低功率通电控制电路的方法和实施方案技术

本发明专利技术揭示低功率通电控制电路的方法和实施方案。在特定实施例中，一种设备包含由第一电压供应器供电的功率检测器电路。至少一个电压电平移位装置耦合到第二电压供应器，且将测试输入提供给所述功率检测器电路。任选漏电自控制装置可减少与所述第一供应器和所述第二供应器相关联的无用漏电流。

【技术实现步骤摘要】
分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2011年12月18日、申请号为201180064054.9、专利技术名称为“低功率通电控制电路的方法和实施方案”的专利技术专利申请案。
本专利技术大体上涉及通电控制电路。
技术介绍
技术的进步已产生更小且更强大的计算装置。举例来说，当前存在多种便携式个人计算装置，包含无线计算装置，例如较小、轻型且易于由用户携带的便携式无线电话、个人数字助理(PDA)和寻呼装置。更具体来说，便携式无线电话(例如，蜂窝式电话和因特网协议(IP)电话)可经由无线网络传达语音和数据包。此外，许多此类无线电话包含并入于其中的其它类型装置。举例来说，无线电话还可包含数字静态相机、数字视频摄像机、数字记录器和音频文件播放器。而且，此类无线电话可处理可执行指令，包含可用以接入因特网的软件应用程序，例如网页浏览器应用程序。因而，电子装置可包含显著的计算能力。电子装置可包含经设计以彼此通信的若干电子组件。电子组件中的每一者可对应于例如衰减电压域和核心电压域等多个电压域中的一者。常规电压检测器可检测核心电压域是否处于足够用于核心电路的操作的电压下。然而，此类常规电压检测器可由衰减电压域来供电，或可在衰减电压域处于不足电压下时无法操作。因此，常规电压检测器可能不能够检测核心电压域经供电而衰减电压域未经供电的状态。
技术实现思路
低功率通电控制电路可经配置以检测第一电压域的电压状态，且将指示所述第一电压域的所述状态的输出提供给处于第二电压域下的电子组件。所述低功率通电控制电路
可在调试程序期间(例如，在联合测试行动小组(JTAG)边界扫描期间)使用，其中测试半导体装置的物理接口。举例来说，可能需要确定与所述半导体装置的边界逻辑相关联的衰减电压供应器在所述JTAG边界扫描期间是否充分地供电。所述低功率通电控制电路可提供指示所述衰减电压供应器是否充分地供电的测试输入。所述测试输入可用以将复位信号提供给JTAG逻辑(例如，测试接入端口(TAP)控制器)，以根据所述衰减电压供应器的所确定状态将所述边界逻辑置于合乎需要的状态(例如，旁路状态)。所述低功率通电控制电路可由所述核心电压域来供电，且因此可能能够在所述衰减电压域不在接收功率时将恰当复位信号提供给核心逻辑。在另一特定实施例中，一种设备包含由第一电压供应器供电的功率检测器电路。至少一电压电平移位装置耦合到第二电压供应器，且将测试输入提供给所述功率检测器电路。在另一特定实施例中，一种设备包含用于检测电压的装置。用于检测电压的所述装置由第一电压供应器来供电。所述设备进一步包含用于电平移位(例如，逐步减低)电压的装置。用于电平移位电压的所述装置耦合到第二电压供应器，且响应于所述第二电压供应器将测试输入提供给用于检测电压的所述装置。在另一特定实施例中，一种方法包含由第一电压供应器对功率检测器电路供电，且在电压电平移位装置处从第二电压供应器接收电压。所述方法进一步包含由所述电压电平移位装置将测试输入提供给所述功率检测器电路。在另一特定实施例中，一种通电控制电路包含耦合到核心电压供应器的功率检测器电路。电压电平移位装置耦合到衰减电压供应器，且耦合到所述功率检测器电路。缓冲级耦合到所述功率检测器电路，且耦合到所述核心电压供应器，且提供指示所述衰减电压供应器的状态的输出。在另一特定实施例中，一种计算机可读有形媒体存储可由计算机执行的指令。所述指令包含可由所述计算机执行以确定由第一电压供应器供电的功率检测器电路是否已从耦合到第二电压供应器的至少一电压电平移位装置接收测试输入的指令。在另一特定实施例中，一种通电控制电路包含耦合到核心电压供应器的功率检测器电路以及耦合到衰减电压供应器且耦合到所述功率检测器电路的电压电平移位装置。缓冲级耦合到所述功率检测器电路，且耦合到所述核心电压供应器。所述缓冲级经配置以提供指示所述衰减电压供应器的状态的输出。由所揭示实施例中的至少一者提供的一个特定优点在于：即使第一电压域不在接收功率，仍可确定所述第一电压域的状态，且向第二电压域指示。由所揭示实施例中的至
少一者提供的另一特定优点在于：确定所述第一电压域的所述状态可(例如)通过使用电平移位装置或可选漏电控制装置来减少功率消耗。由所揭示实施例中的至少一者提供的另一特定优点是：通过将指示与系统边界逻辑相关联的电源供应电平的输出提供给JTAG逻辑装置且因此使得JTAG逻辑装置能够选择性地扫描或绕过所述边界逻辑，而符合由电气和电子工程师协会(IEEE)颁布的标准，例如IEEE 1149.1。在检视整个申请案后，本专利技术的其它方面、优点和特征将变得显而易见，整个申请案包含以下部分：附图说明、具体实施方式和权利要求书。附图说明图1为包含通电控制电路的系统的特定说明性实施例的图；图2为图1的通电控制电路的特定说明性实施例的电路图；图3为图1的通电控制电路的另一特定说明性实施例的电路图；图4为图1的通电控制电路的另一特定说明性实施例的电路图；图5为图1的通电控制电路的另一特定说明性实施例的电路图；图6为包含通电控制电路的半导体装置的特定说明性实施例的图；图7为与图2到图5的通电控制电路的操作相关联的时序图；图8为通电控制电路的操作方法的特定说明性实施例的流程图；图9为包含通电控制电路的电子便携式装置的特定说明性实施例的图；以及图10为用以制造包含通电控制电路的电子装置的制造工艺的特定说明性实施例的数据流程图。具体实施方式参看图1，揭示了包含通电控制电路102的系统的特定说明性实施例，且所述系统通常用100表示。系统100包含第一电压供应器104和第二电压供应器108。系统100还包含耦合到通电控制电路102的系统逻辑112。通电控制电路102进一步包含电平移位装置116、功率检测器电路(或者被称作且在图1中经说明为加电/掉电检测器电路120)以及可选漏电自我控制电路160。第一电压供应器104可将功率或电压供应到系统逻辑112。第一电压供应器104还可将功率或电压供应到功率检测器电路120。第二电压供应器108可将功率或电压供应到电平移位装置116。第一电压供应器104和第二电压供应器108通常可具有任何电压电平。在特定说明性实施例中，第一电压供应器104为核心电压供应器，且第二电压供
应器108为衰减电压供应器。系统100的各种装置可耦合到接地电压或耦合到接地节点。举例来说，系统逻辑112可耦合到接地节点132。功率检测器电路120可耦合到接地节点130。接地节点132可能与接地节点130相同，或可能不同(例如，接地电平移位装置或背靠背静电放电(ESD)保护二极管可耦合在接地节点130、132之间)。根据特定说明性实施例，通电控制电路102包含漏电控制装置160。漏电控制装置160可包含于通电控制电路102内，或可在通电控制电路102外部。漏电控制装置160可耦合到第一电压供应器104，且耦合到第二电压供应器108。漏电控制装置160可经配置以减少与第一电压供应器104和第二电压供应器108中的一者或两者相关联的漏电流，如本文中将参看图5所描述。在操作时，电平移位装置116可从第二电压供应器108接收电压。电平移位装置116可逐步减低或衰减从第二电压供应器108接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储可由计算机执行的指令的计算机可读有形媒体，可由所述计算机执行的所述指令确定由第一电压供应器供电的功率检测器电路是否已从耦合到第二电压供应器的至少一个电压电平移位装置接收测试输入，其中所述功率检测器电路经配置以基于所述测试输入确定所述第二电压供应器的逻辑状态且提供指示所述逻辑状态的输出。

