OLED面板以及用于OLED的像素布图的掩膜结构制造技术

本实用新型专利技术的实施例涉及OLED面板以及用于OLED的像素布图的掩膜结构。所述OLED包括像素结构，所述像素结构包括第一到第三子像素区，第一子像素区和第二子像素区在第一方向上对齐且都沿与第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素区位于第一和第二子像素区的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。由于不需要使用要求与基板的精确对准的精细金属掩模板，即使当母板玻璃的尺寸为第六代以上时，也可以容易地且精确地沉积OLED器件的各子像素材料(特别地，有机发光层)而形成像素区域。

【技术实现步骤摘要】

本技术的实施例涉及有机发光显示器件领域，尤其涉及一种OLED面板以及用于OLED的像素布图的掩膜结构。
技术介绍
当前的有机电致发光显示器为自发光型，不需要背光，这一点与液晶显示器(LCD)不同，因此可实现重量减轻和尺寸微小化。此外，有机电致发光显示器可以通过简单的工艺制成，从而提高价格竞争力。并且，有机电致发光显示器具有低驱动电压、高发光效率和宽视角，因此作为下一代显示器受到广泛关注。有机电致发光显示器包括用于显示图像的多个有机发光显示(OLED)器件。每个OLED包括阳极、有机发光层和阴极。阳极和阴极向有机发光层提供空穴和电子，空穴和电子在有机发光层中复合而形成激子，并且在激子降到底部稳态时，产生预定波长的光。这里，可以根据有机发光层的材料特性而产生具有与例如红色、绿色和蓝色对应的波长的光。在有机电致发光显示器中，应针对每个像素对每个实现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的有机发光层进行布图，以实现全色显示。现有技术中存在许多不用的公知方法来制造OLED器件，包括真空沉积、喷射印刷(jet-printing)、喷嘴印刷(nozzle-printing)、激光烧蚀、激光诱导热成像等等。在这些方法当中，真空沉积工艺产生具有最佳特性的器件。然而，真空沉积需要精细金属掩模板(FMM)来产生高分辨率显示所需要的布图。FMM具有多个缺点，包括生产成本高、拉伸和维护困难，最重要的
是，FMM在沉积开始之前需要与基板进行精确的对准。对于大尺寸基板(例如，大于等于第六代基板)而言，对准变得非常困难，在需要高分辨率的情况下尤其困难。并且，对准工艺还要求向蒸发腔增加复杂的附件来处理该对准工艺。
技术实现思路
本技术的实施例提出了一种允许在诸如薄膜晶体管(TFT)面板的基板上形成包围像素区域的沉积掩膜，进而利用倾斜沉积无掩模板地形成OLED器件的子像素结构的途径。因而，即使当母板玻璃的尺寸为第六代以上时，也不存在有机发光层的沉积期间蒸发掩模板与基板的对准困难的问题。本技术实施例的第一方面提供一种OLED面板，包括像素结构，所述像素结构包括：第一到第三子像素区，第一子像素区和第二子像素区在第一方向上对齐且都沿与第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素区位于第一和第二子像素区的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。根据该第一方面的OLED面板，其像素结构可以在不利用要求精确对准的掩模板的情况下形成。根据示例性实施例，所述像素结构还包括：第四子像素区，其位于第一和第二子像素区的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，所述第三子像素区和所述第四子像素区在第二方向上彼此对齐。根据示例性实施例，所述第三子像素区的在第一方向上的两个边分别与第一子像素区和第二子像素区的在第一方向上的外侧边对齐。根据示例性实施例，所述第四子像素区的在第一方向上的两个边分别与第一到第三子像素区的在第一方向上的外侧边对齐。根据示例性实施例，所述第三子像素区的在第二方向上的外侧边和所述第四子像素区的在第二方向上的外侧边分别相对于成对的第一子像素区
和第二子像素区的在第二方向上的两个外侧边向外偏移所述第三子像素区的宽度和所述第四子像素区的宽度，并且第一子像素区的在第一方向上的外侧边和所述第二子像素区的在第一方向上的外侧边分别相对于成对的第三子像素区和第四子像素区的在第一方向上的两个外侧边向外偏移所述第一子像素区的宽度和所述第二子像素区的宽度。根据示例性实施例，所述OLED面板还包括：包围所述像素结构的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁和第二沉积壁，在与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁和第四沉积壁，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁和第六沉积壁，其中所述第一子像素区与所述第二沉积壁相邻，所述第二子像素区与所述第一沉积壁相邻，第三子像素区与所述第四沉积壁相邻。根据示例性实施例，所述第一沉积壁和所述第二沉积壁在第一方向上相距第一距离L1，所述第三沉积壁和所述第四沉积壁在第二方向上相距第二距离L2，所述第五沉积壁和所述第六沉积壁在第一方向上相距第三距离L3，在沿所述第一方向切割而得到的切面中，从所述第一子像素区的内侧边缘到所述第一沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α1，从所述第二子像素区的内侧边缘到所述第二沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，从所述第三子像素区的内侧边缘到所述第三沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于0度且小于90度，并且其中，第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，则满足以下关系：h5>L3×tan(α1)；h6>L3×tan(α2)。根据示例性实施例，所述沉积掩膜包括两对第五沉积壁和第六沉积壁，所述第五沉积壁和所述第六沉积壁的第一对以及所述第五沉积壁和所述第
