【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种逆变系统,具体是指一种基于输出电压滤波处理的太阳能逆变系统。
技术介绍
目前家庭用电一般是由电网供电,然而在一些电网没有架设或者经常停电的地区,生活用电就存在较大的困难。随着逆变技术的发展,应用蓄电池来提供生活用电已成为可能,特别在一些日照充足的地区,采用太阳能充电技术将太阳能转换为电能储存于蓄电池,用电时再将蓄电池输出的直流电转换为交流电供家庭使用,从而可以解决无法采用电网供电的缺陷。然而,现有逆变系统的转换效率过低,无法满足人们的生活需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有逆变系统的转换效率低的缺陷,提供一种基于输出电压滤波处理的太阳能逆变系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种基于输出电压滤波处理的太阳能逆变系统,主要由太阳能电池组,与太阳能电池组相连接的蓄电池,与蓄电池相连接的直流稳压器,以及分别与直流稳压器相连接的直流滤波电路和逆变单元组成;所述直流滤波电路由三极管VT4,三极管VT5,放大器P1,N极经电阻R10后与三极管VT5的基极相连接、P极则经电阻R9后与三极管VT5的基极相连接的二极管D6,正极与二极管D6的N极相连接、负极则与三极管VT5的基极相连接的电容C7,N极经电阻R12后与二极管D6的N极相连接、P极则与三极管VT5的发射极相连接的二极管D9,串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R13,正极与放大器P1的输出端相连接、负极则形成该直流滤波电路的输出端的电容C11,N极经电容C8后与三极管VT5的基极相连接、P极则经电容C9后与放大器P1的负极相连接的二极管D7,N极与三极管VT4的基极相连 ...
【技术保护点】
一种基于输出电压滤波处理的太阳能逆变系统,其特征在于,主要由太阳能电池组,与太阳能电池组相连接的蓄电池,与蓄电池相连接的直流稳压器,以及分别与直流稳压器相连接的直流滤波电路和逆变单元组成;所述直流滤波电路由三极管VT4,三极管VT5,放大器P1,N极经电阻R10后与三极管VT5的基极相连接、P极则经电阻R9后与三极管VT5的基极相连接的二极管D6,正极与二极管D6的N极相连接、负极则与三极管VT5的基极相连接的电容C7,N极经电阻R12后与二极管D6的N极相连接、P极则与三极管VT5的发射极相连接的二极管D9,串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R13,正极与放大器P1的输出端相连接、负极则形成该直流滤波电路的输出端的电容C11,N极经电容C8后与三极管VT5的基极相连接、P极则经电容C9后与放大器P1的负极相连接的二极管D7,N极与三极管VT4的基极相连接、P极则与放大器P1的负极相连接的二极管D8,一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端接地的电阻R11,以及正极与三极管VT5的基极相连接、负极则与放大器P1的负极相连接的电容C10组成;所述三极管VT5的基极形成该直流滤波电路 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于输出电压滤波处理的太阳能逆变系统,其特征在于,主要由太阳能电池组,与太阳能电池组相连接的蓄电池,与蓄电池相连接的直流稳压器,以及分别与直流稳压器相连接的直流滤波电路和逆变单元组成;所述直流滤波电路由三极管VT4,三极管VT5,放大器P1,N极经电阻R10后与三极管VT5的基极相连接、P极则经电阻R9后与三极管VT5的基极相连接的二极管D6,正极与二极管D6的N极相连接、负极则与三极管VT5的基极相连接的电容C7,N极经电阻R12后与二极管D6的N极相连接、P极则与三极管VT5的发射极相连接的二极管D9,串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R13,正极与放大器P1的输出端相连接、负极则形成该直流滤波电路的输出端的电容C11,N极经电容C8后与三极管VT5的基极相连接、P极则经电容C9后与放大器P1的负极相连接的二极管D7,N极与三极管VT4的基极相连接、P极则与放大器P1的负极相连接的二极管D8,一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端接地的电阻R11,以及正极与三极管VT5的基极相连接、负极则与放大器P1的负极相连接的电容C10组成;所述三极管VT5的基极形成该直流滤波电路的输入端并与直流稳压器相连接、其发射极则与放大器P1的正极相连接;所述三极管VT4的集电极与放大器P1的负极相连接、其发射极则与三极管VT5的基极相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于输出电压滤波处理的太阳能逆变系统,其特征在于,所述逆变单元由变压器T,与变压器T的原边电感线圈相连接的功率放大电路,与功率放大电路相连接的逆变电路,以及与变压器T的副边电感线圈相连接的交流输出电路组成;所述功率放大电路的输入端与直流稳压器相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于输出电压滤波处理的太阳能逆变系统,其特征在于,所述逆变电路由控制芯片U,放大器P,场效应管MOS1,正极经电阻R3后与控制芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的电容C1,N极与控制芯片U的VREF管脚相连接、P极则与控制芯片U的FB管脚相连接的二极管D1,正极经电阻R1后与控制芯片U的SS管脚相连接、负极则经电阻R2后与
\t场效应管MOS1的源极相连接的电容C2,正极与二极管D1的P极相连接、负极则与电容C2的负极...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:成都思博特科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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