存储系统及其操作方法技术方案

一种存储系统，包括：闪存转换层块，适用于在写入操作期间从主机接收数据并且将逻辑地址转换为物理地址以储存地址信息；第一缓冲单元，适用于从闪存转换层顺序地接收数据；以及第二缓冲单元，适用于从闪存转换层随机地接收数据，其中，闪存转换层块在写入操作期间的快速写入模式中仅将数据输出至第一缓冲单元和第二缓冲单元中的一个，以及在快速写入模式结束之后，更新关于储存在第一缓冲单元和第二缓冲单元中的一个中的数据的映射信息。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年3月24日提交给韩国知识产权局的申请号为10-2015-0040689的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的各种实施例涉及一种存储系统，更具体地，涉及一种能够提升操作速度的存储系统及其操作方法。
技术介绍
便携式电子设备使用具有大容量的文件(诸如，音频文件和视频文件)，使得存储系统需要具有大量的储存容量。存储系统包括多个存储器件以增大存储容量。在具有存储器件的存储系统中，快的操作速度是重要特性。存在于存储系统中的存储器件可以使用半导体(诸如，硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))实现。半导体存储器件一般分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在其电源被阻断时丢失储存在其中的数据。易失性存储器件包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器件在即使没有恒定电源时也能够保持储存的数据。非易失性存储器件包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻型RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)等。闪速存储器可以分为或非(NOR)型和与非(NAND)型。
技术实现思路
本专利技术的各种实施例针对一种存储系统及其操作方法，所述存储系统当在正常写入操作期间从主机输入快速写入命令时能够提升操作速度。在本专利技术的实施例中，一种存储系统包括：闪存转换层块，适用于在写入操作期间从主机接收数据以及将逻辑地址转换为物理地址以储存地址信息；第一缓冲单元，适用于顺序地接收来自闪存转换层的数据；以及第二缓冲单元，适用于随机地接收来自闪存转换层的数据，其中，闪存转换层块在写入操作期间的快速写入模式中仅将数据输出至
第一缓冲单元和第二缓冲单元中的一个，而在快速写入模式结束之后，更新关于储存在第一缓冲单元和第二缓冲单元中的一个中的数据的映射信息。在本专利技术的实施例中，一种存储系统包括：闪存转换层块，适用于通过主机通道从主机接收数据；缓冲块，适用于接收在闪存转换层块中转换的数据以储存数据；以及NAND芯片组，适用于通过内部通道接收储存在缓冲块中的数据以对数据编程，其中，闪存转换层块在快速写入模式中跳过对储存在缓冲块中的数据的映射信息更新操作，而在快速写入模式结束之后执行映射信息更新操作。在本专利技术的实施例中，一种操作存储系统的方法包括：在写入操作期间，从主机接收数据并且将逻辑地址转换为物理地址以储存地址信息；将接收到的数据储存在缓冲块中；在写入操作期间的正常写入模式中，更新关于储存在缓冲单元中的数据的映射信息；以及在写入操作期间的快速写入模式中，将储存在缓冲单元中的数据编程在存储芯片中，而跳过对储存在缓冲单元中的数据的映射信息更新操作。附图说明图1是示出根据本专利技术的实施例的存储系统的框图；图2是用于描述图1中示出的存储系统的正常写入操作的流程图；图3是用于描述图1中示出的存储系统的快速写入操作的流程图；图4是用于描述在快速写入模式转换为正常写入模式时缓冲块的操作的示图；图5是示出根据本专利技术的实施例的存储系统的框图；图6是示出根据本专利技术的实施例的计算系统的框图。具体实施方式根据以下参照附图对实施例的描述，本专利技术的各种优点和特征及实现其的方法将变得明显。然而，本专利技术不局限于本文所描述的实施例，而可以以其他形式实现。然而，提供当前实施例用于详细描述本专利技术，使得本领域技术人员可以容易地实践本专利技术的技术精神。贯穿本说明书和所附权利要求书，当描述为一个元件“耦接”至另一个元件时，元件可以“直接耦接”至其他元件或通过第三元件“电耦接”至其他元件。贯穿本说明书和权利要求书，除非另外明确说明，否则词“包括”(“comprise”及诸如“comprises”或”comprising”的变型)将被理解为意味着包括所述元件但不排除任何其他元件。图1是示出根据本专利技术的实施例的存储系统100的框图。参照图1，存储系统100可以包括控制器110和NAND芯片组120。控制器110可以包括闪存转换层(FTL)块111和缓冲块112。缓冲块112可以包括顺序缓冲单元112A和随机缓冲单元112B。