提纯氯化氢的方法技术

一种用于提纯含芳族有机化合物的氯化氢气体的方法，其包括至少一个使所述的氯化氢与含１，２－二氯乙烷的涤气剂接触的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种。更具体地，本专利技术涉及一种 提纯含芳族有机化合物特别是氯化芳族化合物的氯化氢气体的方法。 本专利技术进一步涉及一种提纯氯化氢气体的设备，和一种使用通过本发 明提纯方法得到的氯化氢进行乙烯氧氯化的方法。大量的工业化学方法产生作为副产品的氯化氢气体(HC1)。在最通 常的实践中，它们包括氯乙烯的生产，氯代甲烷和其中所述分子包含 两个碳原子的氯化溶剂的生产，异氰酸酯的合成以及氟代烃的合成。当它再用作其他方法的原料时，这种大量生产的HC1产生了它的 提纯问题。因此，对于氯乙烯的生产，例如通过乙烯的氯化和氧氯化的合成 方法，和如果是可逆的，则热分解形成的1，2-二氯乙垸(DCE)将理论上 产生该方法所需量的HC1。然而实际上，可能需要从外源加入补给HC1。 在合成期间，为防止形成毒性产物和对所述乙烯氧氯化催化剂效力有 害的有机化合物，重要的是使用预先提纯的补给HC1。因此，文献 EP-A_774 450教导在氧氯化中多氯二苯并二噁英(PCDD)以及多氯代二 苯呋喃(PCDF)的形成可归因于污染反应物的芳族化合物。已经描述了通过使用溶剂漆气提纯HC1的方法。因此，法国专利 1 417 388概括地提到使用高沸点有机化合物通过涤气从HC1中汽提有 机和无机物(第4页，左栏，第二段落末)；以编号2 151 107公开的法 国专利申请涉及(第2页，第18-31行)一种通过用高沸点全氯代烃涤气 而从氯化氢中提取低沸点杂质的方法，并强调了其缺点；以编号 02137704A2公开的日本专利申请描述了通过用五氯乙垸溶液涤气而提纯含氯代烃的HC1。所有这些提纯方法共同的缺点是用于涤气的化合物随后会污染HC1，并且这种化合物的处理引发与HC1仍至少部分可溶于所述化合物液相的事实有关的问题。根据文献PL-B-162 910，在吸收器中用冷却到-25 -15T的DCE 喷雾从非芳族有机氯化合物的混合物中分离HC1。文献EP-A-0 774 450提到可用于生产氯乙烯的若干补给HC的"外 部"源(第3页，第14-21行)。在这些源中间，描述了有机异氰酸酯的 生产。该文献同样描述了用于从准备用于氧氯化法的"外部"HC1中 除去所述芳族化合物的若干方法(第3页，最后的5行到第4页第17 行)。这些方法利用包括冷凝步骤的分馏，通过适当的液体或者固体吸 附或者吸收，以及催化氢化和氧化反应，所有这些方法都存在与待使 用设备的复杂性相关的缺点，需要再生使用的吸附剂或者吸收剂，它 们依次被在待提纯HC1中存在的杂质填充，或者需要再生使用的昂贵 的氢化或者氧化催化剂。文献EP-A-0 618 170公开了一种从HC1中得到"试剂级"纯的 盐酸的方法，所述HC1是在通过有机胺与光气反应生产有机异氰酸酯 期间产生的。原因不清楚，该HC1通常包含大于200ppb的铁基杂质(EP A-0 61S 170，第2页，第27-37行)。所述的铁能够催化副反应，如HC1 到烯烃上的加成，或者通过芳族化合物的烷基化形成更重质的化合物。 在该文献中提出的用于除去这些杂质的复杂昂贵的溶液将HC1转化为 盐酸，然后使这种盐酸与阴离子交换树脂接触。文献US-A-2004/0163411描述了更特别适用于在生产异氰酸酯期 间产生的HC1的提纯方法。所述HC1被氯化芳族化合物比如存在于所 述异氰酸酯合成介质中的氯苯和二氯苯污染。在所使用的HC1中这些 化合物以及它们的转化产物的存在，例如在氯乙烯生产期间，在将乙 烯催化氧氯化为DCE的步骤中，不管催化剂床是流化的或者固定的， 其均对该氧氯化步骤的进行有害，特别是通过使催化剂失活而对所述 步骤有害。所述固定床同样对能引起高压降的降解或者碳酸产物的聚 集敏感。