半导体器件及其制备方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；使用第一光罩进行第一离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第一阱区；使用第二光罩进行第二离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第二阱区；在所述第一阱区内形成第二导电类型的第一扩散区；在所述第二阱区内形成第一导电类型的第二扩散区，其中所述第二阱区位于所述第一阱区的外侧，所述第一阱区内的第一导电类型的离子浓度低于所述第二阱区内的第一导电类型的离子浓度。本发明专利技术还包括所述方法制备得到的半导体器件和电子装置。与现有技术相比，根据本发明专利技术的制作方法所制备的半导体二极管器件及其电子装置能够提高ESD电压耐受及电流耐受能力，并且有效地减少漏电，提高器件的ESD性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法和电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点。然而，这种进步趋势对终端产品的可靠性会产生不利的影响：在半导体
中，静电放电(ESD)现象是对集成电路的一大威胁，其能够击穿集成电路和半导体元件，促使元件老化，降低生产成品率。因此，随着半导体制程工艺尺寸的不断减小，ESD防护设计在纳米级的CMOS技术中变得越来越具有挑战性和难度。在现有技术中，多层金属氧化物器件、陶瓷电容以及二极管都可以有效地起到ESD防护作用。其中现有技术通常使用MOS结构二极管来进行ESD防护。但由于MOS结构二极管的耐受电流由通道宽度决定，导致其耐受电流相对较低。因此，有必要提出一种新的ESD二极管器件制备方法，提高ESD电压耐受及电流耐受能力，并减少漏电。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
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【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：提供半导体衬底；步骤2：使用第一光罩进行第一离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第一阱区；步骤3：使用第二光罩进行第二离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第二阱区；步骤4：在所述第一阱区内形成第二导电类型的第一扩散区；步骤5：在所述第二阱区内形成第一导电类型的第二扩散区，其中所述第二阱区位于所述第一阱区的外侧，所述第一阱区内的第一导电类型的离子浓度低于所述第二阱区内的第一导电类型的离子浓度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：提供半导体衬底；步骤2：使用第一光罩进行第一离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第一阱区；步骤3：使用第二光罩进行第二离子注入，以在所述半导体衬底内形成具有第一导电类型的第二阱区；步骤4：在所述第一阱区内形成第二导电类型的第一扩散区；步骤5：在所述第二阱区内形成第一导电类型的第二扩散区，其中所述第二阱区位于所述第一阱区的外侧，所述第一阱区内的第一导电类型的离子浓度低于所述第二阱区内的第一导电类型的离子浓度。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中所述第二光罩与第一光罩的透光区形状彼此互补。3.根据权利要求1所述的制备方法，其中所述步骤3与步骤2的顺序互调。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：施森华，胡王凯，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31