含有具有苯基生色团的硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在半导体装置的制造中使用的基板与抗蚀剂(例如，光致抗蚀剂、电子束抗蚀剂)之间形成下层膜的组合物。更详细地说，涉及在半导体装置制造的光刻工序中用于形成作为光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，涉及使用该下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案的形成方法。
技术介绍
一直以来在半导体装置的制造中，通过使用光致抗蚀剂的光刻进行微细加工。上述微细加工是在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜，在其上隔着描绘了半导体装置图案的掩模图案来照射紫外线等活性光线，并进行显影，将得到的光致抗蚀剂图案作为保护膜而对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面上形成与上述图案对应的微细凹凸的加工方法。但是近年来，半导体装置的高集成化在发展，所使用的活性光线也有从KrF准分子激光(248nm)转向ArF准分子激光(193nm)的短波长化趋势。随之而来的活性光线从半导体基板反射的影响就成为一个大问题。此外，作为半导体基板和光致抗蚀剂之间的下层膜，已使用了作为含有硅、钛等金属元素的硬掩模被已知的膜。在这种情况下，对于抗蚀剂和硬掩模，由于其构成成分有很大差别，通过...
【技术保护点】
一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷，该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7摩尔％以上，R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)式(1)中，R1表示式(2)所示的有机基团，并且R1通过Si‑C键与硅原子结合，式(2)中，X和Y分别表示氧原子或硫原子，但X和Y不同时表示同一种原子，R6表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，R4表示可被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R5表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，n表示0～4的整数，R2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.17 JP 2014-1243111.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷，该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7摩尔％以上，R1aR2bSi(R3)4-(a+b)式(1)式(1)中，R1表示式(2)所示的有机基团，并且R1通过Si-C键与硅原子结合，式(2)中，X和Y分别表示氧原子或硫原子，但X和Y不同时表示同一种原子，R6表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，R4表示可被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R5表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，n表示0～4的整数，R2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，并且R2通过Si-C键与硅原子结合，R3表示烷氧基、酰氧基或卤素基，a表示整数1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。2.如权利要求1所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7～50摩尔％。3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该水解性硅烷为式(1)所示的水解性硅烷与其它水解性硅烷的组合，其它水解性硅烷为选自式(3)和式(4)中的至少1种水解性硅烷，R7cSi(R8)4-c式(3)式(3)中，R7表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基团，并且R7通过Si-C键与硅原子结合，R8表示烷氧基、酰氧基或卤素基，c表示0～3的整数，式(4)中，R9表示烷基，并且R9通过Si-C键与硅原子结合，R10表示烷氧基、酰氧基或卤素基，YR表示亚烷基或亚芳基，d表示整数0或1，e表示整数0或1。4.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为下层膜形成用聚合物含有水解性硅烷的水解缩合物，所述水解性硅烷含有由权利要求1中记载的式(1)所示的水解性硅烷和权利要求3中记载的式(3)所示的水解...
【专利技术属性】
技术研发人员：中岛诚，柴山亘，武田谕，高濑显司，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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