磁响应玩具制造技术

本发明专利技术提供一种容易操作的磁响应玩具。磁响应玩具包括主玩具体以及具有磁产生构件的副玩具体，主玩具体具备磁探测部、动作部、存储有动作数据的动作存储部以及根据与通过磁探测部探测到磁的情况相应的动作数据使动作部进行动作的动作控制部，磁探测部具有能够探测磁的磁场传感器以及将磁场传感器夹在中间的一对磁场会聚构件，磁场会聚构件具有：位于在磁场传感器的动作磁场方向上穿过磁场传感器的第一轴上的第一区域；位于在与动作磁场方向正交的方向上穿过磁场传感器的第二轴上的第二区域；以及将第一区域与第二区域连接起来的第三区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种响应磁体等磁产生构件的磁来进行动作的玩具。
技术介绍
专利文献1所记载的玩具具备具有磁场传感器的主玩具体以及具有永磁体的副玩具体，通过使副玩具体的磁体与主玩具体的磁场传感器接近，磁场传感器探测出磁场，输出包含声音、发光的演出，并使所输出的演出变化。关于被用作磁场传感器的磁阻效应元件(MR元件)、簧片开关、霍尔元件，其能够探测的磁场的方向(以下称为动作磁场方向)一般已被确定，在专利文献1所记载的玩具中，使磁场会聚的磁场会聚构件在磁场传感器的动作磁场方向上与该磁场传感器相邻地设置，磁场传感器的能够探测的范围扩大了。专利文献1：日本专利第5509355号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在专利文献1所记载的玩具中，需要沿着主玩具体的磁场传感器的动作磁场方向配置副玩具体的磁体。在设想幼儿来作为这种玩具的使用者时，还产生幼儿无法适当地使磁体与磁场传感器能够探测的姿势相符的情况。本专利技术是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于：提供一种即使是幼儿等也能够容易地操作的磁响应玩具。用于解决问题的方案本专利技术所涉及的磁响应玩具是具备主玩具体以及具有磁产生构件的副玩具体的磁响应玩具，其特征在于，所述主玩具体具有磁探测部以及能够进行与通过所述磁探测部探测出磁的情况相应的动作的动作部，所述磁探测部具备能够探测磁的磁场传感器以及将该磁场传感器夹在中间的一对磁场会聚构件，所述磁场会聚构件分别具有：位于在所述磁场传感器的动作磁场方向上穿过所述磁场传感器的第一轴上的第一区域；位于在与所述动作磁场方向正交的方向上穿过所述磁场传感器的第二轴上的第二区域；以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域。另外，在本专利技术所涉及的磁响应玩具中，也可以是，所述磁场传感器与所述第二区域之间的间隙比所述磁场传感器与所述第一区域之间的间隙大。另外，在本专利技术所涉及的磁响应玩具中，也可以是，一个磁场会聚构件的所述第二区域与另一个磁场会聚构件的所述第一区域之间的间隙比所述一个磁场会聚构件的所述第一区域与所述磁场传感器之间的间隙大。另外，在本专利技术所涉及的磁响应玩具中，也可以是，所述第一区域的所述磁场传感器侧的内侧端边缘比所述第一区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘短。另外，在本专利技术所涉及的磁响应玩具中，也可以是，所述一对磁场会聚构件设置成：一个磁场会聚构件的所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域分别与另一个磁场会聚构件的所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域以所述磁场传感器为中心呈点对称。另外，在本专利技术所涉及的磁响应玩具中，也可以是，所述第一区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘和所述第二区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘形成为大致相等的长度。另外，在本专利技术所涉及的磁响应玩具中，也可以是，所述第三区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘相对于所述第一轴和所述第二轴倾斜。另外，在本专利技术所涉及的磁响应玩具中，也可以是，所述第三区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘相对于所述第一轴和所述第二轴倾斜45度。另外，在本专利技术所涉及的磁响应玩具中，也可以是，所述磁场会聚构件由软磁体构成。另外，在本专利技术所涉及的磁响应玩具中，也可以是，所述主玩具体具备：动作存储部，其存储有用于使所述动作部动作的动作数据；以及动作控制部，其从所述动作存储部读出与通过所述磁探测部探测出磁的情况相应的动作数据，根据该读出的动作数据使所述动作部动作。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种即使是幼儿等也容易操作的磁响应玩具。附图说明图1是用于说明本专利技术的实施方式的磁响应玩具的一例的外观图。图2是表示图1的磁响应玩具的结构的框图。图3是表示图1的主玩具体的动作控制部所执行的处理的流程图。图4是图1的主玩具体的磁探测部的立体图。图5是图1的主玩具体的磁探测部的主视图。图6是示意性地表示图1的主玩具体的磁探测部中的磁通的流动的立体图。