【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及集成电路技术。具体地说,本专利技术涉及芯片设计和验证,尤其是涉及一种用于加速芯片仿真和调试的方法以及配置成用于实现所述方法的芯片测试系统。
技术介绍
在当前的硅芯片设计中,由于设计复杂程度增加导致设计成本增加。随着芯片的门数增加,设计复杂程度和成本也显著增加。同时,由于要求增多以及激烈的市场竞争,芯片产品更新换代非常快,芯片厂商不得不缩短芯片设计周期,以便尽快将芯片产品市场化并且赢得竞争优势。随着芯片设计的设计复杂程度增加,编译和模拟时间变得越来越长,并且大多数编译和模拟被用来进行缺陷追踪以及验证现存缺陷是否已被修好。典型地,对于当今的图形处理单元(GPU),编译时间需要一个小时,但是模拟时间更长,例如六个小时或者更长。当芯片级模拟中存在错误的时候,知识产权(IP)设计者通常没有独立的测试平台来产生任意定义的激励,因此设计者不得不使用整个芯片级测试平台来重现失败。这非常耗时,并且其他IP设计者不能积极地参与并行调试,因为复制所述失败的另一副本来进行调试是非常耗时的,更不用说用于调试的另一个设计树所需要的巨大磁盘需求了。当设计者找到潜在漏洞时,他必须修改、重新编译和重新模拟所述芯片设计,在他通常发现所做的修补工作无效之前,这可能就需要好几个小时,并且不得不将修补-调试步骤重新来一遍。本领域中存在几种公知解决方案来加速编译和模拟。一种公知的解决方案是分区编译(例如预先编译的IP,也被称为PIP),其意味着分割整个测试平台(即测试系统)并且仅仅重新编译经修改的分区以减少重新编译时间。这种解决方案既没有减少模拟时间也不能使加速设计周期的调试活 ...
【技术保护点】
一种用于在芯片测试系统中加速芯片仿真和调试的方法,所述芯片测试系统包括待测子系统和激励子系统,其中,所述激励子系统充当所述待测子系统的激励源并且为所述待测子系统提供激励信号,所述方法包括:‑从第一时间点(T1)开始,在芯片测试系统中运行芯片测试程序;‑从所述第一时间点(T1)开始,记录所述激励子系统的激励信号(S1);‑如果所述待测子系统的响应信号在第二时间点(T2)发生错误,则停止运行所述芯片测试程序,并且利用所记录的激励信号(S1)生成虚拟激励发生器,其中,所述虚拟激励发生器被配置成产生虚拟激励信号(S2),所述虚拟激励信号(S2)与所述激励子系统从所述第一时间点(T1)至所述第二时间点(T2)所提供的激励信号(S1)相同;‑修改至少一个芯片设计参数;以及‑利用所述虚拟激励发生器替换所述激励子系统,并且通过使用所述虚拟激励发生器作为所述待测子系统的激励源在所述芯片测试系统中从所述第一时间点(T1)开始重新运行所述芯片测试程序。
【技术特征摘要】
1.一种用于在芯片测试系统中加速芯片仿真和调试的方法,所述芯片测试系统包括待测子系统和激励子系统,其中,所述激励子系统充当所述待测子系统的激励源并且为所述待测子系统提供激励信号,所述方法包括:-从第一时间点(T1)开始,在芯片测试系统中运行芯片测试程序;-从所述第一时间点(T1)开始,记录所述激励子系统的激励信号(S1);-如果所述待测子系统的响应信号在第二时间点(T2)发生错误,则停止运行所述芯片测试程序,并且利用所记录的激励信号(S1)生成虚拟激励发生器,其中,所述虚拟激励发生器被配置成产生虚拟激励信号(S2),所述虚拟激励信号(S2)与所述激励子系统从所述第一时间点(T1)至所述第二时间点(T2)所提供的激励信号(S1)相同;-修改至少一个芯片设计参数;以及-利用所述虚拟激励发生器替换所述激励子系统,并且通过使用所述虚拟激励发生器作为所述待测子系统的激励源在所述芯片测试系统中从所述第一时间点(T1)开始重新运行所述芯片测试程序。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法进一步包括:检测所述待测子系统的响应信号是否发生错误,如果所述待测子系统的响应信号未发生错误,则继续运行所述芯片测试程序直至所述芯片测试程序运行结束。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述方法进一步包括:在从所述第一时间点(T1)开始重新运行所述芯片测试程序之后,检测所述待测子系统的响应信号是否发生错误,如果所述待测子系
\t统的响应信号发生错误,则停止运行所述芯片测试程序,修改至少一个芯片设计参数,并且返回到从所述第一时间点(T1)开始重新运行所述芯片测试程序。4.根据权利要求1至3之一所述的方法,其中,基于所记录的激励信号(S1)自动产生所述虚拟激励发生器。5.根据权利要求1至3之一所述的方法,其中,所述虚拟激励发生器具有与所述激励子系统相同的接口。6.根据权利要求1至3之一所述的方法,其中,所述虚拟激励发生器通过编程语言接口、C语言、直接编程接口或者硬件描述语言来实现。7.一种芯片测试系统,其包括:-待测子系统和激励子系统,其中,所述激励子系统充当所述待测子系统的激励源...
【专利技术属性】
技术研发人员:张力,
申请(专利权)人:超威半导体上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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