互电容式多点触摸屏制造技术

本发明专利技术是关于一种互电容式多点触摸屏，包括相互露出的一屏蔽结构与一导电条结构。导电条结构包括被提供一驱动信号的多条第一导电条与提供互电容性耦合信号的多条第二导电条，并且屏蔽结构被提供一直流信号。屏蔽结构促成每一个外部导电物件对互电容式多触摸屏的一接触范围大于一预设条件时，每一个外部导电物件电容性耦合于屏蔽结构的量大于电容性耦合于第二导电条的量或大于电容性耦合于导电条结构的量，或每一个外部导电物件电容性耦合于屏蔽结构与第一导电条的量大于电容性耦合于第二导电条的量，使得驱动信号藉由至少一第一外部导电物件流出导电条后再由至少一第二外部导电物件流入第二导电条的比例，随着第二外部导电物件的数量增加而减少。

【技术实现步骤摘要】
本专利申请是申请号为201110266163.0的名称为“互电容式多点触摸屏”的专利技术专利申请的分案申请，原申请的申请日是2011年08日26日。
本专利技术涉及一种互电容式触摸屏,特别是涉及一种降低负触影响的互电容式多点触摸屏。
技术介绍
请参照图1A所示，当驱动信号D经一条被驱动的导电条时，信号可能由同一只手的第一指A流到第二指B，造成在扫瞄感测信号SI的过程中，相应于第一指A与第二指B的被感测的导电条都会感测到互电容性耦合信号变化，分别如触碰相关感测信号SA与SB所示。由图1A可得知，其中触碰相关感测信号SA与SB的变化升降顺序相反，亦即信号相反。触碰相关感测信号SA代表相应于第一指A所在的被感测导电条与被驱动导电条交会区PA的电容性耦合的变化，存在正触(realtouch)。同样地，触碰相关感测信号SB代表相应于第二指B所在的被感测导电条与被驱动导电条交会区的电容性耦合的变化，然而，触碰相关感测信号SB所代表的交会区PB并没有被触碰，误判出了负触(unrealtouch)，即鬼点(phantomtouch)。在以下的说明中，因第一手指A的电容性耦合而流出导电条的信号称为正触信号，并且因第二手指B的电容性耦合而流入导电条的信号称为负触信号。因此由导电条侦测到相应于正触信号与负触信号的电容性耦合变化分别为正触的触碰相关感测信号与负触的触碰相关感测信号。请参照图1B所示，当第一指A与第二指B位于相近或相同的被感测的导电条时，相应的触碰相关感测信号SA与SB因信号相反而造成相互抵消，使得信号变小。当触碰相关感测信号SA与SB强度接近时，可能造成信号过小而无法判读出正触。在以下的说明中，因负触信号与正触信号邻近而造成侦测到的正触的电容性耦合变化量失真的情形称为负触效应。在上述例子中，第一指A与第二指B是隔着一绝缘表层与导电条电容性耦合，当绝缘表层越薄时，负触效应越大。亦即，侦测到的正触的电容性耦合变化量失真得越严重。此外，当造成负触的第二手指B的数量越多时，负触信号的总量越大，侦测到的正触的电容性耦合变化量失真得越严重，甚至将原本正触的触碰相关感测信号呈现为负触的触碰相关感测信号。换言之，在最糟情形(worstcase)下，所有第二指B与一第一指A都位于相同的被侦测导电条(detectedelectrodestrips)，此时负触效应为最大。显然地，在互电容式侦测时，对负触效应的容忍能力决定了是否能正确侦测出正触的位置与能够同时侦测出的正触位置的数量。上述的负触效应在可携式装置上更为严重，这是因为可携式装置系统的地与人体接触的地不同。由于市场的需求，可携式装置被要求越来越薄，因此电容式触摸屏也被要求必需越来越薄。电容式触摸屏往往被配置在显示器上面，显示器传导来的噪声会不断干扰电容式触摸屏，最直接的方法是在电容式触摸屏的背面(靠近显示器的部分)加上一层屏蔽层(rearshieldinglayer)，屏蔽层上加载一接地电位，以隔离显示器传导来的噪声。然而，屏蔽层的增加，必然增加电容式触摸屏的厚度，比较难以符合市场需求。要在不增加屏蔽层的情形下，同时降低显示器传导来的噪声的干扰，最常采用的技术手段就是在双层结构(DITO；doubleITO)中，将被提供驱动信号的导电条(被驱动的导电条)置于下层，并且将被感测的导电条置于上层，其中被驱动的导电条覆盖大部分的显示器，除了被提供驱动信号的导电条外，皆被提供接地电位，产生类似屏蔽层的效果。由于被感测的导电条在上层，为了降低负触效应，绝缘表层的厚度便无法有效地变薄。当绝缘表层使用的是玻璃材质时，被感测的导电条需要与手指头间需要保持在大约1.1mm以上。即使是使用塑胶材质来贴合用于支持的玻璃，被感测的导电条需要与手指头间需要保持在大约0.7mm以上。