附图标记说明1：磁响应玩具；2：主玩具体；3：副玩具体；21：磁探测部；22：触发按钮(操作部)；23：声音产生部；24：发光部；25：动作存储部；26：动作控制部；27：电源部；31：磁产生构件；40：磁场传感器；41、42：磁场会聚构件；43：侧面；A1、B1：第一区域；A2、B2：第二区域；A3、B3：第三区域；X：第一轴；Y：第二轴。具体实施方式图1表示用于说明本专利技术的实施方式的磁响应玩具的一例的外观。图1所示的磁响应玩具1包括主玩具体2和副玩具体3。主玩具体2构成为模仿使用者能够把持的剑的形状，副玩具体3构成为能够佩带于使用者的腰部的腰带。在副玩具体3中例如设置有永磁体、电磁体等磁产生构件31，在主玩具体2的剑身部分设置有包含磁场传感器的磁探测部21。主玩具体2构成为能够输出例如使用声音、光等的演出，例如根据对设置在把持部分的附近的触发按钮22的操作来输出演出。而且，在主玩具体2中准备了输出的演出不同的两个动作模式(通常模式和必杀技模式)，根据磁探测部21的磁探测来切换动作模式。图2表示磁响应玩具1的功能结构。主玩具体2具备磁探测部21、作为操作部的触发按钮22、作为动作部的声音产生部23和发光部24、存储有每个动作模式(通常模式和必杀技模式)的声音产生部23和发光部24的动作数据的动作存储部25、动作控制部26以及电源部27。在磁探测部21中探测出磁的情况下，动作控制部26切换动作模式。在本例中，随着对设置于电源部27的未图示的电源开关进行接通操作来使主玩具体2启动，动作控制部26首先将动作模式设定为通常模式。然后，在设定为通常模式的期间在磁探测部21中探测出磁的情况下，动作控制部26将动作模式切换为必杀技模式，在从转变为必杀技模式起经过了规定时间后，再使动作模式恢复为通常模式。而且，在触发按钮22被操作了的情况下，动作控制部26对该操作进行检测，根据所设定的动作模式和动作存储部25中存储的动作数据，使声音产生部23和发光部24动作。声音产生部23构成为包含扬声器等发声体，基于动作控制部26的控制产生与动作模式相应的声音。即，在通过磁探测部21探测出磁而切换为必杀技模式的情况下，能够产生与必杀技模式相应的声音(即与通过磁探测部21探测出磁的情况相应的动作)。发光部24构成为包含LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等发光体，基于动作控制部26的控制，以与动作模式相应的方式发光。即，在通过磁探测部21探测出磁而切换为必杀技模式的情况下，能够以与必杀技模式相应的方式发光(即能够进行与通过磁探测部21探测出磁的情况相应的动作)。在主玩具体2与副玩具体3接触或接近而磁产生构件31进入到磁探测部21能够探测出磁的范围内时，磁探测部21探测出磁产生构件31所产生的磁，详细情况后述。图3表示动作控制部26所执行的处理的流程。随着主玩具体2被启动，主玩具体2的动作控制部26首先将动作模式设定为通常模式(步骤S1)。然后，动作控制部26判定磁探测部21中是否探测出磁(步骤S2)。在磁探测部21中探测出磁的情况下(步骤S2：“是”)，动作控制部26将动作模式从通常模式设定为必杀技模式(步骤S3)。然后，动作控制部26对计时器进行复位，开始进行计时(步骤S4)。动作控制部26判定是否存在触发按钮2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁响应玩具，其具备主玩具体以及具有磁产生构件的副玩具体，其中，所述主玩具体具有磁探测部以及能够进行与通过所述磁探测部探测出磁的情况相应的动作的动作部，所述磁探测部具有能够探测磁的磁场传感器以及将该磁场传感器夹在中间的一对磁场会聚构件，所述磁场会聚构件分别具有：位于在所述磁场传感器的动作磁场方向上穿过所述磁场传感器的第一轴上的第一区域；位于在与所述动作磁场方向正交的方向上穿过所述磁场传感器的第二轴上的第二区域；以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域。

【技术特征摘要】
2015.07.08 JP 2015-1365601.一种磁响应玩具，其具备主玩具体以及具有磁产生构件的副玩具体，其中，所述主玩具体具有磁探测部以及能够进行与通过所述磁探测部探测出磁的情况相应的动作的动作部，所述磁探测部具有能够探测磁的磁场传感器以及将该磁场传感器夹在中间的一对磁场会聚构件，所述磁场会聚构件分别具有：位于在所述磁场传感器的动作磁场方向上穿过所述磁场传感器的第一轴上的第一区域；位于在与所述动作磁场方向正交的方向上穿过所述磁场传感器的第二轴上的第二区域；以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域。2.根据权利要求1所述的磁响应玩具，其特征在于，所述磁场传感器与所述第二区域之间的间隙比所述磁场传感器与所述第一区域之间的间隙大。3.根据权利要求1所述的磁响应玩具，其特征在于，一个磁场会聚构件的所述第二区域与另一个磁场会聚构件的所述第一区域之间的间隙比所述一个磁场会聚构件的所述第一区域与所述磁场传感器之间的间隙大。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的磁响应玩具，其特征在于，所述第一区域的所述磁场传感器侧的内侧端边缘比所述第一区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘短。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本荣一，
申请(专利权)人：株式会社万代，
类型：发明
国别省市：日本;JP