通过借助于无功功率而减小半导体中的温度变化来改进半导体的寿命制造技术

本发明专利技术提供用于对变换器内的半导体构件的温度变化进行调节的系统。系统包括与变换器内的至少一个半导体通信并与电源通信的温度调节器，温度调节器包含控制器。还包括峰值检测器，峰值检测器与至少一个半导体通信，并且，配置成识别当半导体传导高电流时的各半导体的最高温度。

【技术实现步骤摘要】
专利
本专利技术通常涉及延长功率半导体的使用寿命。更具体地，本专利技术涉及延长在可再生能量应用中当作为电子开关而运行时的半导体的使用寿命。专利技术背景在能源服务和发电的领域中，从自然现象，诸如阳光和风收获的可再生能量已取代常规的燃料。电功率装置，诸如半导体，将从可再生能量源获得的能量，诸如太阳能和风能，从直流或变频交流变换成实用（电网）频率。通常，通过以高频使多个半导体接通和断开，以借助于脉宽调制（PWM）技术而合成正弦波电压，来实现变换。在电气应用中，三端半导体，诸如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以及半导体闸流管，普遍地用作切换装置。主要用于低电压应用中的MOSFET可以通过将几个装置并联地放置而增加开关的额定电流。主要用于高电压应用中的半导体闸流管在半导体闸流管中的电流已经不复存在之后，阳极能够再次正偏置而保持半导体闸流管处于截止状态之前，需要有限的时间延迟。IGBT使高电压装置中的导通状态下的性能与高阻抗结合，因而使IGBT成为发电应用中的流行的选择。由于在切换事件的期间，在各IGBT内消耗功率，因而使各IGBT从导通状态转变成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对变换器内的半导体构件的温度变化进行调节的系统，包含：温度调节器，与所述变换器内的至少一个半导体通信并与电源通信，所述温度调节器包括配置成使用无功功率来使至少一个半导体中的热循环最小化的控制器；以及峰值检测器，与至少一个所述半导体通信，并且，配置成识别当所述半导体传导高电流时的各半导体的最高温度。

【技术特征摘要】
2015.04.22 US 14/6928361.一种用于对变换器内的半导体构件的温度变化进行调节的系统，包含：温度调节器，与所述变换器内的至少一个半导体通信并与电源通信，所述温度调节器包括配置成使用无功功率来使至少一个半导体中的热循环最小化的控制器；以及峰值检测器，与至少一个所述半导体通信，并且，配置成识别当所述半导体传导高电流时的各半导体的最高温度。2.如权利要求1所述的系统，其中，所述控制器配置成通过处理器而执行对其中所述温度调节器通信的所述半导体的所述温度进行评估的计算机介质指令。3.如权利要求1所述的系统，其中，所述峰值检测器进一步配置成对作为所述半导体的所述最高温度与所述半导体传导低电流时的所述半导体的最低温度之间的差而计算的温度变化进行识别。4.如权利要求3所述的系统，其中，所述控制器配置成使用无功功率来将所述至少一个半导体的所述最高温度变更成提高所述半导体的使用寿命的温度。5.如权利要求4所述的系统，其中，所述控制器通过调整所述至少一个半导体的无功功率而对定子参考进行计算，使得所述至少一个半导体达到预定的温度。6.如权利要求4所述的系统，其中，所述控制器通过调整所述至少一个半导体的无功功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：RG瓦戈纳，D史密斯，
申请(专利权)人：通用电气能源能量变换技术有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB