一种杏叶柯组培苗生根诱导方法技术

本发明专利技术公开了一种杏叶柯组培苗生根诱导方法，选取经常规组培中壮芽培养35～40d的杏叶柯继代芽，进一步选取修剪后接种于预生根培养基中，经过30～35d预生根培养后再转入生根培养基中进行培养。本发明专利技术缩短了杏叶柯继代芽生根周期，生根率高，根系多，质量好，生根组培苗移栽成活率高，可实现杏叶柯组培产业化育苗，为人工无性系林的建设提供优质种苗，具有较好的经济效益、社会效益和生态效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及杏叶柯无性繁殖技术，尤其是一种杏叶柯组培苗生根诱导方法。
技术介绍
杏叶柯（Lithocarpusamygdalifolius(Skan)Hayata）又名杏叶石栎、红椆、岭梅，系壳斗科（Fagaceae）柯属（Lithocarpus）乔木，春夏季抽出的新枝及嫩叶背面密被黄棕色卷柔毛，秋后毛全部脱落。雄穗状花序单穗腋生或多穗排成圆锥花序，花序轴密被柔毛；雌花每3朵一簇，有时兼有单朵散生。壳斗近圆球形，全包坚果，呈不连续的环状；坚果的果壁比壳斗壁稍厚，坚果顶部被微柔毛。分布于台湾中部及南部、福建南部、广东东南部约北回归线以南地区、海南。生于海拔1100-2300米常绿阔叶林或针叶、阔叶混交林中，常为上层树种。目前，杏叶柯资源仍处于野生分布状态，但随着保持植物多样性的需求，规模化人工栽培杏叶柯资源势在必行。组织培养技术是一种快速无性繁殖技术，选择杏叶柯优良家系或者无性系为材料，通过组织培养方法繁殖苗木，既可以满足生产上的数量要求，又可保持母本性状。然而在组培过程中，常常出现生根率低、生根不统一、根系数量少以及根系不粗壮的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能提高杏叶柯组培苗的生根率，根系数量以及根系萌发整齐度的杏叶柯组培苗生根诱导方法。为了实现上述专利技术目的，本专利技术的技术方案如下：一种杏叶柯组培苗生根诱导方法，选取增殖继代杏叶柯小苗，先进行预生根培养，然后再进行生根培养，置于适宜环境中培养，获得带根组培苗，主要操作步骤如下：（1）取材：选取经常规组培中壮芽培养35～40d的杏叶柯继代芽，消毒瓶子外表后，在超净工作台上的无菌空间内，选取继代芽丛中生长健壮、高度1～2cm的单芽，于节下2～3mm处剪切，清除基部叶片和叶柄，备用；（2）预生根培养：将步骤（1）修剪后的单芽接种于预生根培养基中,在特定的光温环境中进行预生根培养；（3）生根培养：待步骤（2）中的单芽经过30～35d预生根培养后，将单芽转接入生根培养基，在特定的光温环境中进行生根培养。以上所述的预生根培养基其原料含量为：1/2改良MS培养基+NAA1.0～2.0mg/L+活性炭6g/L++VC15mg/L+蔗糖25g/L+琼脂5.0g/L。以上所述的生根培养基其原料含量为：1/2改良MS培养基+IBA1.0～2.0mg/L+ABT1#0.5～2.0mg/L+蔗糖25g/L+琼脂5.0g/L。以上所述的改良MS培养基的基本组成为：KNO3920mg/L；NH4NO3880mg/L；CaCl2·2H2O260mg/L；MgSO4·7H2O410mg/L；Ca(NO3)2·4H2O600mg/L；KH2PO4320mg/L；MnSO4·H2O22.3mg/L；ZnSO4·7H2O8.6mg/L；CuSO4·5H2O0.025mg/L；H3BO36.2mg/L；Na2MoO4·2H2O0.025mg/L；KI0.83mg/L；CoCl2·6H2O0.025mg/L；维生素B11.0mg/L；维生素B60.5mg/L；烟酸0.5mg/L；甘氨酸2.0mg/L；肌醇90mg/L。以上步骤（2）和步骤（3）所述的光温环境为：温度20±1℃，湿度40～45%，光照强度2000～2500lux，光照15～16h/d。本专利技术具有的优点及有益效果如下：1、本专利技术采用1/2改良MS培养基作为基本培养基，同时重点调整了与杏叶柯生根的相关的微量元素和有机成分，使得培养基更科学，更有针对性，更易促使杏叶柯继代芽生根，效果显著。2、本专利技术在生根诱导前采用低浓度NAA和抗坏血酸（VC）对继代单芽进行预生根培养，然后再进行生根培养，可使组培苗发根统一，发根速度快，根系粗壮且数量较多。3、本专利技术在增殖继代单芽经过30～35d时间预生根培养后转入生根培养，即可达到预生根培养效果，又避免了小苗在预生根培养阶段长出根系而使后期生根培养发根不整齐。4、本专利技术的在特定的光温条件下进行预生根和生根培养，适应杏叶柯组培苗的生长特性，促进苗木的生长。5、本专利技术缩短了杏叶柯继代芽生根周期，生根率高，根系多，质量好，生根组培苗移栽成活率高，可实现杏叶柯组培产业化育苗，为人工无性系林的建设提供优质种苗，具有较好的经济效益、社会效益和生态效益。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。