一种具有差分结构和极点消除结构的低噪声放大器制造技术

技术编号:13797951 阅读:81 留言:0更新日期:2016-10-06 20:00
一种具有差分结构和极点消除结构的低噪声放大器,可以减少传统低噪声放大器的面积,进而提高芯片制造性价比的射频接收改进技术。和使用单端的电感器所设计的低噪声放大器对比,由于差分电感器的对称结构,所产生的差分电感低噪声放大器具有更好的共模抑制和更少的二阶失真相比,同时,基于差分电感设计的低噪声放大器,在电感数目上,从传统结构的4个减少到2个,在管芯面积上减少一半,从而显著降低成本。和没有对共源共栅放大器中间极点进行消除的低噪声放大器对比,极点谐振电感能减少这个极点所产生的影响,使得整体的频率响应变得更窄,品质因数更高,进而改善频率响应,更好的抑制带外噪声和干扰,从而降低整个系统的噪声系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有差分结构和极点消除结构的低噪声放大器,可以将传统低噪声放大器必须的4个电感减少为2个电感,并且能提高整个系统对二阶干扰的抑制作用。
技术介绍
目前,一个射频接收器的前端通常具有低噪声放大器、混频器和频率过滤器。因为低噪声放大器是接收器的第一级,其性能通常限制了整体接收器的性能。传统的低噪声放大器通常需要4个单端电感器,从而占据大约两倍的硅面积,并且消耗更多的功率,而且单端低噪声放大器存在较差的共模抑制和偶次谐波失真等问题。另一方面,传统的低噪声放大器通常采用共源放大器和共栅电流放大器结合起来对噪声进行放大,但是在共源放大器和共栅放大器连接的地方存在寄生电容,会产生一个极点,影响射频频率响应,还会带来噪声性能的下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有差分结构和极点消除结构的低噪声放大器。采用全差分电感设计,能够将传统低噪声放大器必须的4个电感减少为2个电感,同时还能提高整个系统对二阶干扰的抑制作用。为了提高整体系统的频率响应,本专利技术还提出了使用谐振电感对共源共栅低噪声放大器的极点进行改善的方法。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是接收R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有差分结构和极点消除结构的低噪声放大器,可以减少传统低噪声放大器的面积,进而提高芯片制造性价比的射频接收改进技术,其特征是:采用全差分电感设计,将传统低噪声放大器必须的4个电感减少为2个电感,同时还能提高整个系统对二阶干扰的抑制作用;为了提高整体系统的频率响应,本专利技术还提出了使用谐振电感对共源共栅低噪声放大器的极点进行改善的方法。

【技术特征摘要】
1.一种具有差分结构和极点消除结构的低噪声放大器,可以减少传统低噪声放大器的面积,进而提高芯片制造性价比的射频接收改进技术,其特征是:采用全差分电感设计,将传统低噪声放大器必须的4个电感减少为2个电感,同时还能提高整个系统对二阶干扰的抑制作用;为了提高整体系统的频率响应,本发明还提出了使用谐振电感对共源共栅低噪声放大器的极点进行改善的方法。2.根据权利要求书1所述的低噪声放大器,其特征是:和使用单端的电感器所设计的低噪声放大器对比,由于差分电感器的对称...

【专利技术属性】
技术研发人员:张健张弛
申请(专利权)人:苏州啸虎电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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