中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法技术

技术编号:1427000 阅读:269 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术介绍了中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法。其特征为,将肼或肼的水溶液加入:(1)钽化合物和/或铌化合物溶液、(2)氟化钽酸和/或氟化铌酸溶液或(3)氟化钽酸结晶和/或氟化铌酸结晶溶解在水中所得的溶液,并将由此得到的氢氧化钽和/或氢氧化铌进行煅烧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法
本专利技术是关于氧化钽粉末和/或氧化铌粉末及其制造方法,例如,作为制作压电体、半导体、传感器、光电子材料、电介质、超导体时的钽原材料和/或铌原材料,具有特殊结晶形状、高纯度、高比表面积微细粒子系列的氧化钽粉末和/或氧化铌粉末及其相关制造方法。技术背景【专利文献1】:日本特开平3-153527号公报【专利文献2】:日本特开平6-321543号公报【专利文献3】;本特开平11-255518号公报【专利文献4】:日本特开2002-253964号公报【专利文献5】:日本特开2000-080346号公报近年来,陶瓷材料、电子材料等领域对氧化钽和/或氧化铌的使用需求很高,特别是,作为光电子、催化剂等材料,要求氧化钽和/或氧化铌材料具有小粒径、高比表面积。但由于氧化钽和/或氧化铌通常采用煅烧氧化钽和/或氧化铌的原料粉末制备,再将其粉碎使用,因此不但存在粒子不均匀的问题,而且使用的钽原材料和/或铌材料的粒子直径相对较大。因此,对上述高比表面积、超微粒径氧化钽和/或氧化铌的要求就提高了。而且,由于结晶粒子形状特异,有可能得到目前尚无的附加性能,对结晶形状本文档来自技高网...
中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法

【技术保护点】
中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法,其特征为,将肼或肼的水溶液加入:(1)钽化合物和/或铌化合物溶液、(2)氟化钽酸和/或氟化铌酸溶液或(3)氟化钽酸结晶和/或氟化铌酸结晶溶解在水中所得的溶液,并将由此得到的氢氧化钽和/或氢氧化铌进行煅烧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-3-11 068313/20041.中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法,其特征为,将肼或肼的水溶液加入:(1)钽化合物和/或铌化合物溶液、(2)氟化钽酸和/或氟化铌酸溶液或(3)氟化钽酸结晶和/或氟化铌酸结晶溶解在水中所得的溶液,并将由此得到的氢氧化钽和/或氢氧化铌进行煅烧。2.权利要求1所述的方法,其特征为,溶液的钽浓度和/或铌浓度,换算成钽和/或铌为1~150g/L。3.权利要求1或2所述的方法,其特征为,所述的肼的浓度,为1~50重量%。4.权利要求1至3中任何一项所述的方法,其特征为,所述的肼的浓度,为1~30重量%。5.权利要求1至4中任何一项所述的方法,其特征为,所述的肼水溶液的温度,为0~90℃。6.权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:菊山裕久胁雅秀桥口慎二青木谦治
申请(专利权)人:斯特拉化工公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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