移动设备及其通信装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于移动设备的通信装置，包括：第一非连续接收器、同向双工器、天线以及射频低通滤波器，所述第一非连续接收器、所述射频低通滤波器、所述同向双工器以及所述天线依次连接。本实用新型专利技术还公开了一种具有该通信装置的移动设备。在采用SVLTE模式的移动设备中，利用射频低通滤波器解决了DE‑SENSE问题，并且仅采用Murata0201物料搭建射频低通滤波器的电路，在改善接收性能的同时还可以降低研发成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于通信
，具体地讲，涉及一种能够消除耦合灵敏度劣化(DE-SENSE)的移动设备及其通信装置。
技术介绍
在采用SVLTE(SimultaneousVoiceandLTE(LongTermEvolution，长期演进)，语音与LTE同步支持)模式的手机中，LTEB41(TD-LTE(TimeDivisionLongTermEvolution，分时长期演进)的一个频段)与CDMABC0(CDMA(CDMACodeDivisionMultipleAccess，码分多址)的一个频段)需要同时工作，此时，它们会通过分频器相互干扰，从而影响彼此的接收性能，并引入耦合灵敏度劣化(DE-SENSE)的问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的目的在于提供一种能够消除耦合灵敏度劣化(DE-SENSE)且降低研发成本的移动设备及其通信装置。根据本技术的一方面，提供了一种用于移动设备的通信装置，包括：第一非连续接收器、同向双工器、天线以及射频低通滤波器，所述第一非连续接收器、所述射频低通滤波器、所述同向双工器以及所述天线依次连接。进一步地，所述射频低通滤波器包括：第一电容器、第二电容器以及电感器，所述电感器的一端连接到所述第一非连续接收器，所述电感器的另一端连接到所述同向双工器，所述第一电容器的一端连接到所述电感器的一端，所述第一电容器的另一端电性接地，所述第二电容器的一端连接到所述电感器的另一端，所述第二电容器的另一端电性接地。进一步地，所述射频低通滤波器的通带覆盖824MHz到920MHz，所述射频低通滤波器的阻带覆盖1710MHz到2700MHz。进一步地，所述射频低通滤波器的通带内插入损耗大于-2dB，所述射频低通滤波器的阻带内插入损耗小于-20dB。进一步地，所述移动设备还包括：功率放大器、第一收发器，所述功率放大器连接到所述第一非连续接收器，所述第一收发器连接到所述功率放大器并连接到所述第一非连续接收器。进一步地，所述第一非连续接收器为CDMABC0非连续接收器，所述功率放大器为CDMABC0功率放大器，所述第一收发器为CDMA收发器。进一步地，所述移动设备还包括：单刀三掷开关、第二非连续接收器、第二收发器，所述单刀三掷开关连接到同向双工器，所述第二非连续接收器连接到所述单刀三掷开关，所述第二收发器连接到所述第二非连续接收器。进一步地，所述第二非连续接收器为LTEB41非连续接收器，所述第二收发器为LTE&WCDMA收发器。根据本技术的另一方面，还提供了一种移动设备，其包括上述的移动设备。进一步地，所述移动设备为手机。本技术的有益效果：在采用SVLTE模式的移动设备中，利用射频低通滤波器解决了DE-SENSE问题，并且仅采用Murata0201物料搭建射频低通滤波器的电路，在改善接收性能的同时还可以降低研发成本。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本技术的用于移动设备的通信装置的架构示意图；图2是根据本技术的实施例的射频低通滤波器的电路图；图3是根据本技术的实施例的射频低通滤波器的理论插入损耗的曲线图；图4是根据本技术的实施例的射频低通滤波器的实际插入损耗的曲线图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本技术，并且本技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。图1是根据本技术的用于移动设备的通信装置的架构示意图。作为本技术的一种实施方式，移动设备可例如是手机，但本技术并不限制于此。参照图1，根据本技术的用于移动设备的通信装置包括：第一非连续接收器10、同向双工器20、天线30、射频低通滤波器40、功率放大器50、第一收发器60、单刀三掷开关70、第二非连续接收器80、第二收发器90。具体而言，第一非连续接收器10、射频低通滤波器40、同向双工器20以及天线30依次连接。