六沉积壁的第二对分别位于成对的所述第一沉积壁和所述第二沉积壁的相反两侧，所述沉积掩膜还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对设置的两对第七沉积壁和第八沉积壁，所述第七沉积壁和所述第八沉积壁的第一对以及第七沉积壁和所述第八沉积壁的第二对分别位于成对的所述第三沉积壁和所述第四沉积壁的相反两侧，第七沉积壁和第八沉积壁的高度分别为h7和h8，满足以下关系：h7>L4×tan(α3)；h8>L4×tan(α4)，其中，所述第一沉积壁相对于所述第五沉积壁沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第二子像素区的宽度b2，所述第二沉积壁相对于所述第六沉积壁沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第一子像素区的宽度b1，所述第三沉积壁相对于所述第七沉积壁沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第四子像素区的宽度b4，所述第四沉积壁相对于所述第八沉积壁沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第三子像素区的宽度b3。根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁具有相同的高度。根据示例性实施例，h1、h2的范围为0.02～10000μm，h3、h4、h5、h6的范围为0.05～34000μm。根据示例性实施例，h1、h2的范围为1.8～95μm，h3、h4、h5、h6的范围为4.8～165μm。根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为0.07～45000μm。根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为5.4～346μm。本技术实施例的第二方面提供一种用于OLED的像素布图的掩膜结构，包括：位于基板上的包围每个像素区域的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜
包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁和第二沉积壁，与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁和第四沉积壁，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁和第六沉积壁，根据该第二方面的掩膜结构，可以在沉积OLED器件的每个子像素区的材料时，利用倾斜沉积，通过该掩膜结构的相应沉积壁的遮挡作用而仅在目标区域中形成子像素材料且不会干扰其他子像素区，实现对各子像素区的材料的无掩模板沉积。根据示例性实施例，所述像素布图包括与所述第三沉积壁相邻的第四子像素区。根据示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED面板，包括像素结构，其特征在于所述像素结构包括：第一到第三子像素区(1，2，3)，第一子像素区(1)和第二子像素区(2)在第一方向上对齐且都沿与第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素区(3)位于第一和第二子像素区(1，2)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板，包括像素结构，其特征在于所述像素结构包括：第一到第三子像素区(1，2，3)，第一子像素区(1)和第二子像素区(2)在第一方向上对齐且都沿与第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素区(3)位于第一和第二子像素区(1，2)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。2.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于所述像素结构还包括：第四子像素区(4)，其位于第一和第二子像素区(1，2)的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，所述第三子像素区(3)和所述第四子像素区(4)在第二方向上彼此对齐。3.根据权利要求1或2所述的OLED面板，其特征在于所述第三子像素区(3)的在第一方向上的两个边分别与第一子像素区(1)和第二子像素区(2)的在第一方向上的外侧边对齐。4.