用于执行损耗均衡操作的设备及方法技术

本发明专利技术描述了用于执行损耗均衡操作的命令的设备及方法。实例设备可包含存储器，其经配置以接收损耗均衡命令且响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作。所述存储器可进一步经配置以响应于全局写入计数超过阈值而推荐提供损耗均衡命令到所述存储器。所述全局写入计数可指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
存储器可包含在多种设备(例如计算机或其它装置)中，所述其它装置包含(但不限于)便携式存储器装置、固态硬盘、个人数字助手、音乐播放器、相机、电话、无线装置、显示器、芯片组、机顶盒、游戏系统、车辆及电器。存储器可为易失性的，其中需要电力来存储日期，且可为非易失性的，其中即使未提供电力到存储器也能存储数据，或易失性与非易失性存储器的组合。存在许多不同类型的易失性及非易失性存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器及电阻可变式存储器等。例如电阻可变式存储器装置的存储器可用作各种电子装置的非易失性存储器。电阻可变式存储器装置可包含(例如)相变存储器(PCM)或电阻式存储器等。在一些实例中，可期望使用PCM来实施随机存取存储器。由于使用PCM作为RAM替代品的限制，存储器系统中的PCM的操作可受到限制及/或需要额外机构来操作。例如，与RAM相比，PCM的块可限于相对较低次数的写入操作，且可需要额外的内务处理机构(例如，损耗均衡操作、刷新操作)来确保可行的RAM替代品。
技术实现思路
本文中揭示用于执行损耗均衡的设备及方法。一种实例设备可包含存储器，其经配置以接收损耗均衡命令且响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作。所述存储器可进一步经配置以响应于全局写入计数或局部写入计数中的至少一者超过阈值而推荐提供损耗均衡命令到所述存储器，所述全局写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数，且所述局部写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行的写入操作的次数。另一实例设备可包含阵列及耦合到所述阵列的存储器控制单元。所述存储器控制单元可经配置以接收损耗均衡命令并响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作。所述存储器控制单元可进一步经配置以执行所述损耗均衡操作，使得将与所述阵列的最大循环块相关联的逻辑地址指派到所述阵列的备用块且将与所述阵列的最小循环块相关联的逻辑地址指派到所述阵列的所述最大循环块。且设备的又另一实例可包含存储器，其经配置以响应于自从执行损耗均衡操作以来执行第一次数的写入操作或自从执行所述损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行第二次数的写入操作中的至少一者而推荐提供所述损耗均衡命令到所述存储器。用于执行损耗均衡的实例方法可包含确定全局写入计数或局部写入计数中的至少一者是否超过阈值。其中所述全局写入计数可指示自从存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数，且所述局部写入计数可指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行的写入操作的次数。所述方法可进一步包含接收损耗均衡命令。所述方法可进一步包含如果所述全局写入计数或所述局部写入计数中的所述至少一者不超过所述阈值，那么忽略所述损耗均衡命令，及如果所述全局写入计数或所述局部写入计数中的所述至少一者超过所述阈值，那么根据所述损耗均衡命令执行损耗均衡操作。本文中还可解释另一实例方法。所述方法可包含接收损耗均衡命令及响应于所述损耗均衡命令而选择性地执行损耗均衡操作。其中所述损耗均衡操作可包含识别阵列的最大循环块、最小循环块及备用块；将所述最小循环块的逻辑地址指派到所述最大循环块的物理地址；将所述备用块的逻辑地址指派到所述最小循环块的物理地址；及将所述最大循环块的逻辑地址指派到所述备用块的物理地址。附图说明图1是根据本专利技术的实施例的设备的框图。图2是说明根据本专利技术的实施例的旗标状态寄存器的实例位指派的表格。图3是根据本专利技术的实施例的存储器的框图。图4是根据本专利技术的实施例的用于执行损耗均衡操作的方法的流程图。图5A是根据本专利技术的实施例的损耗均衡操作期间的初始块地址映射布置的示意图。图5B是根据本专利技术的实施例的损耗均衡操作期间的中间块地址映射布置的示意图。图5C是根据本专利技术的实施例的损耗均衡操作期间的中间块地址映射布置的示意图。图5D是根据本专利技术的实施例的损耗均衡操作期间的中间块地址映射布置的示意图。图5E是根据本专利技术的实施例的损耗均衡操作期间的中间块地址映射布置的示意图。图5F是根据本专利技术的实施例的损耗均衡操作期间的最终块地址映射布置的示意图。具体实施方式本文中描述了用于执行损耗均衡操作的命令的设备及方法。下文中陈述特定细节以提供对本专利技术的实施例的足够了解。然而，所属领域的技术人员应清楚，本专利技术的实施例可在不具有这些特定细节的情况下实践。此外，本文描述的本专利技术的特定实施例是以实例的形式提供且不应被用于将本专利技术的范围限制于这些特定实施例。在其它实例中，未详细展示众所周知的电路、控制信号、时序协议及软件操作以便避免不必要地模糊本专利技术。图1是根据本专利技术的实施例的设备100的框图。所述设备可包括电路、一或多个半导体裸片、封装半导体、包含此电路、裸片或封装的装置及/或包含此装置的系统。设备100可包含主机110(例如，存储器控制器)及存储器120。主机110及存储器120可由命令及地址(CA)总线130及数据总线135耦合。存储器120可经配置以通过CA总线130从主机110接收命令及/或地址，且存储器可经配置以通过总线135接收信息及/或提供信息。通过总线135接收及提供的信息可包含例如由存储器120存储及/或从存储器提供的数据。虽然主机110及存储器120被描述为通过CA总线130及数据总线135提供信号，但是在一些实例中，可使用单个总线来提供信号。例如，在至少一个实施例中，主机110可经配置以通过单个共享总线将命令、地址及数据提供到存储器120且从存储器120接收数据。存储器120可经配置以响应于由主机110提供的经接收存储器命令及/或地址而执行操作(例如，读取操作、写入操作或损耗均衡操作)。例如，存储器120可响应于读取命令通过数据总线135将数据提供到主机110，且可响应于写入命令而存储通过数据总线135接收的数据。作为另一实例，存储器120可响应于下文进一步描述的损耗均衡命令而执行损耗均衡操作。存储器120可进一步通过数据总线135将信息提供到主机110。由存储器120提供到主机110的信息可(例如)包含在响应于一或多个命令而提供到主机110的确认中。可(例如)在可变延时周期之后提供确认。参考图2，表格200说明由存储器120提供到主机110的确认的实例位指派。通常，确认可包含与等待状态相关联的信息，例如，可变延时是否结束，及/或可包含与一或多个当前指令相关联的信息。例如，确认可指示已经接受命令(例如读取命令或写入命令)且存储器120将执行命令(例如，“001”)。确认可进一步指示先前操作期间发生错误，例如锁定错误(例如，“101”)。此外或替代地，确认可指示存储器120推荐主机110提供损耗均衡命令(例如，“011”)。在一些实例中，存储器120可经配置以跟踪由存储器120执行的写入操作。特定地，存储器120可跟踪“全局写入计数”或自从存储器120上一次执行损耗均衡操作以来由存储器120执行的写入操作的次数。一旦全局写入计数超过阈值，存储器120可推荐主机110提供损耗均衡命令。在一些实例中，存储器120可基于全局写入计数选择性地忽略损耗均衡命令。如果全局写入计数不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，其包括：存储器，其经配置以接收损耗均衡命令且响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作，所述存储器进一步经配置以响应于全局写入计数或局部写入计数中的至少一者超过阈值而推荐提供损耗均衡命令到所述存储器，所述全局写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数，且所述局部写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行的写入操作的次数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.28 US 14/288,6631.一种设备，其包括：存储器，其经配置以接收损耗均衡命令且响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作，所述存储器进一步经配置以响应于全局写入计数或局部写入计数中的至少一者超过阈值而推荐提供损耗均衡命令到所述存储器，所述全局写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来由所述存储器执行的写入操作的次数，且所述局部写入计数指示自从所述存储器执行损耗均衡操作以来对所述存储器的块执行的写入操作的次数。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：主机，其耦合到所述存储器，且经配置以响应于所述存储器推荐提供损耗均衡命令到所述存储器而提供所述损耗均衡命令。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器进一步经配置以使用确认推荐提供损耗均衡命令到所述存储器，所述存储器经配置以响应于存储器命令而提供所述确认。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器经配置以根据静态损耗均衡、动态损耗均衡或其组合执行所述损耗均衡操作。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述阈值是第一阈值，且其中所述存储器进一步经配置以响应于所述全局写入计数超过大于或等于所述第一阈值的第二阈值而自动地执行损耗均衡操作。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器进一步经配置以在所述存储器正执行所述损耗均衡操作时将旗标状态寄存器的位的状态设置为第一状态，且在所述储器未执行所述损耗均衡操作时将所述旗标状态寄存器的所述位的所述状态设置为第二状态。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器经配置以使用第一总线接收所述损耗均衡命令且推荐使用第二总线提供损耗均衡命令到所述存储器。8.一种设备，其包括：阵列；及存储器控制单元，其耦合到所述阵列且经配置以接收损耗均衡命令并响应于所述损耗均衡命令而执行损耗均衡操作，所述存储器控制单元进一步经配置以执行所述损耗均衡操作，使得将与所述阵列的最大循环块相关联的逻辑地址指派到所述阵列的备用块，且将与所述阵列的最小循环块相关联的逻辑地址指派到所述阵列的所述最大循环块。9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括：旗标状态寄存器，其包含指示所述存储器控制单元是否正执行损耗均衡操作的位，其中所述存储器控制单元进一步经配置以在所述存储器控制单元正执行所述损耗均衡操作时将所述位置于第一状态中，且在所述存储器控制单元完成所述损耗均衡操作时将所述位置于第二状态中。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述存储器控制单元进一步经配置以响应于读取旗标状态寄存器命令而提供所述位的所述状态。11.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以响应于全局写入计数超过阈值而自动地执行损耗均衡操作。12.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以响应于局部写入计数超过阈值而自动地执行损耗均衡操作。13.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以使用地址映射识别与所述阵列的所述最大循环块相关联的所述逻辑地址及与所述阵列的所述最小循环块相关联的所述逻辑地址，其中所述存储器控制单元包含多个地址寄存器，所述地址寄存器经配置以在所述损耗均衡操作期间存储与所述阵列的所述最大循环块相关联的所述逻辑地址及与所述阵列的所述最小循环块相关联的所述逻辑地址。14.根据权利要求8所述的设备，其中所述阵列包括非易失性存储器。15.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以使用所述阵列的计数映射识别所述阵列的所述最大循环块及所述阵列的所述最小循环块。16.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元经配置以基于全局写入计数选择性地忽略所述损耗均衡命令。17.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器控制单元包含用于执行所述损耗均衡操作的损耗均衡逻辑。18.根据权利要求8所述的设备，其中所述阵列包括：地址映射，其经配置以将与所述阵列的所述最大循环块相关联的所述逻...

【专利技术属性】
技术研发人员：多梅尼科·蒙泰莱奥内，贾科莫·贝尔纳迪，卢卡·波尔齐奥，格拉齐亚诺·米里希尼，斯特凡诺·扎纳尔迪，埃尔米尼奥·迪·马蒂诺，
申请(专利权)人：美光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US