FTL块111通过主机通道连接至主机，在数据输入操作期间将与从主机输入的数据相对应的逻辑地址转换为用于NAND芯片组120的物理地址，以及根据转换的物理地址来执行请求的操作。FTL块111可以将地址转换操作完成的数据选择性地输出至顺序缓冲单元112A或随机缓冲单元112B。例如，当顺序输入的数据的大小大于16kB时，FTL块111可以将数据输入至顺序缓冲单元112A和随机缓冲单元112B，而当顺序输入的数据的大小小于或等于16kB时，FTL块111可以将数据输入至随机缓冲单元112B。而且，FTL块111通过在数据回读操作被执行之前比较储存在顺序缓冲单元112A和随机缓冲单元112B中的数据的地址来检查是否存在对应于相同地址的数据。当存在对应于相同地址的数据时，FTL块111使数据无效并且更新映射信息，从而防止回读操作的错误。顺序缓冲单元112A可以顺序地接收和储存由FTL块111转换的数据，而随机缓冲单元112B可以随机地接收和储存由FTL块111转换的数据。例如，当从主机输入的数据的大小小于预定值(例如，16kB)时可以使用随机缓冲单元112B，而当从主机输入的数据的大小大于预定值时可以使用顺序缓冲单元112A和随机缓冲单元112B。储存在顺序缓冲单元112A和随机缓冲单元112B中的数据可以在写入操作期间通过内部通道来传送至NAND芯片组120，并且被编程在包括在NAND芯片组120中的存储单元中。NAND芯片组120可以包括多个NAND芯片，并且NAND芯片可以由NAND闪速存储器件形成。而且，NAND芯片组120可以由其他非易失性存储器件形成。即，NAND芯片组120可以由各种类型的非易失性存储器件(诸如，NOR闪速存储器件、使用铁电电容器的铁电RAM(FRAM)、使用隧穿磁阻(TMR)层的磁性RAM(MARM)、使用硫族化物合金的相变存储器件(PRAM)以及使用过渡金属氧化物的电阻式存储器件(RERAM))中的任意一种来形成。图2是用于描述图1中示出的存储系统的正常写入操作的流程图。将参照图1和图2来描述存储系统的正常写入操作。1)输入数据(S210)在数据输入操作中，数据通过主机通道而从主机顺序地输入至控制器110。在这种情况下，数据的逻辑地址与数据一起被输入。2)将数据储存在缓冲块中(S220)FTL块111将从主机输入的数据的逻辑地址转换为物理地址，以及根据转换的物理地址来执行请求的操作。其地址被转换了的数据被储存在缓冲块112的顺序缓冲单元112A和随机缓冲单元112B中。3)判断是否需要回读操作(S230)当地址转换操作完成然后对由主机指定的地址做出写入请求时，FTL块111判断是否需要回读操作。即，FTL块111检查指定地址是否适合存储系统中设置的写入单位。例如，当写入单位是4k时，FTL块111需要执行回读操作来以4k为单位重新配置写入地址(包括指定地址)。4)搜索本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储系统，包括：闪存转换层块，适用于在写入操作期间从主机接收数据并且将逻辑地址转换为物理地址以储存地址信息；第一缓冲单元，适用于顺序地接收来自闪存转换层的数据；以及第二缓冲单元，适用于随机地接收来自闪存转换层的数据，其中，闪存转换层块在写入操作期间的快速写入模式中仅将数据输出至第一缓冲单元和第二缓冲单元中的一个，以及在快速写入模式结束之后，更新关于储存在所述第一缓冲单元和第二缓冲单元中的一个中的数据的映射信息。

【技术特征摘要】
2015.03.24 KR 10-2015-00406891.一种存储系统，包括：闪存转换层块，适用于在写入操作期间从主机接收数据并且将逻辑地址转换为物理地址以储存地址信息；第一缓冲单元，适用于顺序地接收来自闪存转换层的数据；以及第二缓冲单元，适用于随机地接收来自闪存转换层的数据，其中，闪存转换层块在写入操作期间的快速写入模式中仅将数据输出至第一缓冲单元和第二缓冲单元中的一个，以及在快速写入模式结束之后，更新关于储存在所述第一缓冲单元和第二缓冲单元中的一个中的数据的映射信息。2.如权利要求1所述的存储系统，其中，当从主机接收到的数据的大小大于预定值时，闪存转换层块将数据储存在第一缓冲单元和第二缓冲单元中，而当从主机接收到的数据的大小小于或等于预定值时，闪存转换层块仅将数据储存在第二缓冲单元中。3.如权利要求1所述的存储系统，其中，当快速写入模式改变为正常写入模式时，闪存转换层块更新在快速写入模式中跳过的映射信息。4.如权利要求1所述的存储系统，其中，在写入操作期间的正常写入模式中，闪存转换层块将数据储存在第一缓冲单元和第二缓冲单元中，然后通过为储存在第一缓冲单元和第二缓冲单元中的数据搜索转换地址来使与重复地址对应的数据无效以更新映射信息。5.如权利要求1所述的存储系统，其中，当在快速写入模式中PON信号在断电状态被切换至导通状态时被激活时...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁仁，金守年，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR