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一种分段线性磁控忆阻器的模拟等效电路制造技术

技术编号:13959094 阅读:177 留言:0更新日期:2016-11-02 21:08
本发明专利技术公开了一种分段线性磁控忆阻器的模拟等效电路,电路由跟随器、反相器、反相积分器、窗口比较器、压控开关S和负阻抗转换器串联构成;运放U1构成跟随器,主要起隔离作用,U2构成反相器,U3为反相积分器实现对忆阻器端口电压的积分,U3的输出v3out对应忆阻器的内部状态控制变量φ(t);运放U4和U5构成窗口比较器,其输出电平控制压控开关S的通断;运放U6及外围电阻构成负阻抗转换电路。当v3out≤1时,窗口比较器的输出为低电平,压控开关S处于断开状态,此时忆阻器的电导为‑1/Ra,当v3out>1时,窗口比较器输出为高电平,压控开关S处于导通状态,此时忆阻器对应的电导为(‑1/Ra+1/Rb)。本发明专利技术具有线路简单、效果好的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及模拟电子线路领域,特别是涉及一种分段线性磁控忆阻器的模拟等效电路
技术介绍
2008年5月惠普实验室研究小组采用纳米技术实现了具有“记忆”特性的电阻,从而证实了忆阻器概念和相关理论。作为与电阻,电感,电容并列的第4个基本无源器件,忆阻器建立了磁链和电荷之间的关系,其阻值与两端的电压幅度、极性和工作时间有关。由于忆阻器具有“记忆”功能,其潜在的应用价值引起了国内外学者的广泛关注。利用其数字工作方式,忆阻器可以实现非易失性阻抗存储器(RRAM)和现场可编程门阵列(FPGA);利用其模拟工作方式,忆阻器可以实现人工神经网络和新型类脑系统。由于忆阻器没有商品化,忆阻器的建模和电路模拟成为当前忆阻器研究的热点问题,但大多数忆阻器模型和等效电路的工作频率都非常有限,没有真正体现出忆阻器的高频处理能力。作为一种非线性器件,忆阻器可以用来实现高频混沌电路,从而在混沌保密通信、图像加密和电子测量系统中具有重要的应用价值。一般来说,采用忆阻器实现混沌电路有两种方式:(1)采用分段线性模型的忆阻器实现标准及类蔡氏混沌电路,在一定的参数条件下这些电路可以产生不同的混沌吸引子;(2)利用光滑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分段线性磁控忆阻器的模拟等效电路,其特征在于,电路由跟随器、反相器、反相积分器、窗口比较器、压控开关和负阻抗转换器串联构成;运算放大器U1构成跟随器,主要起隔离作用;运算放大器U2和三个电阻R4=R5=R6=10K构成反相器;运算放大器U3、三个电阻R7=3K、R8=68K、R10=1K和一个电容C5=47μF构成反相积分器,实现对忆阻器端口电压的积分,反相积分器的输出v3out对应忆阻器的内部状态控制变量φ(t);运算放大器U4和U5、二个1VDC电源、一个电阻R10=10K及二个二极管D1和D2构成窗口比较器,其输出电平控制压控开关S的通断;压控开关S采用高速集成开关ADG2012AK...

【技术特征摘要】
1.一种分段线性磁控忆阻器的模拟等效电路,其特征在于,电路由跟随器、反相器、反相积分器、窗口比较器、压控开关和负阻抗转换器串联构成;运算放大器U1构成跟随器,主要起隔离作用;运算放大器U2和三个电阻R4=R5=R6=10K构成反相器;运算放大器U3、三个电阻R7=3K、R8=68K、R10=1K和一个电容C5=47μF构成反相积分器,实现对忆阻器端口电压的积分,反相积分器的输出v3out对应忆阻器的内部状态控制变量φ(t);运算放大器U4和U5、二个1VDC电源、一个电...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘丰高敏
申请(专利权)人:江南大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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