【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及背光灯装置,以及包含具有背光灯装置的液晶元件的显示装置的结构。
技术介绍
如今,液晶显示装置已被广泛地使用于各种领域如钟表、台式电子计算器、个人计算机等的办公室自动化设备(office automation equipment)、液晶电视、PDA、便携式电话机等。该液晶显示装置在两个透光衬底之间密封液晶,通过施加电压改变液晶分子的方向而使光透过率改变,而光学性地显示预定的图像等。因为液晶本身不是光发射体,所以液晶显示装置在液晶显示面板背面部分具有用作光源的背光灯单元。背光灯单元具有光源、导光板、反射膜、棱镜膜、扩散板等,其对液晶显示面板的整个面均匀地供给显示光。作为背光灯单元的光源,一般使用在萤火灯管中密封汞或氙的冷阴极荧光灯。像上述那样的背光灯装置的光源随着环境温度的变化而亮度发生变化,而且由于其本身的发热引起的温度上升可能导致亮度降低。因此,尝试使用散热器、散热管、冷却风机的空气冷却等的散热对策,以便使光源的温度为最适合的工作温度。作为该散热对策之一,有在荧光灯管中设有珀耳帖元件(peltiert device),并且由珀耳帖元件进行冷却的方法(例如参照专利文献1以及2)。专利申请公开Hei 6-324304号专利申请公开Hei 7-175035号
技术实现思路
但是,近年来使用白色发光二极管或高输出的红绿蓝发光二极管。高输出的红绿蓝发光二极管具有当高温工作时驱动电压为高,并且亮度为低的特性。尤其是红色的发光二极管的温度依赖性高。再者,在发光二极管背光灯单元中,由于使用复数个高输出的红绿蓝发光二极管,所以产生大量的热。因为该发热,在发光二极 ...
【技术保护点】
一种液晶显示装置,包括:液晶显示面板;以及背光灯装置,邻近所述液晶显示面板,其中,所述液晶显示面板包括:晶体管;像素电极层;所述像素电极层上的液晶层;以及隔离物,其中,所述背光灯装置包括:框体;反射膜,在所述框体上;第一发光二极管,在所述框体上;第二发光二极管,在所述框体上;第三发光二极管,在所述框体上;扩散板,在所述反射膜、所述第一发光二极管、所述第二发光二极管以及所述第三发光二极管上;以及棱镜膜,在所述扩散板上,其中,所述第一发光二极管以及所述第二发光二极管各包括:多个发光元件;以及荧光材料,在所述多个发光元件上,其中,所述晶体管与所述第一发光二极管重叠,其中,所述像素电极层与所述第三发光二极管重叠,并且其中,所述隔离物不与所述第一发光二极管重叠。
【技术特征摘要】
2006.03.21 JP 2006-0778791.一种液晶显示装置,包括:液晶显示面板;以及背光灯装置,邻近所述液晶显示面板,其中,所述液晶显示面板包括:晶体管;像素电极层;所述像素电极层上的液晶层;以及隔离物,其中,所述背光灯装置包括:框体;反射膜,在所述框体上;第一发光二极管,在所述框体上;第二发光二极管,在所述框体上;第三发光二极管,在所述框体上;扩散板,在所述反射膜、所述第一发光二极管、所述第二发光二极管以及所述第三发光二极管上;以及棱镜膜,在所述扩散板上,其中,所述第一发光二极管以及所述第二发光二极管各包括:多个发光元件;以及荧光材料,在所述多个发光元件上,其中,所述晶体管与所述第一发光二极管重叠,其中,所述像素电极层与所述第三发光二极管重叠,并且其中,所述隔离物不与所述第一发光二极管重叠。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述像素电极层不与所述第一发光二极管重叠。3.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述像素电极层不与所述第二发光二极管重叠。4.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,所述隔离物不与所述第二发光二极管重叠。5.一种液晶显示装置,包括:液晶显示面板;以及背光灯装置,邻近所述液晶显示面板,其中,所述液晶显示面板包括:晶体管;液晶层;以及密封剂,其中,所述背光灯装置包括:框体;反射膜,在所述框体上;第一发光二极管,在所述框体上;第二发光二极管,在所述框体上;第三发光二极管,在所述框体上;扩散板,在所述反射膜、所述第一发光二极管、所述第二发光二极管以及所述第三发光二极管上;以及棱镜膜,在所述扩散板上,其中,所述第一发光二极管、所述第二发光二极管以及所述第三发光二极管各包括:多个发光元件;以及荧光材料,在所述多个发光元件上,其中,所述晶体管与所述第一发光二极管重叠,并且其中,所述密封剂不与所述第一发光二极管、所述第二发光二极管以及所述第三发光二极管重叠。6.一种液晶显示装置,包括:液晶显示面板;以及背光灯装置,邻近所述液晶显示面板,其中,所述液晶显示面板包括:晶体管;像素电极层;所述像素电极层上的液晶层;以及密封剂,其中,所述背光灯装置包括:框体;反射膜,在所述框体上;第一发光二极管,在所述框体上;第二发光二极管,在所述框体上;第三发光二极管,在所述框体上;扩散板,在所述反射膜、所述第一发光二极管、所述第二发光二极管以及所述第三发光二极管上;以及棱镜膜,在所...
【专利技术属性】
技术研发人员:森谷幸司,西毅,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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