新型抗干扰超声试块制造技术

新型抗干扰超声试块。涉及其中超声试块的结构的改进。结构精巧、使用效果好且抗干扰效果好，使用时可有效克服试块两端面的反射对人工缺陷回波识别。包括本体，所述本体上对称的开设有两圆弧槽，所述圆弧槽的槽底开设有若干短横孔，所述本体的同一侧端面上对称设有两对称设置的弧形凸块，所述弧形凸块呈四分之一圆弧状、且与本体连为一体，两所述弧形凸块相对设置且相接触。结构精巧、使用效果好且抗干扰效果好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及超声波检测领域，尤其涉及其中超声试块的结构的改进。
技术介绍
超声检测应用非常广泛，尤其是机械制造、电力行业、国防工业。对比试块(超声试块)在超声检测中是不可缺少的。其中CSK-ⅢA试块具有非常重要的地位。为了克服试块侧面和端面反射的影响，CSK-ⅢA试块在侧面短横孔处加工了两个R10圆弧槽，但是端面反射的影响仍然很大，严重的情况下无法区分人工缺陷信号与端面反射信号。具体的说，CSK-ⅢA试块是超声检测一种长240mm、宽150mm的基础标准试块，在中华人民共和国行业标准JB/T4730-2005(NB/T47013)《承压设备无损检测》有详细介绍。具体的结构如图1-2所示，其在使用时的干扰大多为以下两种情况：情况一、如图3所示，斜探头横波A1入射到端面产生变异纵波A2，变异纵波经A2底面反射后产生反射纵波A3被探头接收从而产生干扰，下文把这种情况的干扰简称为纵波入射纵波反射干扰；图中a表示A1与试块上表面所成夹角、b表示A2的反射角、c表示A2的入射角、d表示A3的反射角、Xw表示探头入射点到端面的距离(即探头位置)、Hw表示A1在人工缺陷的垂直轴线(假想线)上可探测的深程、Hx表示探头接收到反射波检测设备显示的深程。根据声波反射规律及相应位置关系，可列出相应关系式：tan(a)=1k]]>sin(a)3200=sin(b)5900]]>d=c=π2-b]]>Xw×tan(a)+[Xw-150×tan(d)]×tan(b)＝150Hw＝(Xw-40)×tan(a)Hx=12×[Xwcos(a)+150cos(d)×3259+Xw-150×tan(d)cos(b)×3259]×sin(a)]]>从而可根据K值计算出Xw、Hw、Hx，如表1所示，表1由于实际使用时，Hw与Hx之差越大，纵波入射纵波反射干扰就越小：10mm之内对检测人员干扰非常大，检测人员无法区分；Hw与Hx；20mm之内对检测人员干扰很大，检测人员区分Hw与Hx需要非常丰富的操作经验；30mm以上区分Hw与Hx非常容易。因此，根据上表1可知除K＝1.0～1.7的探头外，其余探头均有各自干扰区，尤其是K值大于2.0的探头。K值为2.2至3.0探头已很难区分试块上60mm、70mm、80mm的人工缺陷回波与干扰回波，K值为2.3或2.4的探头已无法区分试块上70mm的人工缺陷回波与干扰回波。也就是说CSK-ⅢA不适合K值大于2.2以上探头使用。情况二、如图4所示，斜探头横波A1入射到端面产生变异纵波A2，变异纵波A2经底面反射后产生的变异横波A4被探头接收从而产生干扰，下文把这种情况的干扰简称为纵波入射横波反射干扰。图中a表示A1与试块上表面所成夹角、b表示A2的反射角、c表示A2的入射角、d表示A4的反射角、Xw表示探头入射点到端面的距离(即探头位置)、Hw表示A1在人工缺陷的垂直轴线(假想线)上可探测的深程、Hx表示探头接收到反射波检测设备显示的深程。根据声波反射规律及相应位置关系，可列出相应关系式：tan(a)=1k]]>sin(a)3200=sin(b)5900]]>c=π2-b]]>sin(d)3200=sin(c)5900]]>Xw×tan(a)+[Xw-150×tan(d)]×tan(b)＝150Hw＝(Xw-40)×tan(a)从而可根据K值计算出Xw、Hw、Hx，如表2所示，表2从表(2)中可知，除K＝1.0～1.7的探头外，其余探头均有各自干扰区，尤其是K值大于2.2的探头。因为Hx与Hw之差较小(＜30mm)，所以对于K值为2.4至3.0探头区分这种干扰回波与试块上40mm、50mm的人工缺陷回波有一定难度，准确区分需要操作者有丰富经验。