在绝缘表层的厚度有这样严格限制的情况下，就只能缩小被驱动导电条与被感测导电条间的绝缘中介层的厚度。相对于双层结构，单层结构(SITO；singleITO)的绝缘表层也有同样的绝缘表层的厚度限制，但由于没有绝缘中介层，整体厚度相对于双层结构薄上许多，但也失去了上述的类似屏蔽层的效果。如果无法有效降低显示器传导来的噪声的干扰，单层结构较适合设置在显示器内(Incell)。若是要置于显示器上方，屏蔽层就可能成为必要的选择。显示器传导来的噪声的干扰降低了判断出正触的位置的能力，而负触效应影响了判断多正触位置的能力。显然地，要将电容式触摸屏的厚度降低，可能需要考虑到被感测的导电条需要与手指头间的距离，甚至还可能要考虑如何抗显示器传导来的噪声的干扰。由此可见，上述现有技术显然存在有不便与缺陷，而极待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的技术，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
在互电容式多点触控荧幕(mutualcapacitivemulti-touchscreen)中进行多点互电容式侦测(mutualcapacitivemulti-touchdetection)时，驱动信号可能藉由电容性耦合经同手掌中第一指流通至第二指，可能减小用来表示正触的位置的信号或信号变化量，造成正触的误判。负触本专利技术的目的在将指间流通的负触效应降低。在互电容式多点触摸屏(mutualcapacitivemulti-touchscreen)中进行多点互电容式侦测(mutualcapacitivemulti-touchdetection)时，多个外部导电物件间流通的信号的电容性耦合流入互电容式多点触控荧幕可能造成被侦测到的正触的电容性耦合变化量严重失真，为了避免这问题，绝缘表层的厚度无法有效变薄。因此，本专利技术的目的在于，藉由互电容式多点触摸屏的导电条结构促使被驱动导电条与外部导电物件的电容性耦合大于被侦测导电条与外部导电物件的电容性耦合，降低驱动信号隔着绝缘表层藉由多个外部导电物件的电容性耦合从导电条流出后再流入被侦测导电条的比例。藉此，负触效应能够被降低，随着负触信号的降低，绝缘表层的厚度就可以更薄。另外，藉由在互电容式多点触摸屏加上被提供直流信号的屏蔽结构，与导电条结构相互露出，屏蔽结构促成每一个外部导电物件对互电容式多触摸屏的一接触范围大于一预本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一互电容式多点触摸屏，该互电容式多点触摸屏包括：具有包括相互露出的多条导电条的一导电条结构，该导电条结构包括：用于互电容式侦测时操作性地被提供一驱动信号的多条第一导电条；与提供互电容性耦合信号的多条第二导电条，所述的第一导电条与所述的第二导电条相互露出且分离；以及一屏蔽结构，该屏蔽结构被提供一直流信号并且与该导电条结构相互露出且隔离；连续地同时提供该驱动信号给至少一第一导电条，并且提供一直流信号给未被提供该驱动信号的第一导电条；以及在每一次该驱动信号被提供时依据所述的第二导电条提供的互电容性耦合信号产生一感测信号；其中所述的导电条结构促成每一个外部导电物件对电容式触控面板的一接触范围大于一预设条件时，每一个接触范围覆盖于耦合直流信号的电路的露出面积大于覆盖于提供互电容性耦合信号的导电条结构的露出面积。

【技术特征摘要】
2010.12.30 US 61/428,499;2011.01.24 US 61/435,568;1.一种互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在于其包括以下步
骤：
提供一互电容式多点触摸屏，该互电容式多点触摸屏包括：
具有包括相互露出的多条导电条的一导电条结构，该导电条结构包
括：
用于互电容式侦测时操作性地被提供一驱动信号的多条第一导电
条；与
提供互电容性耦合信号的多条第二导电条，所述的第一导电条与
所述的第二导电条相互露出且分离；以及
一屏蔽结构，该屏蔽结构被提供一直流信号并且与该导电条结构相
互露出且隔离；
连续地同时提供该驱动信号给至少一第一导电条，并且提供一直流信
号给未被提供该驱动信号的第一导电条；以及
在每一次该驱动信号被提供时依据所述的第二导电条提供的互电容性
耦合信号产生一感测信号；
其中所述的导电条结构促成每一个外部导电物件对电容式触控面板的
