具有至少一个斜面的硅基部件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及具有至少一个斜面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，由此使得由微加工硅基片形成的部件能够有美学改进和改善的机械强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有至少一个斜面/倒棱(chamfer)的硅基微机械部件及其制造方法。更具体地，本专利技术涉及通过微加工硅基片形成的这样一种部件。
技术介绍
瑞士专利698837披露了通过微加工非结晶或结晶材料(如晶体硅或多晶硅)的晶片而制造钟表部件。这种微加工通常是通过深反应离子蚀刻(也以“DRIE”的缩写为人所知)来实现的。如附图1至附图4所示，已知的微加工方法包括在基体3上构建掩模1(参见附图1，步骤A)，继之以“博世(Bosch)”深反应离子蚀刻，所述深反应离子蚀刻连续结合了蚀刻阶段(参见附图1，步骤B、D、E)继之以钝化阶段(参见附图1，步骤C，层4)，从而由掩模1的图样在晶片中获得各向异性的(即大体竖直的)蚀刻体5(参见附图2和附图4)。如附图3所示，“博世”深反应离子蚀刻的范例用实线示出了用于蚀刻硅晶片的SF6的流量，并用虚线示出了用于钝化(即保护)硅晶片的C4F8的流量，所述SF6和C4F8的流量以sccm计，所述sccm作为以秒计的时间的函数。由此可清晰地看到，各阶段是严格连续的，且每一阶段具有特定的流量和时间。在附图3的范例中，示有第一蚀刻阶段G1，所述第一蚀刻阶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造微机械部件(101、111)的方法(11)，所述微机械部件由硅基材料制成，所述方法包括以下步骤：a)取用硅基基体(40)；b)在基体(40)的水平部分上形成掩模(43)，所述掩模穿刺有孔(45)；c)在蚀刻腔室内、在基体(40)的部分厚度中，从掩模(43)的孔(45)处蚀刻出预先确定的斜壁(46)，从而形成微机械部件(101、111)的上斜面(106)；d)在蚀刻腔室内、在基体(40)的至少部分厚度中，从在步骤c)中形成的蚀刻体(49)的底部处蚀刻出大体竖直的壁(47)，从而在上斜面(106)的下方形成微机械部件(101、111)的外壁(105)；e)从基体(40)和掩模(43)脱...

【技术特征摘要】
2015.06.25 EP 15173823.41.一种用于制造微机械部件(101、111)的方法(11)，所述微机械部件由硅基材料制成，所述方法包括以下步骤：a)取用硅基基体(40)；b)在基体(40)的水平部分上形成掩模(43)，所述掩模穿刺有孔(45)；c)在蚀刻腔室内、在基体(40)的部分厚度中，从掩模(43)的孔(45)处蚀刻出预先确定的斜壁(46)，从而形成微机械部件(101、111)的上斜面(106)；d)在蚀刻腔室内、在基体(40)的至少部分厚度中，从在步骤c)中形成的蚀刻体(49)的底部处蚀刻出大体竖直的壁(47)，从而在上斜面(106)的下方形成微机械部件(101、111)的外壁(105)；e)从基体(40)和掩模(43)脱出微机械部件(101、111)。2.根据权利要求1所述的方法(11)，其特征在于，步骤c)是通过在蚀刻腔室内混合蚀刻气体和钝化气体从而形成预先确定的斜壁(46)来实现的。3.根据权力要求2所述的方法(11)，其特征在于，在步骤c)中，持续的蚀刻气体流和钝化气体流被脉冲化以增强底层处的钝化。4.根据权利要求1所述的方法(11)，其特征在于，步骤d)是通过在蚀刻腔室内交替蚀刻气体流和钝化气体流从而形成大体竖直的壁(47)来实现的。5.根据权利要求1所述的方法(11)，其特征在于，在步骤d)和步骤e)之间，所述方法还包括以下步骤：f)在预先确定的斜壁(46)和大体竖直的壁(47)上形成保护层(52)，并且使得在步骤d)中形成的蚀刻体(51)的底部没有任何保护层；g)在蚀刻腔室内、在基体(40)的剩余厚度中，从在步骤d)中形成的蚀刻体(51)的没有任何保护层的底部蚀刻出第二预先确定的斜壁(48)，从而形成微机械部件(101、111)的下斜面(109)。6.根据权利要求5所述的方法(11)，其特征在于，步骤g)是通过在蚀刻腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·甘德尔曼，
申请(专利权)人：尼瓦洛克斯法尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH