图案结构体制造技术

本发明专利技术提供一种图案结构体(100)。该图案结构体(100)包括基材(10)和利用原子层沉积法在基材(10)的表面(10S)之上形成的图案膜(14)。图案膜(14)包括相对于基材(10)的表面(10S)倾斜且朝向与基材(10)的表面(10S)的法线方向相交叉的方向(A)突出的端部(14A)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图案结构体。
技术介绍
公知有使用原子层沉积法(ALD法)在抗蚀剂图案之上形成薄膜，然后使用剥离(liftoff)法将抗蚀剂图案去除，从而形成图案膜的方法(例如参照专利文献1～4)。在该方法中，通过在基板之上涂布了抗蚀剂之后对抗蚀剂进行曝光及显影来形成抗蚀剂图案。专利文献专利文献1：日本特开2011－40656号公报专利文献2：日本特开2009－157977号公报专利文献3：日本特开2007－335727号公报专利文献4：日本特开2008－547150号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题图8是示意性地示出按照上述方式形成图案膜的方法的各工序的图。首先，如图8的(A)所示，在使用光刻法而形成于基板510之上的抗蚀剂图案512之上，利用原子层沉积法形成薄膜614。在使用光刻法在基板510上形成抗蚀剂图案512时，抗蚀剂图案512的侧表面垂直地立于基板510的表面510S上。另一方面，利用原子层沉积法形成的薄膜614具有优异的覆盖性。因此，利用原子层沉积法形成的薄膜614也沿着抗蚀剂图案512的侧表面以垂直于基板510的表面510S的方式延伸。接下来，如图8的(B)所示，使用剥离法来去除抗蚀剂图案512。其结果，薄膜614的形成在抗蚀剂图案512之上的那一部分也被去除。在这种情况下，由薄膜614形成的图案膜514的端部514A垂直地立于基板510的表面510S上。因此，例如，在图案膜514之上设置各向异性导电膜(ACF)等功能膜的情况下，存在在图案膜514的端部514A附近，各向异性导电膜的导通性这样的功能膜特性降低的隐患。用于解决问题的方案本专利技术的目的在于提供能够抑制图案膜端部的隆起的图案结构体。本专利技术的一技术方案的图案结构体包括基材和利用原子层沉积法在所述基材的表面之上形成的图案膜，所述图案膜具备相对于所述基材的所述表面倾斜且朝向与所述基材的所述表面的法线方向相交叉的方向突出的端部。在该图案结构体中，图案膜的端部不是朝向基材表面的法线方向突出。因此，能够抑制图案膜的端部隆起。也可以是，所述端部具有沿所述端部突出的方向延伸的上表面，所述基材的所述表面与所述端部的所述上表面所成的角度的最大值为大于0°且小于或等于60°。在这种情况下，能够进一步抑制图案膜端部的隆起。也可以是，从所述基材的所述表面的所述法线方向观察，所述图案膜的边缘的至少一部分具有不规则形状。在这种情况下，例如在图案膜之上设置其它构件时，该构件与图案膜的边缘的至少一部分之间的接触面积增大。由此，该构件与图案膜之间的密合性提高。本专利技术的另一技术方案的图案结构体包括基材和利用原子层沉积法在所述基材的表面之上形成的图案膜，从所述基材的所述表面的法线方向观察，所述图案膜的边缘的至少一部分具有不规则形状。在该图案结构体中，例如在图案膜之上设置其它构件时，该构件与图案膜的边缘的至少一部分之间的接触面积增大。由此，该构件与图案膜之间的密合性提高。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供图案膜端部的隆起得到抑制的图案结构体。附图说明图1是示意性地示出实施方式的图案结构体俯视图。图2是图案结构体的沿着图1的II－II线的剖视图。图3是表示一实施例的图案结构体的TEM剖面的图。图4是表示一实施例的图案结构体的TEM剖面的图。图5是表示一实施例的图案结构体的平面形状的图。图6是示意性地示出实施方式的图案结构体的制造方法的各工序的图。图7是示意性地示出其它实施方式的图案结构体的图。图8是示意性地示出使用抗蚀剂图案形成图案膜的方法的各工序的图。具体实施方式以下参照附图详细地说明本专利技术的实施方式。在附图说明中，对于相同或等同的要素使用相同的附图标记，省略重复的说明。图1是示意性地示出实施方式的图案结构体的俯视图。