根据权利要求2所述的OLED面板，其特征在于所述第四子像素区(4)的在第一方向上的两个边分别与第一到第三子像素区(1，2，3)的在第一方向上的外侧边对齐。5.根据权利要求2所述的OLED面板，其特征在于所述第三子像素区(3)的在第二方向上的外侧边和所述第四子像素区(4)的在第二方向上的外侧边分别相对于成对的第一子像素区(1)和第二子像素区(2)的在第二方向上的两个外侧边向外偏移所述第三子像素区(3)的宽度和所述第四子像素区(4)的宽度，并且第一子像素区(1)的在第一方向上的外侧边和所述第二子像素区(2)的在第一方向上的外侧边分别相对于成对的第三子像素区(3)和第四子像素区(4)的在第一方向上的两个外侧边向外偏移所述第一子像素区(1)的宽度和所述第二子像素区(2)的宽度。6.根据权利要求1或2所述的OLED面板，其特征在于还包括：包围所述像素结构的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁(101)和第二沉积壁(201)，在与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁(301)和第四沉积壁(401)，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁(501)和第六沉积壁(601)，其中所述第一子像素区(1)与所述第二沉积壁(201)相邻，所述第二子像素区(2)与所述第一沉积壁(101)相邻，第三子像素区(3)与所述第四沉积壁(401)相邻。7.根据权利要求6所述的OLED面板，其特征在于所述第一沉积壁(101)和所述第二沉积壁(201)在第一方向上相距第一距离L1，所述第三沉积壁(301)和所述第四沉积壁(401)在第二方向上相距第二距离L2，所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)在第一方向上相距第三距离L3，在沿所述第一方向切割而得到的切面中，从所述第一子像素区(1)的内侧边缘到所述第一沉积壁(101)的顶部的连线与所述基板成角度α1，从所述第二子像素区(2)的内侧边缘到所述第二沉积壁(201)的顶部的连线与所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，从所述第三子像素区(3)的内侧边缘到所述第三沉积壁(301)的顶部的连线与所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于0度且小于90度，并且其中，第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，则满足以下关系：h5>L3×tan(α1)；h6>L3×tan(α2)。8.根据权利要求7所述的OLED面板，其特征在于所述沉积掩膜包括两对第五沉积壁(501)和第六沉积壁(601)，所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)的第一对以及所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)的第二对分别位于成对的所述第一
\t沉积壁和所述第二沉积壁的相反两侧，所述沉积掩膜还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对设置的两对第七沉积壁(701)和第八沉积壁(801)，所述第七沉积壁(701)和所述第八沉积壁(801)的第一对以及第七沉积壁(701)和所述第八沉积壁(801)的第二对分别位于成对的所述第三沉积壁和所述第四沉积壁的相反两侧，第七沉积壁和第八沉积壁的高度分别为h7和h8，满足以下关系：h7>L4×tan(α3)；h8>L4×tan(α4)，其中，所述第一沉积壁(101)相对于所述第五沉积壁(501)沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第二子像素区(2)的宽度b2，所述第二沉积壁(201)相对于所述第六沉积壁(501)沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第一子像素区(1)的宽度b1，所述第三沉积壁(301)相对于所述第七沉积壁(701)沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第四子像素区(4)的宽度b4，所述第四沉积壁(401)相对于所述第八沉积壁(801)沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第三子像素区(3)的宽度b3。9.根据权利要求8所述的OLED面板，其特征在于，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁具有相同的高度。10.根据权利要求7所述的OLED面板，其特征在于，h1、h2的范围为0.02～10000μm，h3、h4、h5、h6的范围为0.05～34000μm。11.根据权利要求10所述的OLED面板，其特征在于，h1、h2的范围为1.8～95μm，h3、h4、h5、h6的范围为4.8～165μm。12.根据权利要求9所述的掩膜结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍里斯·克里斯塔尔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11