综上所述，现有技术的超声试块存在着反射干扰过大的问题，尤其受纵波入射纵波反射干扰以及纵波入射横波反射干扰严重，给超声实验的进行带来了极大的难度，成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术针对以上问题，提出了一种结构精巧、使用效果好且抗干扰效果好，使用时可有效克服试块两端面的反射对人工缺陷回波识别的干扰的新型抗干扰超声试块。本技术的技术方案为：包括本体，所述本体上对称的开设有两圆弧槽，所述圆弧槽的槽底开设有若干短横孔，所述本体的同一侧端面上对称设有两对称设置的弧形凸块，所述弧形凸块呈四分之一圆弧状、且与本体连为一体，两所述弧形凸块相对设置且相接触。所述本体的两侧端面上分别设有两弧形凸块。所述弧形凸块背向与其处在本体同一侧的弧形凸起的端面上开设有切槽，所述切槽与弧形凸块的该端面相垂直。所述切槽的深度为10mm，宽度为0.5mm，所述切槽与本体的间距为60mm。所述弧形凸块远离本体的一侧顶角处开设有弧形沉台。所述弧形沉台的厚度为5mm，所述弧形沉台与弧形凸块同轴心，所述弧形沉台呈圆心角为52°、宽度为30mm的弧形。本案通过两四分之一圆弧面代替现有技术的平面状的侧端面，从而有效克服了现有技术中试块两端面的反射对人工缺陷回波识别的干扰的问题，对纵波入射纵波反射干扰以及纵波入射横波反射干扰的消除效果好，具有结构精巧、使用效果好且抗干扰效果好的特点。附图说明图1是CSK-ⅢA试块的结构示意图，图2是图1的俯视图，图3是
技术介绍
中情况一的示意图，图4是
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中情况二的示意图，图5是本案的结构示意图，图6是图5的俯视图，图7是本案的优化实施方式示意图，图8是图7的俯视图，图9是本案的改进实施方式示意图，图10是具体实施方式中反射状态一的示意图一，图11是具体实施方式中反射状态一的示意图二，图12是具体实施方式中反射状态二的示意图，图13是具体实施方式中反射状态三的示意图，图14是具体实施方式中反射状态四的示意图一，图15是具体实施方式中反射状态四的示意图二，图16是具体实施方式中反射状态四的示意图三，图17是具体实施方式中反射状态四的示意图四，图18是具体实施方式中反射状态五的示意图，图19是具体实施方式中反射状态六的示意图，图20是具体实施方式中反射状态四的示意图一，图21是具体实施方式中反射状态四的示意图二，图22是具体实施方式中反射状态四的示意图三，图23是具体实施方式中反射状态四的示意图四；图中1是本体，11是圆弧槽，12是短横孔，13是弧形沉台，2是弧形凸块，20是切槽。具体实施方式本技术如图5-9所示，包括本体1，所述本体1上对称的开设有两个截面呈圆弧状的圆弧槽11，所述圆弧槽11的槽底开设有若干短横孔12，所述本体1的同一侧端面上对称设有两对称设置的弧形凸块2，所述弧形凸块2呈四分之一圆弧状、且与本体1连为一体，两所述弧形凸块2相对设置且相接触。所述本体1的两侧端面上分别设有两弧形凸块2。本技术的优化实施方式如图7-8所示，所述弧形凸块2背向与其处在本体1同一侧的弧形凸起的端面上开设有切槽20，所述切槽20与弧形凸块2的该端面相垂直。所述切槽的深度为10mm，宽度为0.5mm，所述切槽与本体的间距为60mm。如图9所示，所述弧形凸块2远离本体的一侧顶角处开设有弧形沉台13。所述弧形沉台的厚度(深度)为5mm，所述弧形沉台与弧形本文档来自技高网...

【技术保护点】
新型抗干扰超声试块，包括本体，所述本体上对称的开设有两圆弧槽，所述圆弧槽的槽底开设有若干短横孔，其特征在于，所述本体的同一侧端面上对称设有两对称设置的弧形凸块，所述弧形凸块呈四分之一圆弧状、且与本体连为一体，两所述弧形凸块相对设置且相接触。

【技术特征摘要】
1.新型抗干扰超声试块，包括本体，所述本体上对称的开设有两圆弧槽，所述圆弧槽的槽底开设有若干短横孔，其特征在于，所述本体的同一侧端面上对称设有两对称设置的弧形凸块，所述弧形凸块呈四分之一圆弧状、且与本体连为一体，两所述弧形凸块相对设置且相接触。2.根据权利要求1所述的新型抗干扰超声试块，其特征在于，所述本体的两侧端面上分别设有两弧形凸块。3.根据权利要求2所述的新型抗干扰超声试块，其特征在于，所述弧形凸块背向与其处在本体同一侧的弧形凸起的端面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱龙居，
申请(专利权)人：朱龙居，
类型：新型
国别省市：江苏;32