【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例一般涉及用于触摸感测的方法和装置,并且更具体地,涉及具有用于改进的绝对感测的网格电极的电容性触摸感测装置,以及用于使用相同装置的方法。
技术介绍
包括接近传感器装置(也通常被称为触摸垫或触摸传感器装置)的输入装置广泛应用于多种电子系统中。接近传感器装置典型地包括通常由表面区分的感测区,在其中接近传感器装置确定一个或多个输入对象的存在、位置和/或运动。接近传感器装置可用于为电子系统提供接口。例如,接近传感器装置通常用作较大计算系统的输入装置(诸如集成在或外设于笔记本或桌上型电脑的不透明触摸垫)。接近传感器装置也经常用于较小计算系统中(诸如集成在蜂窝电话中的触摸屏)。许多接近传感器装置利用传感器电极的阵列来测量电容变化,该电容变化指示靠近传感器电极的诸如手指或触控笔的输入对象的存在。一些电容性实现利用基于传感器电极与输入对象之间的电容性耦合的变化的“自电容”(或“绝对电容”)感测方法。在各种实施例中,靠近传感器电极的输入对象改变传感器电极附近的电场,从而改变量得的电容性耦合。在一个实现中,绝对电容感测方法通过相对于基准电压(例如系统地)调制传感器电极,并通过检测传感器电极和输入对象之间的电容性耦合,来进行操作。在检测单个输入对象的存在中,甚至当单个输入对象与接近传感器装置的表面间隔较远时,绝对电容感测方法是非常有效的。其他电容性实现利用基于传感器电极之间的电容性耦合的变化的“互电容”(或“跨电容”)感测方法。在各种实施例中,传感器电极附近的输入对象改变传感器电极之间的电场,从而改变量得的电容性耦合。在一个实现中,跨电容性感测方法通过检测在一 ...
【技术保护点】
一种输入装置,包括:按传感器图案排列的多个感测元件;以及多个导电布线迹线,每个导电布线迹线导电地与所述多个感测元件中相应一个配对,其中所述传感器布线迹线配置成,与按与所述传感器图案一致的基础图案排列的多个基础电极的基础RC负载相比,降低对应所配对感测元件的RC负载,每个基础传感器电极导电地与基础布线迹线配对,所述基础传感器电极和所配对基础布线迹线具有与所述所配对感测元件和导电布线迹线的尺寸一致的尺寸,所述基础布线迹线在所述基础布线迹线配对至的所述基础传感器电极处终止。
【技术特征摘要】
2015.04.06 US 62/143446;2015.06.30 US 14/7886231.一种输入装置,包括:按传感器图案排列的多个感测元件;以及多个导电布线迹线,每个导电布线迹线导电地与所述多个感测元件中相应一个配对,其中所述传感器布线迹线配置成,与按与所述传感器图案一致的基础图案排列的多个基础电极的基础RC负载相比,降低对应所配对感测元件的RC负载,每个基础传感器电极导电地与基础布线迹线配对,所述基础传感器电极和所配对基础布线迹线具有与所述所配对感测元件和导电布线迹线的尺寸一致的尺寸,所述基础布线迹线在所述基础布线迹线配对至的所述基础传感器电极处终止。2.如权利要求1所述的输入装置,其中所述导电布线迹线的至少两个与所述多个感测元件中的一个配对。3.如权利要求1所述的输入装置,还包括:多个过孔,将所述导电布线迹线中的一个耦合到所述导电布线迹线配对至的所述感测元件。4.如权利要求1所述的输入装置,还包括:过孔,将所述导电布线迹线中的第一导电布线迹线耦合到所述感测元件的第一传感器电极,所述第一导电布线迹线延伸到未耦合端,其中在所述过孔和所述未耦合端之间延伸的所述第一导电布线迹线的区域布置在所述感测元件的第二传感器电极下方。5.如权利要求4所述的输入装置,其中所述第一传感器电极是导电地耦合至第一导电布线迹线的所述感测元件的仅有感测元件。6.如权利要求1所述的输入装置,还包括:第一过孔,将所述导电布线迹线的第一导电布线迹线耦合到所述多个感测元件的所配对第一传感器电极,所述第一导电布线迹线延伸至未耦合端;以及导电线,与所述第一导电布线迹线线性对齐,所述导电线不耦合到所述第一传感器电极,并布置在所述多个感测元件的第二传感器电极下方。7.如权利要求1所述的输入装置,其中相比所述多个感测元件的第二传感器电极,所述多个感测元件的至少第一传感器电极导电地与更少的导电布线迹线配对。8.如权利要求7所述的输入装置,其中耦合到所述第一传感器电极的所述导电布线迹线没有在所述第二传感器电极下方延伸。9.如权利要求7所述的输入装置,其中耦合到所述第一传感器电极的所述导电布线迹线在所述第二传感器电极下方延伸。10.如权利要求7所述的输入装置,还包括:导电线,与耦合到所述第一传感器电极的所述导电布线迹线对齐,并且布置在所述第二传感器电极下方,所述导电线耦合到所述第二传感器电极而不是所述第一传感器电极。11.如权利要求1所述的输入装置,还包括:导电线,与耦合到所述多个感测元件的第一传感器电极的布线迹线对齐,并且布置在所述多个感测元件的第二传感器电极下方,所述导电线耦合到所述第二传感器...
【专利技术属性】
技术研发人员:P舍佩列夫,JK雷诺,D欣特伯格,T麦金,
申请(专利权)人:辛纳普蒂克斯公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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