【技术特征摘要】
2010.12.17 US 12/971,5271.一种存储可由计算机执行的指令的计算机可读有形媒体，可由所述计算机执行的所述指令确定由第一电压供应器供电的功率检测器电路是否已从耦合到第二电压供应器的至少一个电压电平移位装置接收测试输入，其中所述功率检测器电路经配置以基于所述测试输入确定所述第二电压供应器的逻辑状态且提供指示所述逻辑状态的输出。2.根据权利要求1所述的计算机可读有形媒体，其中所述测试输入向所述计算机指示所述第二电压供应器经供电。3.根据权利要求2所述的计算机可读有形媒体，其中所述计算机包括测试接入端口TAP控制器，且其中所述功率检测器电路经配置以将所述输出提供到所述TAP控制器。4.根据权利要求1所述的计算机可读有形媒体，其中所述指令可由集成于选自由以下各者组成的群组的装置中的处理器执行：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA和固定位置数据单元。5.根据权利要求3所述的计算机可读有形媒体，其中所述TAP控制器基于所述输出确定所述第二电压供应器是否经供电。6.根据权利要求3所述的计算机可读有形媒体，其中所述TAP控制器基于所述输出确定所述第二电压供应器是否达到阈值。7.一种方法，其包括：在计算机处接收包括电路板上的封装半导体装置的物理定位信息的设计信息，所述封装半导体装置包括：功率检测器电路，其由第一电压供应器供电；以及至少一个电压电平移位装置，其耦合到第二电压供应器，且经配置以将测试输入提供给所述功率检测器电路，其中所述功率检测器电路经配置以基于所述测试输入确定所述第二电压供应器的逻辑状态且提供指示所述逻辑状态的输出。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述设计信息具有GERBER格式。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述封装半导体装置进一步包含由所述第二电压供应器供电的漏电控制装置，所述漏电控制装置响应于所述第一电压供应器的电压电平。10.根据权利要求8所述的方法，其中所述漏电控制装置包括n-型金属氧化物半导体NMOS晶体管，其中所述NMOS晶体管的栅极耦合到所述第一电压供应器，且其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：权俊基，克雷格·E·博登，史蒂夫·J·霍尔特，特尔代达·索拉蒂，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US