功率放大器50连接到第一非连续接收器10。第一收发器60连接到功率放大器50并且连接到第一非连续接收器10。单刀三掷开关70连接到同向双工器20。第二非连续接收器80连接到单刀三掷开关70。第二收发器90连接到第二非连续接收器80。进一步地，第一非连续接收器10为CDMABC0(CDMA(CDMACodeDivisionMultipleAccess，码分多址)的一个频段)非连续接收器，功率放大器50为CDMABC0功率放大器，第一收发器60为CDMA收发器。第二非连续接收器80为LTEB41(TD-LTE(TimeDivisionLongTermEvolution，分时长期演进)的一个频段)非连续接收器，第二收发器90为LTE&WCDMA(WidebandCodeDivisionMultipleAccess，宽带码分多址)收发器。图2是根据本技术的实施例的射频低通滤波器的电路图。参照图2，根据本技术的实施例的射频低通滤波器40包括：第一电容器C1、第二电容器C2以及电感器L。电感器L的一端连接到第一非连续接收器10，电感器L的另一端连接到同向双工器20，第一电容器C1的一端连接到电感器L的一端，第一电容器C1的另一端电性接地，第二电容器C2的一端连接到电感器L的另一端，第二电容器C2的另一端电性接地。为保证根据本技术的实施例的移动设备在SVLTE(SimultaneousVoiceandLTE(LongTermEvolution，长期演进)，语音与LTE同步支持)模式下正常工作，需要保证射频低通滤波器40的通带覆盖824MHz到920MHz，且射频低通滤波器40的阻带覆盖1710MHz到2700MHz。同时，射频低通滤波器40的通带内插入损耗大于-2dB，且射频低通滤波器40的阻带内插入损耗小于-20dB。此时，理论上讲，第一电容器C1的电容值为8pF，第二电容器C2的电容值为8.5pF，电感器L的电感值为6.5nH。射频低通滤波器40的理论插入损耗如图3所示。图3是根据本技术的实施例的射频低通滤波器的理论插入损耗的曲线图。参照图3，射频低通滤波器的插入损耗为：S21(824MHz)＝-1.18，S21(920MHz)＝-1.49，S21(1710MHz)＝-25.75，S21(2700MHz)＝-51.54，理论设计结果满足设计要求。基于上述理论分析，采用Murata0201物料制作上述电容器和电感器，并根据实际调谐结果对电感理论值进行微调，最终选择第一电容器C1的电容值为8pF，第二电容器C2的电容值为9pF，电感器L的电感值为6.2nH。基于此设计得到的射频低通滤波器40的实际插入损耗测量值如图4所示。图4是根据本技术的实施例的射频低通滤波器的实际插入损耗的曲线图。参照图4，S21(824MHz)＝-1.64，S21(920MHz)＝-1.70，S21(1710MHz)＝-33.98，S21(2700MHz)＝-49.51，实测结果本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于移动设备的通信装置，包括：第一非连续接收器、同向双工器以及天线，其特征在于，所述移动设备还包括：射频低通滤波器，所述第一非连续接收器、所述射频低通滤波器、所述同向双工器以及所述天线依次连接。

【技术特征摘要】
1.一种用于移动设备的通信装置，包括：第一非连续接收器、同向双工器以及天线，其特征在于，所述移动设备还包括：射频低通滤波器，所述第一非连续接收器、所述射频低通滤波器、所述同向双工器以及所述天线依次连接。2.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，所述射频低通滤波器包括：第一电容器、第二电容器以及电感器，所述电感器的一端连接到所述第一非连续接收器，所述电感器的另一端连接到所述同向双工器，所述第一电容器的一端连接到所述电感器的一端，所述第一电容器的另一端电性接地，所述第二电容器的一端连接到所述电感器的另一端，所述第二电容器的另一端电性接地。3.根据权利要求1或2所述的通信装置，其特征在于，所述射频低通滤波器的通带覆盖824MHz到920MHz，所述射频低通滤波器的阻带覆盖1710MHz到2700MHz。4.根据权利要求1或2所述的通信装置，其特征在于，所述射频低通滤波器的通带内插入损耗大于-2dB，所述射频低通滤波器的阻带内插入损耗小于-20dB。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐恺，赵景峰，
申请(专利权)人：惠州TCL移动通信有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44