为改善这种情况，有必要中断生产以更新所有或者部分的催化剂装载量。在文献US-A-2004/0163411中提出的用于从HC1中汽提 氯化芳族化合物的溶液进行两段冷凝，其中将较冷的冷凝相从第二段 循环到第一段。这涉及复杂的、包括需要高能耗的昂贵致冷装置的设 备。而且，在冷凝中所达到的温度下，这种汽提的效率受到待去除的 所述芳族化合物的蒸气压限制。本专利技术的目的是提供一种不存在这些缺点的用于提纯氯化氢的方 法和设备。因此，本专利技术主要涉及一种用于提纯含芳族有机化合物的氯化氢 气体的方法，包括至少一个使所述的氯化氢与含1,2-二氯乙烷的涤气剂 接触的步骤。在本专利技术说明书中，"含1,2-二氯乙烷的涤气剂"或者简单地"涤 气剂"意思是其中1，2-二氯乙垸(DCE)以液态存在的组合物。本专利技术的方法一般适用于提纯通过涉及含有芳族有机化合物合成 产生的HC1。由于这种来源，该HC1包含作为杂质的标准沸点一般高 于IO(TC的一种或多种芳族有机化合物，至少部分可溶于涤气剂或者可 与其混溶的化合物。优选，待提纯的HC1是通过光气与有机胺反应生 产的有机异氰酸酯的副产品，所述有机胺通常为芳香胺，优选为芳族 二胺。在该特定情况下，所述杂质通常是用作生产中溶剂的氯代芳族 化合物，通常为氯苯和二氯苯。本专利技术可用的涤气剂包含液态的DCE。本专利技术体系中绝不排除在 所述的涤气剂中含有其他能够溶解待提纯HC1中存在的杂质的化合物， 或者其他能够与其形成液体混合物的化合物。然而，该涤气剂优选包含至少50vol。/。的DCE，更特别至少80vol。/o的DCE。在一个特别优选 的方式中，更确切地说是在其中待提纯的HC1打算再用于将乙烯催化 氧氯化为DCE的情况下，涤气剂基本上由液态的DCE组成。在这种 情况下，本专利技术方法的主要优点在于该DCE的存在无任何干扰的事实， 因为它是在所述氧氯化期间形成的主要化合物。如上所述，如果待提纯的HC1是有机胺与光气反应生产的有机异 氰酸酯的副产品，它通常还包含铁基杂质(参看EP-A-0 618 170)。一般说来，所述的HC1包含金属杂质。这些金属杂质包括那些由 装置锈蚀导致的金属杂质，特别是基于铁、镍和铬的那些金属杂质。 同样可以含有形式为微滴或者由蒸汽压悬浮夹带的无机化合物比如氯 化铵，因为它们通常增加阻塞，所以在该方法下游部分产生干扰。意想不到的是，本专利技术的提纯方法对于除去金属杂质特别简单而 且有效。优选，本专利技术的提纯方法对于除去铁基杂质特别简单而且有 效。各种杂质可以有利地以微滴、固体颗粒或者气体馏分的状态存在 于所述HC1气体中。有利地在任何与保持待提纯HC1为气体状态相容的压力下实施本 专利技术的方法。该压力通常为1-20巴，优选为5-15巴，更特别约10巴。 本领域普通技术人员可以容易地选择实施该方法的温度，以促进杂质 在涤气剂中的溶解和/或吸收，并考虑在待提纯的HC1中作为杂质存在 的芳族有机化合物的蒸汽压。该温度通常为-20 +5(TC，优选为0 +35°C。接近于环境温度(约25"C)的值是特别优选的。涤气剂与待提纯的HC1流速各自的比例不是关键的，可以大幅变 化。在实践中它仅由再生所述涤气剂的成本所限制。 一般说来，涤气 剂的流速相对于待提纯的HC1的流速为0.5-50wt%，优选为1-20%，特 别为2-10%。本专利技术方法能够以连续或者批处理方式进行。连续方式是优选的。本专利技术的方法包括至少一个使所述HCl与涤气剂接触的步骤。优 选，在连续操本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于提纯含芳族有机化合物的氯化氢气体的方法，其包括至少一个使所述的氯化氢与含１，２－二氯乙烷的涤气剂接触的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：米歇尔施特雷贝勒，米歇尔朗珀勒，
申请(专利权)人：索维公司，
类型：发明
国别省市：BE[比利时]