【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及助烧剂,具体涉及生产制备高导热陶瓷基片的复合助烧剂。
技术介绍
现代科学技术的发展对材料的要求日益提高,随着电子器件和电子装置中元器件的复杂性和密集性日益提高,对作为集成电路重要支柱的陶瓷基片提出了更高的要求,要求其具备良好的导热性能。长期以来,绝大多数大功率混合集成电路的基板材料一直延用Al2O3和BeO陶瓷。但是Al2O3陶瓷的热导率低,热膨胀系数与Si不太匹配;BeO陶瓷虽然具有优良的综合性能,但其较高的生产成本和含有剧毒等缺点严重制约了它的应用推广。因此,从性能、成本和环境等方面逐渐反映出二者已不能完全满足现代电子功率器件发展的需要。氮化铝陶瓷具有高的热导率、低的介电常熟,与Si相匹配的热膨胀系数、良好的绝缘性、热化学稳定性好、无毒等优点成为高密度集成电路基板材料的最佳选择。然而氮化铝陶瓷属于共价化合物,自扩散系数很小,难于烧结致密,且杂质等各种缺陷的存在对其热导率亦有很大的损害。纯净的氮化铝粉末在通常的烧结温度下很难烧结致密,致密度不高的材料很难具有高的热导率。通常采用以下三条途径获得致密、高性能的氮化铝陶瓷:1)使用超细粉;2)热压或热等静压烧结;3)引入烧结助剂。第一条途径受粉体影响比较大,商业氮化铝粉通常无法满足要求,而且超细粉容易氧化、团聚;第二条途径只能烧结形状简单的氮化铝陶瓷材料,且能耗大;在工业上易于实现,且有可能获得低成本高性能的氮化铝陶瓷材料。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供用于生产制备高导热陶瓷基片的三元复合助烧剂,能够促进氮化铝陶瓷致密化,提高热导率。为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案为 ...
【技术保护点】
用于生产制备高导热陶瓷基片的三元复合助烧剂,其特征在于:所述三元复合助烧剂由Al2O3、Y2O3和CaO组成。
【技术特征摘要】
1.用于生产制备高导热陶瓷基片的三元复合助烧剂,其特征在于:所述三元复合助烧剂由Al2O3、Y2O3和CaO组成。2.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:宗亚娟,
申请(专利权)人:南通中兴多元复合钢管有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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