【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料的辐射致气体渗透测量
,具体涉及一种光辐射薄膜、金属和非金属薄片致气体渗透的测试装置和方法。
技术介绍
极紫外光刻(EUVL)技术是10nm及以下光刻节点最有前景的光刻技术之一。由于空气及绝大多数材料对13.5nm的EUV光具有强烈的吸收,因此EUV光束需置于真空中。在这种真空环境下,一些气体可导致反射镜的严重失效,如水蒸汽(H2O)导致其发生氧化,碳氢化合物(CxHy)导致其表面沉积碳层,因此需控制真空中污染性气体的含量。EUV光刻机内部具有大量的光电器件,必须采用密封壳体封装起来,以防止释放出污染性气体直接进入光刻机主腔室。在EUV光的直接或间接辐射下,一些封装材料的气体渗透率还可能会发生变化,因此有必要研究材料的辐射致气体渗透率变化情况。目前国内外主要集中于食品、药品和电子产品等包装材料气体渗透率的阻隔性研究,采用的方法很多,如称重法、传感器法、钙反应法、放射性示踪法、氦质谱检漏法和质谱法,其中前五种方法中有的测量灵敏度不高,有的局限了测量气体种类。而质谱法由于灵敏度高、测量速度快和对测试气体种类无限制,近年来逐渐推广起来,见美国专 ...
【技术保护点】
一种用于测试材料辐射致气体渗透的装置,该装置包括:真空腔室系统、辐射系统、抽气系统、供气系统和检测系统。
【技术特征摘要】
1.一种用于测试材料辐射致气体渗透的装置,该装置包括:真空腔室系统、辐射系统、抽气系统、供气系统和检测系统。2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述真空腔室系统包括左腔室(1)和右腔室(2),所述左腔室(1)和右腔室(2)是大小相同的圆柱体,通过刀口法兰连接成一体,所述刀口法兰间放置有待测材料,支撑网格焊接在右腔室(2)上,用于支撑待测材料;左腔室(1)与右腔室(2)合为一体时,其极限真空为1×10-7Pa。3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述辐射系统包括光源(5)及照明系统,用于产生辐射到待测材料(3)表面上的均匀光束。4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述抽气系统包括三个抽气通道,第一抽气通道的主抽泵为300L/s的磁悬浮分子泵(8),用于左腔室抽真空;第二抽气通道采用由两级分子泵串联组成的磁悬浮分子泵组(9)对右腔室抽真空,抽速分别为600L/s和300L/s;第一抽气通道和第二抽气通道共用第一干式机械泵(7)作为前级泵;第三抽气通道采用第二干式机械泵对金属密封圈(24)和橡胶密封圈(23)之间的空隙抽真空。5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述供气系统包括顺次连接的气瓶(16)、减压阀(17)、截止阀(18)和流量控制器(19),用于向真空腔室直接充入气体或流量可调且已知的气体,其中流量控制器(19)经过精确校准。6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述检测系统包括第一真空计(20)、第二真空计(21)和质谱计(22),其中第一真空计(20)、第二真空计(21)分别用于测试左腔室和右腔室的压力,第二真空计(21)经过精确校准,质谱计(22)用于测量右腔室的气体组分和分压。7.一种采用如权利要求1-6中任一项所述装置的材料辐射致气体渗透的测试方法,其用于测试材料的气体渗透率,包括如下步骤:步骤S1:放入待测材料样品(3),将左腔室(1)和右腔室(2)连接为一体,通过第一抽气通道和第二抽气通道,分别将左腔室(1)和右腔室(2)抽至极限真空;步骤S2:采用第二真空计(21)测量右腔室(2)的气体压力;步骤S3:调节供气系统的流量控制器(19)向左腔室(1)充入高纯气体i,使达到一定压力下的动态平衡;步骤S4:采用质谱计(22)记录右腔室(2)中气体i的分压增量ΔPi;该材料对气体i在该压力下的渗透率Ki(g·m-2·day-1)为:Ki=ΔPi·Sei·MiA·R·T]]>其中,Sei为有效抽速,单位m3/s;Mi为气体i的摩尔质量,单位g/mol;A为样品的面积,单位m2;R为气体常数,单位Pa·m3·K-1·mol-1;T为温度,单位K;其中,有效抽速Sei通过以下方式获得:步骤SS1:未放入待测材料,将左腔室(1)和右腔室(2)连接为一体,通过第一抽气通道和第二抽气通道,将系统抽至极限真空;步骤SS2:关闭第一抽气通道,调节流量控制器(19)向真空腔室系统中通入已知流量Qi的99.99%高纯气体i;步骤SS3:达到动态平衡后,采用质谱计(22)测量右腔室(2)的压力Pi。则第二抽气通道对该气体i的有效抽速为Sei=Qi/Pi。其中,为精确测试真空腔室中气体i的分压Pi,需对质谱计(22)进行校准...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴晓斌,罗艳,王魁波,陈进新,谢婉露,张罗莎,
申请(专利权)人:中国科学院光电研究院,
类型:发明
国别省市:北京;11
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