一种超低压启动电路制造技术

本发明专利技术提供了一种超低压启动电路，包括外部电源、第一电流源、第一P型半导体器件、第一电阻、电压感应模块和电源转换模块；其中，第一P型半导体器件包括：第一端口、第二端口及第三端口，且第一端口及第一电流源的正极均与外部电源相连，第二端口与第一电流源的负极相连，第三端口分别与电压感应模块和电源转换模块相连，且第一电阻的一端与第一电流源的负极相连，第一电阻的另一端接地。本发明专利技术的方案在LED芯片内部电源未产生时，外部电源可快速给基准等关键模块提供合适的电源电压，并可在内部电路正常后关闭该启动电路，简化了基准和内部电源等模块的设计难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种超低压启动电路。
技术介绍
针对高压发光二极管(HV LED)的线性LED驱动技术，需要低压启动的电路以提高整体电路的效率，在无需电解电容的条件下，交流信号直接输入，LED芯片并联于HV LED的两端，通过并联三个LED芯片来工作，在此情况下，芯片的启动电压越小越好。一般的做法是芯片内有独立一路低精度基准源由充电源供电并用于判断充电源的插入，另有独立一路高精度基准源在芯片退出待机模式后开始工作。这种方法的缺点是电路规模大，控制复杂，且两路基准源间的精度误差不能过大，尤其是充电源为高压时，上述方案还需要增加高压低压差线性稳压器(LDO)以提供合适的电源给内部电路和高精度基准，由此导致基准电路的启动难以设计。其他的做法还包括使用稳压二极管等器件搭建钳位电路，用于产生低压电源给内部电路等电路供电，这种方法的缺点是需要有特殊器件的工艺支撑，并且此类电路的电源抑制比特性很差，直接给基准和内部电路供电会恶化芯片的性能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种超低压启动电路，能够给基准电路供电，并在内部产生电源后自动关闭。为了解决上述技术问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超低压启动电路，其特征在于，包括：外部电源、第一电流源、第一P型半导体器件、第一电阻、电压感应模块和电源转换模块；其中，所述第一P型半导体器件包括：第一端口、第二端口及第三端口，且所述第一端口及所述第一电流源的正极均与所述外部电源相连，所述第二端口与所述第一电流源的负极相连，所述第三端口分别与所述电压感应模块和所述电源转换模块相连，且所述第一电阻的一端与所述第一电流源的负极相连，所述第一电阻的另一端接地；所述第一P型半导体器件导通时，所述第一P型半导体器件的第三端口输出的电压为所述电源转换模块供电，且当所述电压感应模块感应到所述第一P型半导体器件的第三端口的电压大于预设电压值时，所述电压感...

【技术特征摘要】
1.一种超低压启动电路，其特征在于，包括：外部电源、第一电流源、第一P型半导体器件、第一电阻、电压感应模块和电源转换模块；其中，所述第一P型半导体器件包括：第一端口、第二端口及第三端口，且所述第一端口及所述第一电流源的正极均与所述外部电源相连，所述第二端口与所述第一电流源的负极相连，所述第三端口分别与所述电压感应模块和所述电源转换模块相连，且所述第一电阻的一端与所述第一电流源的负极相连，所述第一电阻的另一端接地；所述第一P型半导体器件导通时，所述第一P型半导体器件的第三端口输出的电压为所述电源转换模块供电，且当所述电压感应模块感应到所述第一P型半导体器件的第三端口的电压大于预设电压值时，所述电压感应模块控制所述第一电流源中的电流增大，使得所述第一P型半导体器件的第一端口的电压与所述第二端口的电压之差小于所述第一P型半导体器件的开启电压，所述第一P型半导体器件截止。2.如权利要求1所述的超低压启动电路，其特征在于，所述第一P型半导体器件为P型场效应管，所述P型场效应管的源极与所述外部电源连接，所述P型场效应管的栅极与所述第一电流源的负极相连，所述P型场效应管的漏极与所述电压感应模块相连。3.如权利要求1所述的超低压启动电路，其特征在于，所述第一电流源包括：第二P型场效应管和第三P型场效应管，且所述第二P型场效应管的源极和所述第三P型场效应管的源极均与所述外部电源相连，所述第二P型场效应管的栅极与所述第三P型场效应管的栅极相连，所述第二P型场效应管的漏极与所述第一P型半导体器件的第三端口相连，所述第三P型场效应管的漏极与所述电压感应模块相连，且所述第三P型场效应管的栅极与所述第三P型场效应管的漏极相连。4.如权利要求1所述的超低压启动电路，其特征在于，所述电压感应模块包括：第二电阻、第三电阻及第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：过伟，朱樟明，赵萌，
申请(专利权)人：昆山启达微电子有限公司，西安电子科技大学昆山创新研究院，
类型：发明
国别省市：江苏;32