【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种传感器的制造方法，具体涉及图像传感器的制造方法。
技术介绍
图像传感器在设计及制造过程中需要在硅片上制造像素单元，这些像素结构必须与其周围的器件或区域进行有效隔离，例如与周围的像素结构进行隔离。在现有技术的图像传感器制造方法中，需要一个附加掩膜来形成相邻像素区域之间的注入隔离区，由此增大了图像传感器的制造成本，并且增加了单独的制造注入隔离区的工艺步骤，增加了工艺复杂性。并且，在实际应用中发现，现有的图像传感器信噪比比较低，图像传感器成像质量较差。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提供一种制造方法简单，制造出的传感器信噪比高，成像质量好的图像传感器制造方法。本专利技术技术方案如下：图像传感器的制造方法，包括如下步骤：(1)提供p型衬底，所述p型衬底包括外围区域和像素单元区域；(2)对图像传感器的像素单元区域进行刻蚀，形成浅沟槽区域；(3)对浅沟槽区域的衬里进行氧化；(4)利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(5)在像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的n型隔离环；(6)在p型衬底和n型隔离环处分别形成图像传感器的光电转换部和输
出部。进一步地，步骤4中所述的离子为n型离子，n型离子为磷离子或者砷离子，所述n型隔离环的宽度为0.5-1微米，厚度为1.5-3微米。本专利技术的有益效果在于：本专利技术制造方法简单，成本低，制造出的图像传感器信噪比高，成像质量好。具体实施方式图像传感器的制造方法，通过如下步骤完成：(1)提供p型衬底，p型衬底包括外围区域和像素单元区域；(2)...
【技术保护点】
图像传感器的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)提供p型衬底，所述p型衬底包括外围区域和像素单元区域；(2)对图像传感器的像素单元区域进行刻蚀，形成浅沟槽区域；(3)对浅沟槽区域的衬里进行氧化；(4)利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(5)在像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的n型隔离环；(6)在p型衬底和n型隔离环处分别形成图像传感器的光电转换部和输出部。
【技术特征摘要】
1.图像传感器的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)提供p型衬底，所述p型衬底包括外围区域和像素单元区域；(2)对图像传感器的像素单元区域进行刻蚀，形成浅沟槽区域；(3)对浅沟槽区域的衬里进行氧化；(4)利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(5)在像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的n型隔离环；(6)在p型衬底和n型隔离环处分别形成图像传感器的光电转换部和输出部。2.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张剑飞，
申请(专利权)人：西安立伟电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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