图像传感器和图像传感器系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种图像传感器和图像传感器系统。本实用新型专利技术提供一种图像传感器，所述图像传感器包括衬底，所述衬底具有前表面和后表面；在所述衬底的所述前表面中形成的第一电荷存储区域；在所述衬底的所述前表面中形成的第二电荷存储区域；以及在所述衬底的所述后表面中形成的沟槽隔离结构。本实用新型专利技术用于图像传感器领域。本实用新型专利技术的一个技术效果是避免不期望的像素串扰和信号衰减，从而保持传感器信号的完整性。

【技术实现步骤摘要】

本技术整体涉及图像传感器，更具体地讲，涉及背照式(BSI)图像传感器。
技术介绍
电子设备(例如移动电话、相机、计算机)中通常使用图像传感器来捕捉图像。本领域采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或电荷耦合器件(CCD)技术，在半导体衬底上制出常规的图像传感器。图像传感器可包括在衬底前表面中形成的光电二极管和其他操作电路(例如晶体管)。介电叠层在衬底前表面上直接形成在光电二极管顶部上。介电叠层包括形成于介电材料内的金属路由线和金属通路。介电叠层中通常形成光导，用于引导入射光的轨迹。介电叠层上方形成滤色镜阵列，赋予每个像素对一定范围内波长的灵敏度。滤色镜阵列上可形成微透镜。光从图像传感器的正面射入(即，光先射入微透镜，再穿过滤色镜行进到介电叠层中)。以这种方式使用的图像传感器称为前照式(FSI)图像传感器。这种图像传感器使用光导朝光电二极管引导入射光。然而入射光在穿过介电叠层时，有时被金属路由线和金属通路反射和吸收。这导致不期望的像素串扰和信号衰减。为解决这些问题，本领域已开发出背照式图像传感器。但是，由于以指定光电二极管为目标的杂散光仍可能无意间渗漏到衬底的区域中，这种图像传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底具有前表面和后表面；在所述衬底的所述前表面中形成的第一电荷存储区域；在所述衬底的所述前表面中形成的第二电荷存储区域；以及在所述衬底的所述后表面中形成的沟槽隔离结构。

【技术特征摘要】
2015.06.30 US 14/788,1681.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底具有前表面和后表面；在所述衬底的所述前表面中形成的第一电荷存储区域；在所述衬底的所述前表面中形成的第二电荷存储区域；以及在所述衬底的所述后表面中形成的沟槽隔离结构。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构与所述第一电荷存储区域和所述第二电荷存储区域中的仅仅一个区域重叠。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构由呈现了与所述衬底相同的折射率的材料形成。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构由选自包括下列材料的组中的一种材料形成：多晶硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、二氧化钛、硅化铝、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化钒、硅化铬、硅化钴。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构是导电的。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·兰臣克夫，S·威利卡奥，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US