二节点的栅极，其中，第二电流通过第一n沟道金属氧化物半导体晶体管和第二n沟道金属氧化物半导体晶体管从第一节点流动至地电压。6.根据权利要求2所述的标签检测器，其中，第三电流生成器包括：第一n沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第一节点的漏极；第二n沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第一n沟道金属氧化物半导体晶体管的源极的漏极和连接至地电压的源极；第三n沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第三节点的漏极和连接至第一n沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极的栅极；以及第四n沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第三n沟道金属氧化物半导体晶体管的源极的漏极、连接至地电压的源极和连接至第二n沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极并连接至第一节点的栅极，其中，第三电流通过第一n沟道金属氧化物半导体晶体管和第二n沟道金属氧化物半导体晶体管从第一节点流动至地电压。7.根据权利要求2所述的标签检测器，其中，第四电流生成器包括：第一p沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第二电源电压的源极；第二p沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第一p沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极的源极和连接至第三节点的漏极；第三p沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第二电源电压的源极和连接至第一p沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极并连接至第三节点的栅极；以及第四p沟道金属氧化物半导体晶体管，包括连接至第三p沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极的源极、连接至输出节点的漏极和连接至第二p沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极的栅极，其中，感测电流从第二电源电压通过第三p沟道金属氧化物半导体晶体管和第四p沟道金属氧化物半导体晶体管流动至输出节点。8.根据权利要求1所述的标签检测器，其中，电流电压转换器包括：电阻器，在输入节点与最后节点之间串联连接，第一感测电流和第二感测电流输入至该输入节点；第一n沟道金属氧化物半导体晶体管，分别连接至在电阻器之间的一个或更多个连接节点并连接至最后节点；以及第二n沟道金属氧化物半导体晶体管，连接在第一n沟道金属氧化物半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇佑，文炳泽，金俊镐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR