本发明专利技术公开了一种高功率因数线性恒流LED芯片，涉及LED芯片技术领域，包括芯片本身，1脚连接有设在芯片内的运算放大器1和运算放大器2的负相输入管，2脚连接有所述运算放大器2的输出端和设在芯片内的控制器，3脚连接有控制器，控制器的另一端还分别连接有负电压比较器和接地，4脚连接有设在芯片内的滤波器，滤波器连接有负电压比较器，5脚连接有设在芯片内的上/下钳位器和运算放大器3的负相输入端，6脚连接有地和通过MOS管连接有设在芯片内的运算放大器4的接地端，7脚通过三极管和MOS管连接有所述运算放大器4的电源端和接地端，运算放大器4的输入端连接有所述滤波器，8脚分别通过稳压管接地和连接有稳压器。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED芯片
，特别涉及一种高功率因数线性恒流LED芯片。
技术介绍
LED芯片是LED灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。在AC/DC或DC/DC转换开关电源的控制中，为了提高转换效率，通常采用同步整流控制技术。对同步整流开关器件如NMOSFET的控制需要和一个负电压进行比较。实际电路设计中，通常把负电压转换成大于零的正电压。但由于集成电路工艺误差，同步整流器件关断的比较早，达不到效率最佳化的目的。本专利技术提出一种具有显著提升的高功率因数线性恒流LED芯片。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种高功率因数线性恒流LED芯片，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供以下的技术方案：一种高功率因数线性恒流LED芯片，包括芯片本身，所述芯片有1-8引脚，所述1脚连接有设在芯片内的运算放大器1和运算放大器2的负相输入管，所述2脚连接有所述运算放大器2的输出端和设在芯片内的控制器，所述3脚连接有所述控制器，控制器的另一端还分别连接有负电压比较器和接地，所述4脚连接有设在芯片内的滤波器，所述滤波器连接有所述负电压比较器，所述5脚连接有设在芯片内的上/下钳位器和运算放大器3的负相输入端，所述运算放大器3内含有施密特触发器，所述6脚连接有地和通过MOS管连接有设在芯片内的运算放大器4的接地端，所述7脚分别通过三极管和MOS管连接有所述运算放大器4的电源端和接地端，运算放大器4的输入端连接有所述滤波器，所述8脚分别通过稳压管接地和连接有设在芯片内的稳压器。优选的，所述运算放大器1内含有施密特触发器，且输出端为放电端，所述运算放大器2的正相输入端连接有所述稳压器，所述稳压器还连接有设在所述芯片内的内部电源。优选的，所述运算放大器2还连接有设在所述芯片内的过电压侦测器，所述过电压侦测器连接有设在芯片内的运算放大器6的输入端，所述运算放大器6内含有施密特触发器。优选的，所述运算放大器3的输出端和设在所述芯片内的启动器连接有一个二输入或门，所述二输入或门的输入端连接有设在芯片内的RS触发器，所述RS触发器还连接有所述负电压比较器。优选的，所述MOS管外还串联有二极管构成的支路。优选的，所述8脚还通过电阻Ⅰ连接有设在所述芯片内的运算放大器5的负相输入端，运算放大器5内含有施密特触发器，电阻I还通过电阻Ⅱ接地。优选的，所述过电压侦测器的另一条支路、运算放大器5的输出端、运算放大器6的输出端连接有一个四输入或非门，所述四输入或非门的输出端和RS触发器的另一端通过通过一个二输入与门连接有所述运算放大器4的输入端，所述RS触发器连接有所述二输入与门的支路上还设有一条支路连接有所述启动器，四输入或非门的另一个输入口为放电端。采用以上技术方案的有益效果是：应用于功率因素调节控制AD/DC开关电源系统的本芯片，本专利技术是交流/直流转换LED照明驱动电源的核心部件智能控制器芯片、节能电源模块以及低压低功耗直流/直流转换电源管理电路。控制器芯片广泛应用于中小功率范围的各类高频开关电源模块，如手机充电电源、手提电脑电源、液晶电视电源、有关家用电器电源以及LED照明等多种应用场合。当用于LED照明控制时，芯片的功能是实施对电源的开关控制，实现高功率因数、达到降低待机功耗、提高电源转换效率和保持在所需输出电压变化范围内实现恒流输出，而且本专利技术的比起普通LED芯片灵敏度更高，且启动电流和静态电流比较低。附图说明图1是本专利技术的电路原理图。图2是本专利技术中负电压比较器的电路原理图。图3是本专利技术具体的应用电路的电路原理图。