实施例1：选取经常规组培中壮芽培养35～36d的杏叶柯继代芽，消毒瓶子外表后，在超净工作台上的无菌空间内，选取继代芽丛中生长健壮、高度1～2cm的单芽，于节下2～3mm处剪切，清除基部叶片和叶柄。将修剪后的单芽接种于预生根培养基中,置于温度20±1℃，湿度40%，光照强度2000lux，光照16h/d的条件下进行预生根培养。其中所述的预生根培养基其原料含量为：1/2改良MS培养基+NAA1.0mg/L+活性炭6g/L++VC15mg/L+蔗糖25g/L+琼脂5.0g/L。单芽经过30～35d预生根培养后，将单芽转接入生根培养基，置于温度20±1℃，湿度40%，光照强度2000lux，光照16h/d的条件下进行生根培养。所述的生根培养基其原料含量为：1/2改良MS培养基+IBA1.0mg/L+ABT1#0.5mg/L+蔗糖25g/L+琼脂5.0g/L。以上所述的改良MS培养基的基本组成为：KNO3920mg/L；NH4NO3880mg/L；CaCl2·2H2O260mg/L；MgSO4·7H2O410mg/L；Ca(NO3)2·4H2O600mg/L；KH2PO4320mg/L；MnSO4·H2O22.3mg/L；ZnSO4·7H2O8.6mg/L；CuSO4·5H2O0.025mg/L；H3BO36.2mg/L；Na2MoO4·2H2O0.025mg/L；KI0.83mg/L；CoCl2·6H2O0.025mg/L；维生素B11.0mg/L；维生素B60.5mg/L；烟酸0.5mg/L；甘氨酸2.0mg/L；肌醇90mg/L。实施例2：选取经常规组培中壮芽培养36～37d的杏叶柯继代芽，消毒瓶子外表后，在超净工作台上的无菌空间内，选取继代芽丛中生长健壮、高度1～2cm的单芽，于节下2～3mm处剪切，清除基部叶片和叶柄。将修剪后的单芽接种于预生根培养基中,置于温度20±1℃，湿度40%，光照强度2500lux，光照15h/d的条件下进行预生根培养。其中所述的预生根培养基其原料含量为：1/2改良MS培养基+NAA1.5mg/L+活性炭6g/L++VC15mg/L+蔗糖25g/L+琼脂5.0g/L。单芽经过30～35d预生根培养后，将单芽转接入生根培养基，置于温度20±1℃，湿度40%，光照强度2500lux，光照15h/d的条件下进行生根培养。所述的生根培养基其原料含量为：1/2改良MS培养基+IBA1.0mg/L+ABT1#1.0mg/L+蔗糖25g/L+琼脂5.0g/L。以上所述的改良MS培养基的基本组成为：KNO3920mg/L；NH4NO3880mg/L；CaCl2·2H2O260mg/L；MgSO4·7H2O410mg/L；Ca(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种杏叶柯组培苗生根诱导方法，其特征在于：选取增殖继代杏叶柯小苗，先进行预生根培养，然后再进行生根培养，置于适宜环境中培养，获得带根组培苗，主要操作步骤如下：（1）取材：选取经常规组培中壮芽培养35～40d的杏叶柯继代芽，消毒瓶子外表后，在超净工作台上的无菌空间内，选取继代芽丛中生长健壮、高度1～2cm的单芽，于节下2～3mm处剪切，清除基部叶片和叶柄，备用；（2）预生根培养：将步骤（1）修剪后的单芽接种于预生根培养基中,在特定的光温环境中进行预生根培养；（3）生根培养：待步骤（2）中的单芽经过30～35d预生根培养后，将单芽转接入生根培养基，在特定的光温环境中进行生根培养。

【技术特征摘要】
1.一种杏叶柯组培苗生根诱导方法，其特征在于：选取增殖继代杏叶柯小苗，先进行预生根培养，然后再进行生根培养，置于适宜环境中培养，获得带根组培苗，主要操作步骤如下：（1）取材：选取经常规组培中壮芽培养35～40d的杏叶柯继代芽，消毒瓶子外表后，在超净工作台上的无菌空间内，选取继代芽丛中生长健壮、高度1～2cm的单芽，于节下2～3mm处剪切，清除基部叶片和叶柄，备用；（2）预生根培养：将步骤（1）修剪后的单芽接种于预生根培养基中,在特定的光温环境中进行预生根培养；（3）生根培养：待步骤（2）中的单芽经过30～35d预生根培养后，将单芽转接入生根培养基，在特定的光温环境中进行生根培养。2.根据权利要求1所述的一种杏叶柯组培苗生根诱导方法，其特征在于：所述的预生根培养基其原料含量为：1/2改良MS培养基+NAA1.0～2.0mg/L+活性炭6g/L++VC15mg/L+蔗糖25g/L+琼脂5.0g/L。3.根据权利要求1所述的一种杏叶柯组培苗生根诱导方法，其特征在于：所述的生根培养基其原料含量为：1/2改良MS培养基+IBA1.0～2.0mg/L...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文卫，
申请(专利权)人：柳州玲通科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：广西;45