上层膜形成用组合物以及使用了其的抗蚀图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种上层膜形成用组合物与使用了其的图案形成方法，所述上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光的图案形成方法中，可形成粗糙度和/或图案形状优异的图案。一种上层膜形成用组合物、以及将该组合物涂布于抗蚀层表面，通过曝光显影从而形成图案的方法，所述上层膜形成用组合物的特征在于，包含具有芳香族性羟基的芳香族化合物以及水性溶剂。该组合物也可进一步包含粘合剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在光刻法中使用的上层膜形成用组合物。更具体涉及：在想要利用光刻法而形成抗蚀图案的情况下，用于在将极紫外线用抗蚀膜进行曝光之前，形成在抗蚀膜之上形成的上层膜的组合物。另外，本专利技术也涉及使用了这样的上层膜形成用组合物的图案形成方法。
技术介绍
近年来，伴随着各种装置的小型化，人们对于半导体集成电路的高集成化提出更高要求，为了应对于这样的要求，因而要求也将抗蚀图案制成更微细。为了应对于这样的需求，因而需要在光刻法中利用波长更短的光进行曝光。由此，使用的光的波长变得更短，从使用可见光起，变为使用紫外线、远紫外线，进一步变为使用极紫外线。例如，在IC和/或LSI等半导体设备的制造过程中，更具体而言在DRAM、闪存、逻辑(logic)系半导体的制造过程中，人们要求形成超微细图案，因而基于极紫外线的光刻的重要性在日益增高。对应于此，人们正在开发对于各个波长的光具有灵敏度的各种抗蚀组合物。此处可认为，在使用了极紫外线的光刻法中，可利用以往市售的大部分的化学放大型抗蚀剂。具体而言，在利用极紫外线进行曝光的光刻中，也可利用一般的KrF激光曝光用抗蚀剂或者ArF激光曝光用抗蚀剂。但是现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上层膜形成用组合物，其特征在于，其是用于形成在抗蚀膜之上形成的上层膜的上层膜形成用组合物，包含具有芳香族性羟基的分子量为180～800的芳香族化合物以及水性溶剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.21 JP 2014-1055111.一种上层膜形成用组合物，其特征在于，其是用于形成在抗蚀膜之上形成的上层膜的上层膜形成用组合物，包含具有芳香族性羟基的分子量为180～800的芳香族化合物以及水性溶剂。2.根据权利要求1所述的上层膜形成用组合物，其中，所述芳香族化合物包含从由酚骨架、萘酚骨架、羟基蒽骨架、羟基蒽醌骨架、双酚骨架以及羟基苯并吡喃骨架组成的组中选出的结构。3.根据权利要求1或2所述的上层膜形成用组合物，其中，所述芳香族化合物进一步具有非芳香族性亲水性基团。4.根据权利要求3所述的上层膜形成用组合物，其中，所述非芳香族性亲水性基团从由羟基、羧基、磺酸基、硝基、氰基、氨基、酰胺基、硝基、羧酸酯基以及聚环氧烷基组成的组中选出。5.根据权利要求1～4中任一项所述的上层膜形成用组合物，其中，所述芳香族化合物进一步具有深紫外线吸收基。6.根据权利要求5所述的上层膜形成用组合物，其中，所述深紫外线吸收基是芳香族基团。7.根据权利要求1～6中任一项所述的上层膜形成用组合物，其中，所述芳香族化合物的熔点为100℃以上。8.根据权利要求1～7中任一项所述的上层膜形成用组合物，其中，所述芳香族化合物不包含除了氢、碳、氮、氧以及硫以外的原子。9.根据权利要求1～8中任一项所述的上层膜形成用组合物，其中，所述芳香族化合物由下述...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木理人，王晓伟，冈安哲雄，滨祐介，G·帕夫洛夫斯基，
申请(专利权)人：AZ电子材料卢森堡有限公司，
类型：发明
国别省市：卢森堡;LU