一接触范围大于一预设条件时，每一个接触范围覆盖于耦合直流信号的电
路的露出面积大于覆盖于提供互电容性耦合信号的导电条结构的露出面
积。
2.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在
于其中所述的每一条第二导电条具有多个开口，并且该屏蔽结构包括：
位于所述的多个开口的多个屏蔽片；以及
以串联且/或并联提供该直流信号至所述多个屏蔽片的多条屏蔽连接
线。
3.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在
于其中所述的每一条第一导电条与所述的每一条第二导电条具有多个开
口，并且该屏蔽结构包括：
位于所述的多个开口的多个屏蔽片；以及
以串联且/或并联提供该直流信号至所述多个屏蔽片的多条屏蔽连接
线。
4.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在
于其中该屏蔽结构包括多条屏蔽导电条，并且每一条第一导电条与每一条
第二导电条的两侧分别相邻一屏蔽导电条，所述的多条屏蔽导电条构成该

\t屏蔽结构，其中多条屏蔽导电条的外廓与相邻的第一导电条或第二导电条
的外廓相匹配。
5.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在
于其中该屏蔽结构包括多条屏蔽导电条，每一条屏蔽导电条的两侧分别相
邻一第一导电条或分别相邻一第二导电条，其中第一导电条与第二导电条
的外廓与相邻的多条屏蔽导电条的外廓相匹配。
6.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法,其特征在
于其中该屏蔽结构包括多条屏蔽导电条,所述的屏蔽导电条具有多个开口，其
中所述的屏蔽导电条间的间隙露出所述的第一导电条并且所述的开口露出
所述的第二导电条，或所述的屏蔽导电条间的间隙露出所述的第二导电条
并且所述的开口露出所述的第一导电条。
7.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在
于其中该屏蔽结构与所述的第一导电条位于同一层，其中所述的第二导电
条与所述的第一导电条位于同一层或所述的第一导电条位于一绝缘表层与
所述的第二导电条之间，其中所述的外部导电物件是接近或接触于该绝缘
表层。
8.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在
于其中每一个外部导电物件与所述的第二导电条的电容性耦合小于与该屏蔽结构
的电容性耦合或小于该屏蔽结构与所述的第一导电条的电容性耦合。
9.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在
于其中该预设条件为一宽度或一面积，并且所述的第一导电条露出的面积
大于所述的第二导电条露出的面积。
10.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征
在于其中该互电容式多点触摸屏的周围固接于一显示器，互电容式多点触
摸屏未固接于该显示器的部分随压力产生形变，其中该感测信号的每一个
值是分别依据三条第二导电条中的前两条第二导电条的信号差与后两条第
二导电条的信号差的差产生。
11.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征
在于其中所述的每一个接触范围覆盖于耦合直流信号的电路的露出面积大
于覆盖于提供互电容性耦合信号的导电条结构的露出面积，包含下列条件
之一：
每一个外部导电物件覆盖于该屏蔽结构的露出面积大于覆盖于第二导
电条的露出面积；
每一个外部导电物件覆盖于该屏蔽结构的露出面积大于覆盖于该导电
条结构的露出面积；以及
每一个外部导电物件覆盖于接收该直流信号的第一导电条及该屏蔽结
构的露出面积大于与第二导电条的露出面积。
12.根据权利要求1所述的互电容式多点触摸屏的侦测方法，其特征在
于其中所述的感测信号的每一个值分别为一对第二导电条的信号的差或分
别为三条第二导电条中前一对第二导电条的信号差与后一对第二导电条的
信号差的差，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦富，
申请(专利权)人：禾瑞亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71