图2是图案结构体的沿着图1的II－II线的剖视图。在图1及图2中示出XYZ正交坐标系。图1及图2中所示的图案结构体100包括基材10和利用原子层沉积法在基材10的表面10S之上形成的图案膜14。基材10的表面10S例如是与XY平面平行的平面。图案膜14如后所述能够利用原子层沉积法及剥离法形成。图案膜14能够包括朝向相对于基材10的表面10S以角度θ倾斜的方向A突出的端部14A。方向A与基材10的表面10S的法线方向(Z方向)相交叉。端部14A形成为例如凸檐或悬臂。端部14A能够设为在从Z方向观察时成为图案膜14的边缘14E的至少一部分。端部14A具有沿方向A延伸的上表面14S。上表面14S以越靠近图案膜14的边缘14E则与基材10的表面10S距离越远的方式延伸。上表面14S是例如平面。上表面14S也可以是凸面等曲面。在端部14A和表面10S之间形成间隙。即，由端部14A及表面10S形成袋状部。端部14A的形状例如能够通过调整剥离材料的形状来控制。基材10的表面10S与端部14A的上表面14S所成的角度θ(锐角角度)的最大值可以是大于0°且小于或等于60°，优选45°以下，更优选10°以下。角度θ能够根据图案结构体100的在透射电子显微镜(TEM)下的剖面图像测得。在上表面14S为曲面的情况下，角度θ是上表面14S上的点的切线与基材10的表面10S所成的角度。因此，在上表面14S是曲面的情况下，根据上表面14S上的位置的不同，角度θ的值不同。角度θ例如能够通过调整剥离材料的形状来控制。图3及图4是表示一实施例的图案结构体的TEM剖面的图。在图3中，图案膜的端部的上表面是平面。在图4中，图案膜的端部的上表面是凸面。图3及图4表示同一图案结构体的不同位置处的TEM剖面。在本实施例中，图案膜由多个铝氧化物层和多个锆氧化物层交替层叠而形成。各铝氧化物层的厚度是4nm。各锆氧化物层的厚度是4nm。图案膜的厚度是20nm。基材是玻璃基板。角度θ例如通过下述方式计算出。首先，使用聚焦离子束加工(FIB加工)制作图案结构体的试样。然后，使用“株式会社日立ハイテクノロジーズ”制透射电子显微镜HF－3300获取试样的TEM剖面图像。接下来，在所获取的TEM剖面图像上，计算出基材表面与图案膜端部的上表面所成的角度θ。在本实施例中，角度θ的最大值为45°以下。图案膜14能够包括与端部14A连结的主体部14B。主体部14B沿着基材10的表面10S延伸。图案膜14的厚度可以是10nm以上，优选200nm以下，更优选100nm以下。在图案膜14的厚度为200nm以下时，图案膜14的生产率较高。可以是，图案膜14的厚度在从主体部14B到端部14A的范围内恒定。若图案膜14较厚，则图案膜14的刚性高，因此存在角度θ变小的倾向。也可以是，在从基材10的表面10S的法线方向(Z方向)观察时，图案膜14的边缘14E的至少一部分具有不规则形状。也可以是，图案膜14的边缘14E在全长80％以上的部分具有不规则形状。不规则形状是通过将利用原子层沉积法形成的薄膜的一部分剥离掉而形成的，例如包括波形状、锯齿状等。图案膜14的边缘14E无规则地自基准线P偏离。在图案膜14的边缘14E上，在将第1点和第2点之间的最短距离设为D1、将第1点与第2点之间的沿着边缘14E的路径设为D2的情况下，D2/D1可以是1.1以上，也可以是2以下。图案膜14的端部14A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案结构体，其中，该图案结构体包括：基材；以及利用原子层沉积法在所述基材的表面之上形成的图案膜，所述图案膜具备相对于所述基材的所述表面倾斜且朝向与所述基材的所述表面的法线方向相交叉的方向突出的端部。

【技术特征摘要】
1.一种图案结构体，其中，该图案结构体包括：基材；以及利用原子层沉积法在所述基材的表面之上形成的图案膜，所述图案膜具备相对于所述基材的所述表面倾斜且朝向与所述基材的所述表面的法线方向相交叉的方向突出的端部。2.根据权利要求1所述的图案结构体，其中，所述端部...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本公康，伊藤浩之，市川秀寿，泷川诚一，
申请(专利权)人：三菱铅笔株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP