电子产品用无铅玻璃制造技术

本发明专利技术公开了一种电子产品用无铅玻璃，包括下列组份：ＳｉＯ↓［２］４５－５０％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］１５－２０％、Ｋ↓［２］Ｏ１０－１５％、Ｎａ↓［２］Ｏ５－１０％、ＺｎＯ１０－１５％、ＴｉＯ↓［２］５－１０％，本发明专利技术用Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｎａ↓［２］Ｏ、ＺｎＯ、Ｔｉ↓［２］Ｏ等取代ＰｂＯ，可以在保持较低的玻璃软化温度的同时，实现电子产品玻壳无铅化，并且本发明专利技术所用的Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｎａ↓［２］Ｏ、ＺｎＯ、Ｔｉ↓［２］Ｏ等ＰｂＯ的替代物，来源广泛、成本不高，可以为广大用户所接受。

Lead free glass for electronic products

The invention discloses an electronic product with lead-free glass, comprising the following components: SiO: 2, B: 45 - 50% 2 O: 3, K: 15 - 20% - 2 O10 - 15%, Na: 2 O5 - 10%, ZnO10 - 15%, down TiO 2 - 5 - 10%, the invention of B: 2 O: 3, Na: 2 O, ZnO, Ti: 2 O to replace PbO, can maintain a low glass softening temperature at the same time, realize the electronic products lead-free glass, and used by the invention B: 2 O: 3, Na: 2 O, ZnO, Ti: 2 O PbO substitute, wide source and low cost, which can be accepted by users.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子产品用无铅玻璃。
技术介绍
玻璃有高温玻璃和低温玻璃两种，高温玻璃，使用在如家中玻璃门窗等用途，因不含铅，软化温度为700℃～800℃，溶化温度为1400℃～1500℃，这种玻璃因软化温度过高，不适用于电子产品中，尤其是半导体，因半导体在生产过程中需扩散磷与硼(扩散的温度约700℃)，再以特殊的氧化处理(大约600℃)使其形式成正负极而成为半导体中的二极管，及因这种高温玻璃软化温度变化在700℃～800℃，如使用在二极管中会把二极管特性破坏，所以市面上就开发低温玻璃，其软化温度在500℃～600℃，溶化温度为1100℃～1200℃，可使用在二极管温度刚好不破坏其特性。但是，目前使用的低温玻壳中皆含有氧化铅，成份为SiO232％、K2O 4％、Al2O32％、PbO 62％，混合以上比例搅拌，再经1200℃熔制，二极管玻璃壳生产工艺流程图最后制成玻璃壳成品。据统计，目前全球电子信息产品每年使用的封装材料中将近有2万吨的铅。如何有效限制铅的使用，已经成为当今电子信息产业必须面对的重要课题，环境是人类赖以生存的条件，电子信息产业是全球经济的增长点，这两个方面我们缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子产品用无铅玻璃，包括下列组份：ＳｉＯ↓［２］４５－５０％Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］１５－２０％Ｋ↓［２］Ｏ１０－１５％Ｎａ↓［２］Ｏ５－１０％ＺｎＯ１０－１５％ＴｉＯ↓［２］５－１０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈上达，
申请(专利权)人：建大电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]