流化床直接制取氮化硅的装置及其方法制造方法及图纸

一种流化床直接制取氮化硅的装置，其特征在于，它具有流化床主体（１），在流化床主体下到上依次设有风室（１１）、布风板（６）、流化密相区（４），流化稀相区（２），在流化区的主体侧壁设有加热装置（３），风室的主体侧壁设有辅助加热装置（１０），流化区的主体侧壁上设有给料装置（９）和出料装置（５），风室内设有发声装置（１２），发声装置的声信号来自于声信号发生器（８）并经功率放大器（７）放大，风室底部接有前置预热室（１４）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机非金属粉体材料制备装置及其方法，尤其涉及一种。
技术介绍
氮化硅具有优良的高温力学性能，是制造高温部件的首选材料。氮化硅的优异性能对于现代技术经常遇到的高温、高速、强腐蚀介质和高磨损的工作环境，具有特殊的使用价值。它突出的优点包括机械强度高，热稳定性好，抗热振性好，化学性能稳定。氮化硅在工业上的应用范围很广，可应用与冶金、机械、能源、化工、半导体、航空航天、汽车工业、核动力工程和医学工程领域，其应用效果令人满意，工作寿命长，技术性能稳定，可以与高温合金媲美。随着氮化硅材料的应用范围不断扩大，高性能、低成本的氮化硅粉体的制备越来越引起人们的重视。生产合成氮化硅粉的基本方法有四种，即(1)硅氮结合法，即硅粉的直接氮化；(2)还原氮化法，由二氧化硅粉与碳粉混合后在氮气中反应；(3)化学气相法，可以采用几种不同的原料，在不同的条件下发生化学气相反应，如(a)硅的卤化物(SiCl4、SiBr4、......等)与硅的氢卤化物(SiHCl3、SiH2Cl2、......SiH3I等)与氨(NH3)或者氮气加氢气发生化学气相反应，生成氮化硅，此外还有激光诱导化学气相沉积法(L本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程乐鸣，方梦祥，施正伦，王勤辉，高翔，周劲松，余春江，王树荣，骆仲泱，倪明江，岑可法，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：