暗部判断法激光切割方法技术

本发明专利技术提供的暗部判断法激光切割方法，其包括以下步骤：斜裂报警后，CCD位置调整至切割道明暗分界线位置，观察切割道明暗分界线；选择暗部方向为偏移方向；出现的炸点偏离切割道正中的影响因素有很多，如光刻异常，步距异常，载台运动异常，DBR异常；经过一定时间的观察，发现大族机台直接选取65um左右的调焦步距，进行焦点下移，再微调使得切割道明暗纹最清晰；QMC机台直接选取快速步距上移焦点，便可准确、快速完成斜裂判断；斜裂报警后，将CCD下降63um，并进行微调最清晰处，暗部方向向下，选择向下偏移。本发明专利技术提供的暗部判断法激光切割方法可以准确的根据裂纹的偏移方向，完成判断，良品率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到LED芯片
，特别是暗部判断法激光切割方法。
技术介绍
LED芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试→分选→外观测试→打标入库。外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极(P极，N极)，接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀)，制造成芯片后。1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。2、晶圆切割成芯片后，100％的目检(VI/VC)，操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。4、最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片(目前市场上统称方片)。切割方面，目前采用的是隐形激光切割技术(Stealth Dicing,SD)，使用激光脉冲宽度时间为10-13秒(属飞秒激光，Femtosecond)。激光聚焦在加工件内部，利用加工件内部吸收激光能量，使内部材料变质，产生裂痕，内部破裂痕往两侧横断面延伸成破裂面，此破裂面产生我们称为欲裂现象为内部变质层的体积膨胀应力及热应力释放，使得变质层到两侧表面产生裂痕后，再于激光入射方向进行劈裂分晶。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种暗部判断法激光切割方法，其包括以下步骤：斜裂报警后，CCD位置调整至切割道明暗分界线位置，观察切割道明暗分界线；选择暗部方向为偏移方向；出现的炸点偏离切割道正中的影响因素有很多，如光刻异常，步距异常，载台运动异常，DBR异常；经过一定时间的观察，发现大族机台直接选取65um左右的调焦步距，进行焦点下移，再微调使得切割道明暗纹最清晰；QMC机台直接选取快速步距上移焦点，便可准确、快速完成斜裂判断；斜裂报警后，将CCD下降63um，并进行微调最清晰处，暗部方向向下，选择向下偏移。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的暗部判断法激光切割方法可以准确的根据裂纹的偏移方向，完成判断，良品率高。当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供了一种暗部判断法激光切割方法，其包括以下步骤：斜裂报警后，CCD位置调整至切割道明暗分界线位置，观察切割道明暗分界线；选择暗部方向为偏移方向；出现的炸点偏离切割道正中的影响因素有很多，如光刻异常，步距异常，载台运动异常，DBR异常；经过一定时间的观察，发现大族机台直接选取65um左右的调焦步距，进行焦点下移，再微调使得切割道明暗纹最清晰；QMC机台直接选取快速步距上移焦点，便可准确、快速完成斜裂判断；斜裂报警后，将CCD下降63um，并进行微调最清晰处，暗部方向向下，选择向下偏移。斜裂报警处理：大族自动判断斜裂机台：大族8#自动机台，具有斜裂判断功能。根据原斜裂判断方式，出现芯片背部裂纹，再根据芯片内部裂纹处于辅助十字线上下，选择上下偏移，完成判断。原手动斜裂判断方式：①选择调焦CCD，调节焦距，使得背部裂纹最清晰。②裂纹在辅助十字线下面，选择向下偏移；反之，裂纹在辅助十字线上面，选择向上偏移。③点击划片。新手动斜裂判断方式：①选择调焦CCD，调节焦距，使得正面切割道最清晰。②根据切割道中，明暗分界线处于暗部在分界线下面，选择向下偏移；反之，明暗分界线暗部处于切割道上部，选择向上偏移。③点击划片。QMC自动判断斜裂机台：QMC 2#自动机台，具有斜裂判断功能。根据原斜裂判断方式，出现芯片背部裂纹，再根据芯片内部裂纹处于辅助十字线左右，选择左右偏移，完成判断。原手动斜裂判断方式：①点击Kerf，调节焦距，使得背部裂纹最清晰。②裂纹在辅助十字线左边，选择向左偏移；反之，裂纹在辅助十字线右边，选择向右偏移。③点击开始划片。新手动斜裂判断方式：①点击Kerf，调节焦距，使得切割道最清晰。②根据切割道中，明暗分界线暗部在分界线左边，选择向左偏移；反之，明暗分界线暗部在分界线右边，选择向右偏移。③点击开始划片。本专利技术提供的暗部判断法激光切割方法可以准确的根据裂纹的偏移方向，完成判断，良品率高。以上公开的本专利技术优选实施例只是用于帮助阐述本专利技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该专利技术仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本专利技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本专利技术。本专利技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
暗部判断法激光切割方法，其特征在于，包括以下步骤：斜裂报警后，CCD位置调整至切割道明暗分界线位置，观察切割道明暗分界线；选择暗部方向为偏移方向；出现的炸点偏离切割道正中的影响因素有很多，如光刻异常，步距异常，载台运动异常，DBR异常；经过一定时间的观察，发现大族机台直接选取65um左右的调焦步距，进行焦点下移，再微调使得切割道明暗纹最清晰；QMC机台直接选取快速步距上移焦点，便可准确、快速完成斜裂判断；斜裂报警后，将CCD下降63um，并进行微调最清晰处，暗部方向向下，选择向下偏移。

【技术特征摘要】
1.暗部判断法激光切割方法，其特征在于，包括以下步骤：斜裂报警后，CCD位置调整至切割道明暗分界线位置，观察切割道明暗分界线；选择暗部方向为偏移方向；出现的炸点偏离切割道正中的影响因素有很多，如光刻异常，步距异常，载台运动异常，DBR异常；经过一...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔杰，彭友，陈龙，年靠江，
申请(专利权)人：安徽芯瑞达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34