一种具有较强抗干扰性能的调频发射机制造技术

本实用新型专利技术采用一种具有较强抗干扰性能的调频发射机，包括三极管Q1，三极管Q1的基极经并联的电容C2和电阻R2后接电容C1的一端，电容C1的另一端接MIC的正极，MIC的负极接地，三极管Q1的集电极经电阻R3接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接MIC的正极，电阻R1的一端接电源E的正极，三极管Q1的发射极经电阻R4接地，结构简单、信号抗干扰能力强，比一般的调频发射机抗干扰能力提高50％以上，为操作人员解决了工作中的难题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种调频发射机，尤其涉及一种具有较强抗干扰性能的调频发射机。
技术介绍
调频发射机：首先将音频信号和高频载波调制为调频波，使高频载波的频率随音频信号发生变化，再对所产生的高频信号进行放大、激励、功放和一系列的阻抗匹配，使信号输出到天线，发送出去的装置；目前的调频发射机的信号抗干扰能力差，严重影响实际使用，给操作人员带来了难题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对现有技术的不足提供一种具有较强抗干扰性能的调频发射机，信号抗干扰能力强，为操作人员解决了工作中的难题。为解决上述技术问题本技术采用以下技术方案：一种具有较强抗干扰性能的调频发射机，包括三极管Q1，三极管Q1的基极经并联的电容C2和电阻R2后接电容C1的一端，电容C1的另一端接MIC的正极，MIC的负极接地，三极管Q1的集电极经电阻R3接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接MIC的正极，电阻R1的一端接电源E的正极，三极管Q1的发射极经电阻R4接地。作为上述技术方案的进一步改进：所述三极管Q1的集电极接电容C3的一端，电容C3的另一端接电阻R5的一端，电阻R5的另一端经电容C14接地，电容C3的另一端接三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极接电阻R5的另一端，三极管Q2的集电极经电阻R6接 电源E的正极，三极管Q2的发射极经并联的电阻R7和电容C4接地。所述电阻R5的另一端接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接运算放大器IC1的同相输入端，运算放大器IC1的反相输入端接电源E的正极，电阻R8的另一端经并联的电容C5和电阻R9接地，电阻R8的另一端接运算放大器IC2的同相输入端，运算放大器IC2的反相输入端经并联的电容C6和电阻R10后接运算放大器IC2的输出端，运算放大器IC2的输出端经电容C7接地。所述运算放大器IC1的输出端接电容C8的一端，电容C8的另一端接电容C9的一端，电容C9的另一端接地，电容C9的另一端经串联的电容C10和电感L2接电源E的正极，电容C8的另一端接三极管Q3的集电极，三极管Q3的发射极接地，三极管Q3的基极经电阻R11接地，电容C8的另一端接电感L1的一端，电感L1的另一端经电感L2接电源E的正极。所述电感L1的另一端接电容C11的一端，电容C11的另一端经电阻R12接地，电容C11的另一端接三极管Q4的基极，三极管Q4的发射极经并联的电阻R13和电容C13接地，三极管Q4的集电极经电感L3接电源E的正极，电源E的正极的负极接地，三极管Q4的集电极经电容C12接天线。所述运算放大器IC1和运算放大器IC2的型号均为MC1458。本技术采用上述技术方案，具有以下优点：本技术结构简单、信号抗干扰能力强，比一般的调频发射机抗干扰能力提高50％以上，为操作人员解决了工作中的难题。下面结合附图和实施例对上述技术方案做进一步说明：附图说明：附图1为本技术实施例中具有较强抗干扰性能的调频发射机的结构示意图。具体实施方式实施例，如图1所示，一种具有较强抗干扰性能的调频发射机，包括三极管Q1，三极管Q1的基极经并联的电容C2和电阻R2后接电容C1的一端，电容C1的另一端接MIC的正极，MIC的负极接地，三极管Q1的集电极经电阻R3接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接MIC的正极，电阻R1的一端接电源E的正极，三极管Q1的发射极经电阻R4接地，；三极管Q1的集电极接电容C3的一端，电容C3的另一端接电阻R5的一端，电阻R5的另一端经电容C14接地，电容C3的另一端接三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极接电阻R5的另一端，三极管Q2的集电极经电阻R6接电源E的正极，三极管Q2的发射极经并联的电阻R7和电容C4接地；电阻R5的另一端接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接运算放大器IC1的同相输入端，运算放大器IC1的反相输入端接电源E的正极，电阻R8的另一端经并联的电容C5和电阻R9接地，电阻R8的另一端接运算放大器IC2的同相输入端，运算放大器IC2的反相输入端经并联的电容C6和电阻R10后接运算放大器IC2的输出端，运算放大器IC2的输出端经电容C7接地；运算放大器IC1的输出端接电容C8的一端，电容C8的另一端接电容C9的一端，电容C9的另一端接地，电容C9的另一端经串联的电容C10和电感L2接电源E的正极，电容C8的另一端接三极管Q3的集电极，三极管Q3的发射极接地，三极管Q3的基极经电阻R11接地，电容C8的另一端接电感L1的一端，电感L1的另一端经电感L2接电源E的正极；电感L1的另一端接电容C11的一端，电容C11的另一端经电阻R12接地，电容C11的另一端接三极管Q4的基极，三极管Q4的发射极经并联的电阻R13和电容C13接地，三极管Q4的集电极经电感L3接电源E的正极，电源E的正 极的负极接地，三极管Q4的集电极经电容C12接天线。运算放大器IC1和运算放大器IC2的型号均为MC1458。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有较强抗干扰性能的调频发射机，其特征在于：包括三极管Q1，三极管Q1的基极经并联的电容C2和电阻R2后接电容C1的一端，电容C1的另一端接MIC的正极，MIC的负极接地，三极管Q1的集电极经电阻R3接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接MIC的正极，电阻R1的一端接电源E的正极，三极管Q1的发射极经电阻R4接地。

【技术特征摘要】
1.一种具有较强抗干扰性能的调频发射机，其特征在于：包括三极管Q1，三极管Q1的基极经并联的电容C2和电阻R2后接电容C1的一端，电容C1的另一端接MIC的正极，MIC的负极接地，三极管Q1的集电极经电阻R3接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接MIC的正极，电阻R1的一端接电源E的正极，三极管Q1的发射极经电阻R4接地。2.根据权利要求1所述的一种具有较强抗干扰性能的调频发射机，其特征在于：所述三极管Q1的集电极接电容C3的一端，电容C3的另一端接电阻R5的一端，电阻R5的另一端经电容C14接地，电容C3的另一端接三极管Q2的基极，三极管Q2的集电极接电阻R5的另一端，三极管Q2的集电极经电阻R6接电源E的正极，三极管Q2的发射极经并联的电阻R7和电容C4接地。3.根据权利要求2所述的一种具有较强抗干扰性能的调频发射机，其特征在于：所述电阻R5的另一端接电阻R8的一端，电阻R8的另一端接运算放大器IC1的同相输入端，运算放大器IC1的反相输入端接电源E的正极，电阻R8的另一端经并联的电容C5和电阻R9接地，电阻R8的另一端接运算放大器IC2的同相输入端，运算放大器IC2的反相...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫其政，
申请(专利权)人：闫其政，
类型：新型
国别省市：辽宁;21