【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术涉及预测保护电路是否可能防止受监控电路内潜在故障的发生的系统及方法。可以在其中辐射可能引起高电流事件(high current event)的环境中使用集成电路和其它半导体器件。例如,在外部空间中或暴露于核辐射的环境中的集成电路可能会遇到通过高能粒子(例如与宇宙辐射或核辐射相关联的高能质子或离子)与集成电路的碰撞而造成的瞬时电压峰值或瞬时电流峰值(例如,高电流事件)。当该集成电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电路时,这种碰撞可能会导致集成电路(或其组件,如运算放大器(运放))为“闭锁(latchup)”或进入闭锁状态。例如,响应于高电流事件,在闭锁期间由于集成电路的一部分作为集成电路的电源线之间的低阻抗路径(例如,短路),因此由一个或多个电源提供给集成电路的电源可能会增大。如果集成电路保持在闭锁状态下较长的一段时间,则提供给该集成电路的所增大的电力可能导致在集成电路内发生潜在故障。潜在故障可能表示集成电路的损坏,其不会引起瞬时误差,因此很难检测这种损坏。例如,由于通过集成电路电流增大,集成电路的区域可能会融化,但是该集成电路可能直到之后都不能生成可检测的误差。因为集成电路可能不能足够快速地退出闭锁状态以避免发生潜在故障,因此,受控于闭锁的未受保护的集成电路可能不适用于受控于高电流事件的环境。防止在集成电路中的潜在故障的一个方法是将集成电路耦接至保护电路。虽然保护电路不能防止闭锁状态的发生,但是保护电路可以被配置为使集成电路经历闭锁状态,以在潜在故障发生之前退出闭锁。可设计保护电路,以使集成电路在阈值的时间段(例如,在集成 ...
【技术保护点】
一种方法,包括:测量(402)受监控电路(130)的多个闭锁解除参数值(110)以生成数据,其中,所述多个闭锁解除参数值中的各闭锁解除参数值与所述受监控电路退出闭锁状态相关联;并且基于所述数据并且基于耦接至所述受监控电路的保护电路的一个或多个特征值(120,542)来预测(404)所述保护电路是否能够在特定闭锁状态下防止在所述受监控电路内潜在故障的发生。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.07 US 14/201,4201.一种方法,包括:测量(402)受监控电路(130)的多个闭锁解除参数值(110)以生成数据,其中,所述多个闭锁解除参数值中的各闭锁解除参数值与所述受监控电路退出闭锁状态相关联;并且基于所述数据并且基于耦接至所述受监控电路的保护电路的一个或多个特征值(120,542)来预测(404)所述保护电路是否能够在特定闭锁状态下防止在所述受监控电路内潜在故障的发生。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个闭锁解除参数值(538)包括与所述受监控电路的不同环境温度相关联并且与不同电量相关联的多个闭锁解除电压值(110,302,304)。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个闭锁解除参数值包括与所述受监控电路的不同环境温度相关联并且与不同电量相关联的多个闭锁解除电流值(110)。4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:基于所述数据并且基于由所述保护电路提供给所述受监控电路的电量来估测(406)与所述受监控电路的一部分相关联的温度特征,其中,所述电量基于所述保护电路的所述一个或多个特征值;并且比较(408)所述温度特征与阈值温度。5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述一个或多个特征值包括所述保护电路的电阻器的电阻值、所述保护电路的电容器的电容值或者它们的组合。6.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:响应于确定所述温度特征超过了所述阈值温度而预测(410)所述保护电路不能够防止所述潜在故障的发生。7.根据权利要求4所述的方法,其中,所述温度特征是所述受监控电路的一部分的最大估测温度。8.根据权利要求4所述的方法,其中,基于所述受监控电路的最大操作环境温度以及提供给所述受监控电路的每电力单位的热量上升来估测所述温度特征。9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:基于所述保护电路不能够防止在所述受监控电路内的所述潜在故障的发生的预测来调整(412)所述保护电路的所述一个或多个特征值,其中,所述保护电路的所述一个或多个特征值包括电阻器的电阻值、电容器的电容值或者它们的组合。10.一种监控系统,包括:处理器(104);以及存储指令的存储器(106),当由所述处理器执行所述指令时使所述处理器执行包括以下步骤的操作:测量(402)受监控电路(130)的多个闭锁解除参数值(110)以生成数据,其中,所述多个闭...
【专利技术属性】
技术研发人员:凯·切斯纳特,安东尼·C·勒,玛丽安娜·杜利,
申请(专利权)人:波音公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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