其中，1-运算放大器Ⅰ，21-电阻R1，202-电阻R2，203-电阻R3，204-电阻R4，205-电阻R5，206-电阻R6，207-电阻R7，208-电阻R8，301-MOS管0，302-MOS管1，303-MOS管2，304-MOS管3，305-MOS管4，306-MOS管5，307-MOS管6，4-电流源I0，5-220V输出交流电源,6-整流桥，601-上行输入端，602-下行输入端，603-输出端，604-中间输入端，701-运算放大器1，702-运算放大器2，703-运算放大器3，704-运算放大器4，705-运算放大器5,706-运算放大器6,801-电阻Ⅰ，802-电阻Ⅱ，9-控制器,10-负电压比较器,11-稳压管,12-滤波器,13-上/下钳位器,14-三极管，15-MOS管,16-稳压器,17-内部电源,18-过电压侦测器,19-启动器，20二输入或门，21-RS触发器，22-二极管，23-四输入或非门,24-二输入与门，25-变压器，2601-R1电阻，2602-R2电阻，2603-R3电阻，2604-电阻R4，2605-R5电阻，2606-R6电阻，2607-R7电阻，2608-R8电阻，2609-R9电阻，2610-R10A电阻，2611-R10B电阻，2612-R11电阻，2613-R12电阻R，2614-R13A电阻，2615-R13B电阻，2701-C1电容，2702-C2电容，2703-C3电容，2704-C4电容，2705-C5电容，2706-C6电容,2801-D1二极管，2802-D2二极管,29-LED灯组，30-MOS管Ⅰ，31-热敏电阻。具体实施方式下面结合附图详细说明本专利技术高功率因数线性恒流LED芯片的具体实施方式。实施例1图1出示本专利技术高功率因数线性恒流LED芯片的具体实施方式：一种高功率因数线性恒流LED芯片，包括芯片本身，所述芯片有1-8引脚，所述1脚连接有设在芯片内的运算放大器1701和运算放大器2702的负相输入管，运算放大器1701和运算放大器2702构成了1脚的误差放大器反相输入端。所述2脚连接有所述运算放大器2702的输出端和设在芯片内的控制器9，控制器9的作用为乘数和THD多路输入优化，形成了补偿网络设置。所述3脚连接有所述控制器9，控制器9的另一端还分别连接有负电压比较器10和通过接地，所述4脚连接有设在芯片内的滤波器12，滤波器12主要是脉冲上升边缘遮没。所述滤波器12连接有所述负电压比较器10，所述5脚连接有设在芯片内的上/下钳位器13和运算放大器3703的负相输入端，所述运算放大器3703内含有施密特触发器，所述6脚连接有地和通过MOS管15连接有设在芯片内的运算放大器4704的接地端，所述7脚分别通过三极管14和MOS管15连接有所述运算放大器4704的电源端和接地端，运算放大器4704的输入端连接有所述滤波器12，所述8脚分别通过稳压管11接地和连接有设在芯片内的稳压器16。在本实施例中，所述运算放大器1701内含有施密特触发器，且输出端为放电端，所述运算放大器2702的正相输入端连接有所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高功率因数线性恒流LED芯片，包括芯片本身，其特征在于：所述芯片有1‑8引脚，所述1脚连接有设在芯片内的运算放大器1和运算放大器2的负相输入管，所述2脚连接有所述运算放大器2的输出端和设在芯片内的控制器，所述3脚连接有所述控制器，控制器的另一端还分别连接有负电压比较器和接地，所述4脚连接有设在芯片内的滤波器，所述滤波器连接有所述负电压比较器，所述5脚连接有设在芯片内的上/下钳位器和运算放大器3的负相输入端，所述运算放大器3内含有施密特触发器，所述6脚连接有地和通过MOS管连接有设在芯片内的运算放大器4的接地端，所述7脚分别通过三极管和MOS管连接有所述运算放大器4的电源端和接地端，运算放大器4的输入端连接有所述滤波器，所述8脚分别通过稳压管接地和连接有设在芯片内的稳压器。
【技术特征摘要】
1.一种高功率因数线性恒流LED芯片，包括芯片本身，其特征在于：所述芯片有1-8引脚，所述1脚连接有设在芯片内的运算放大器1和运算放大器2的负相输入管，所述2脚连接有所述运算放大器2的输出端和设在芯片内的控制器，所述3脚连接有所述控制器，控制器的另一端还分别连接有负电压比较器和接地，所述4脚连接有设在芯片内的滤波器，所述滤波器连接有所述负电压比较器，所述5脚连接有设在芯片内的上/下钳位器和运算放大器3的负相输入端，所述运算放大器3内含有施密特触发器，所述6脚连接有地和通过MOS管连接有设在芯片内的运算放大器4的接地端，所述7脚分别通过三极管和MOS管连接有所述运算放大器4的电源端和接地端，运算放大器4的输入端连接有所述滤波器，所述8脚分别通过稳压管接地和连接有设在芯片内的稳压器。2.根据权利要求1所述的一种高功率因数线性恒流LED芯片，其特征在于，所述运算放大器1内含有施密特触发器，且输出端为放电端，所述运算放大器2的正相输入端连接有所述稳压器，所述稳压器还连接有设在所述芯片内的内部电源。3.根据权利要求1所述的一种高功率因数线性恒流LED芯片，其特征在于，所述运算放大器2还连接有设在所述芯片内的过电压侦...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄胜明，张冬平，
申请(专利权)人：芜湖鑫芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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